DPC陶瓷基板主要加工工藝流程和生產(chǎn)設(shè)備

DPC陶瓷基板主要加工工藝流程和生產(chǎn)設(shè)備DPC 陶瓷基板具備高線路精準(zhǔn)度、高表面平整度、高絕緣及高導(dǎo)熱的特性，在半導(dǎo)體功率器件封裝領(lǐng)域迅速占據(jù)了重要的市場(chǎng)地位，廣泛應(yīng)用于大功率 LED、半導(dǎo)體激光器、 VCSEL等領(lǐng)域。直接鍍銅（...

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05 2025-06

氮化鋁基板加工：技術(shù)與應(yīng)用的深度剖析

在高端電子器件和功率模塊快速發(fā)展的今天，散熱問(wèn)題已成為制約設(shè)備性能提升的關(guān)鍵瓶頸。氮化鋁（AlN）陶瓷基板憑借其卓越的熱導(dǎo)率和優(yōu)異的熱-機(jī)-電綜合性能，正逐漸成為高功率密度電子封裝的首選材料。

氮化鋁 陶瓷基板

01 2025-07

氮化硅AMB陶瓷覆銅基板界面空洞率的關(guān)鍵技術(shù)與工藝探索

在現(xiàn)代電子封裝領(lǐng)域，氮化硅（Si?N?）AMB陶瓷覆銅基板憑借其卓越的熱導(dǎo)率、低熱膨脹系數(shù)以及優(yōu)異的電氣絕緣性能，逐漸成為高端電子設(shè)備的關(guān)鍵材料。然而，銅/陶瓷界面的空洞率問(wèn)題卻成為了制約其產(chǎn)品可靠性的核心瓶頸。高空洞率區(qū)域不僅會(huì)導(dǎo)致界面剝...

03 2025-06

DPC陶瓷基板Micro TEC：多領(lǐng)域高精度溫控的實(shí)踐與探索

在5G通信、人工智能與自動(dòng)駕駛技術(shù)飛速發(fā)展的今天，高速光模塊、激光雷達(dá)等核心器件對(duì)溫度穩(wěn)定性的要求已逼近物理極限。傳統(tǒng)溫控方案難以滿足毫米級(jí)精密器件的需求，而基于DPC（Direct Plating Copper）陶瓷基板的Micro TE...

DPC陶瓷基板

12 2025-06

DPC陶瓷覆銅板：高性能電子封裝的關(guān)鍵技術(shù)

在當(dāng)今微電子技術(shù)飛速發(fā)展的時(shí)代，電子器件正朝著高性能化、小型化和高可靠性的方向邁進(jìn)，這對(duì)電子封裝材料提出了前所未有的挑戰(zhàn)。DPC（Direct Plating Copper，直接鍍銅）陶瓷覆銅板作為一種新興的高性能電子封裝材料，憑借其卓越的...

16 2025-05

DPC陶瓷基板鍍銅層結(jié)合力不佳？如何解決！

氮化鋁（AlN）陶瓷憑借與硅芯片相近的熱膨脹系數(shù)、優(yōu)異的熱傳導(dǎo)性能、良好的耐沖擊特性、高絕緣電阻、高介電強(qiáng)度，以及可實(shí)現(xiàn)多層布線等顯著優(yōu)勢(shì)，成為集成電路散熱基板材料領(lǐng)域備受矚目的新星?；瘜W(xué)鍍作為陶瓷表面金屬化的常用技術(shù)手段，具備操作簡(jiǎn)便、成...

23 2024-10

氮化鋁HTCC基板的特點(diǎn)及應(yīng)用

氮化鋁（AlN）陶瓷具有高熱導(dǎo)率、低介電常數(shù)、高強(qiáng)度、高硬度、無(wú)毒性、熱膨脹系數(shù)與Si相近等良好的物理性能，且具有優(yōu)異的化學(xué)穩(wěn)定性和耐腐蝕性能，采用氮化鋁作為介質(zhì)隔離材料制備的AlN多層布線共燒基板，是大功率模塊、大規(guī)模集成電路的理想散熱和...

氮化鋁基板