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[行業(yè)動(dòng)態(tài)]AMB活性金屬釬焊法，陶瓷與金屬的完美結(jié)合

相比于傳統(tǒng)的DBC基板，采用AMB工藝制備的陶瓷基板，不僅具有更高的熱導(dǎo)率、更好的銅層結(jié)合力，而且還有熱阻更小、可靠性更高等優(yōu)勢(shì)；此外，因其加工過(guò)程能在一次升溫中完成，操作簡(jiǎn)便、時(shí)間周期短、封接性能好并且對(duì)陶瓷的適用范圍廣，所以該工藝在國(guó)內(nèi)外發(fā)展較快，成為了電子器件中常用的一種方法。

2023-12-11 http:///Article/AMBhuoxingjinshuqian.html
[行業(yè)動(dòng)態(tài)]Si3N4-AMB陶瓷基板的應(yīng)用

功率電子器件在電力存儲(chǔ)，電力輸送，電動(dòng)汽車，電力機(jī)車等眾多工業(yè)領(lǐng)域得到越來(lái)越廣泛的應(yīng)用。隨著功率電子器件本身不斷的大功率化和高集成化，芯片在工作過(guò)程中將會(huì)產(chǎn)生大量的熱。如果這些熱量不能及時(shí)有效地發(fā)散出去，功率電子器件的工作性能將會(huì)受到影響，嚴(yán)重的話，功率電子器件本身會(huì)被破損。這就要求擔(dān)負(fù)絕緣和散熱功能的陶瓷基板必須具備卓越的機(jī)械性能和導(dǎo)熱性能。由于氮化硅（Si3N4）陶瓷的高導(dǎo)熱性、抗熱震性及在高溫中良好的機(jī)械性能，Si3N4-AMB陶瓷基板備受矚目。

2023-11-15 http:///Article/Si3N4-AMBtaocijiband.html
[行業(yè)動(dòng)態(tài)]陶瓷基板用于電子封裝的應(yīng)用指南

在電子封裝基板領(lǐng)域，有幾種常見(jiàn)類型，每種都具有其獨(dú)特的優(yōu)點(diǎn)和局限性。塑料、金屬和陶瓷基板是最常見(jiàn)的競(jìng)爭(zhēng)者。然而，在這份全面指南中，我們將專注于陶瓷基板的卓越特性和優(yōu)勢(shì)。我們將探討它們卓越的絕緣性能、低介電常數(shù)、低熱膨脹系數(shù)、高熱導(dǎo)率、出色的氣密性和化學(xué)穩(wěn)定性。陶瓷基板非常適用于高可靠性、高頻率、高溫抗性和氣密性產(chǎn)品封裝，特別是在航空航天、軍事和其他對(duì)要求嚴(yán)格的行業(yè)中。

2023-10-11 http:///Article/taocijibanyongyudian.html
[行業(yè)動(dòng)態(tài)]陶瓷基板的市場(chǎng)到底有多大？十億？百億？

隨著電子封裝技術(shù)逐漸向著小型化、高密度、多功能和高可靠性方向發(fā)展，電子系統(tǒng)的功率密度隨之增加，散熱問(wèn)題越來(lái)越嚴(yán)重。對(duì)于電子器件而言，通常溫度每升高10°C，器件有效壽命就降低30%~50%。因此，選用合適的封裝材料與工藝、提高器件散熱能力就成為發(fā)展電子器件的技術(shù)瓶頸。

2023-10-06 http:///Article/taocijibansc.html
[行業(yè)動(dòng)態(tài)]IGBT模塊中不同金屬化方法覆銅氮化鋁陶瓷基板的可靠性研究

針對(duì)氮化鋁陶瓷基板的IGBT應(yīng)用展開(kāi)分析，著重對(duì)不同金屬化方法制備的覆銅AlN基板進(jìn)行可靠性進(jìn)行研究。通過(guò)對(duì)比厚膜法、薄膜法、直接覆銅法和活性金屬釬焊法金屬化AlN基板的剝離強(qiáng)度、熱循環(huán)、功率循環(huán)，分析結(jié)果可知，活性金屬釬焊法制備的AlN覆銅基板優(yōu)于其他工藝基板，剝離強(qiáng)度25 MPa，（-40 ~150）℃熱循環(huán)達(dá)到1 500次，能耐1 200 A/3.3 kV功率循環(huán)測(cè)試7萬(wàn)次，滿足IGBT模塊對(duì)陶瓷基板可靠性需求。

2023-09-15 http:///Article/IGBTmokuaizhongbuton.html
[行業(yè)動(dòng)態(tài)]Si3N4-AMB陶瓷基板在高功率半導(dǎo)體器件中的應(yīng)用

功率電子器件在電力存儲(chǔ)，電力輸送，電動(dòng)汽車，電力機(jī)車等眾多工業(yè)領(lǐng)域得到越來(lái)越廣泛的應(yīng)用。隨著功率電子器件本身不斷的大功率化和高集成化，芯片在工作過(guò)程中將會(huì)產(chǎn)生大量的熱。如果這些熱量不能及時(shí)有效地發(fā)散出去，功率電子器件的工作性能將會(huì)受到影響，嚴(yán)重的話，功率電子器件本身會(huì)被破損。這就要求擔(dān)負(fù)絕緣和散熱功能的陶瓷基板必須具備卓越的機(jī)械性能和導(dǎo)熱性能。由于氮化硅（Si3N4）陶瓷的高導(dǎo)熱性、抗熱震性及在高溫中良好的機(jī)械性能，Si3N4-AMB陶瓷基板備受矚目。

2023-08-28 http:///Article/Si3N4-AMBtaocijibanz.html
[行業(yè)動(dòng)態(tài)]一文了解 IGBT 模塊封裝用陶瓷襯板技術(shù)

IGBT 是電力電子變換中的核心元器件，以低電壓控制大功率電路的斷開(kāi)與導(dǎo)通，廣泛應(yīng)用于軌道交通、新能源汽車、軍工航天、工業(yè)機(jī)器等領(lǐng)域。隨著我國(guó)高鐵、航空航天、混合動(dòng)力汽車的飛速發(fā)展， IGBT 模塊需要更高的可靠性、更快的開(kāi)關(guān)轉(zhuǎn)換速度、更低的能量損耗等，因此，需要高可靠性的封裝技術(shù)使芯片的優(yōu)勢(shì)能夠完全發(fā)揮出來(lái)。其中，IGBT 封裝用散熱基板在封裝時(shí)起著機(jī)械互連和電氣導(dǎo)通的作用，是高可靠性封裝中至關(guān)重要的環(huán)節(jié)。

2023-08-14 http:///Article/yiwenliaojieIGBTmoku.html
[行業(yè)動(dòng)態(tài)]陶瓷基板的市場(chǎng)到底有多大？

隨著電子封裝技術(shù)逐漸向著小型化、高密度、多功能和高可靠性方向發(fā)展，電子系統(tǒng)的功率密度隨之增加，散熱問(wèn)題越來(lái)越嚴(yán)重。對(duì)于電子器件而言，通常溫度每升高10°C，器件有效壽命就降低30%~50%。因此，選用合適的封裝材料與工藝、提高器件散熱能力就成為發(fā)展電子器件的技術(shù)瓶頸。

2023-07-10 http:///Article/taocijibandeshichang.html
[行業(yè)動(dòng)態(tài)]大功率IGBT功率模塊用氮化鋁覆銅基板

隨著高速鐵路、城市軌道交通、新能源汽車、智能電網(wǎng)和風(fēng)能發(fā)電等行業(yè)發(fā)展，對(duì)于高壓大功率IGBT模塊的需求迫切且數(shù)量巨大。由于高壓大功率IGBT模塊技術(shù)門檻較高，難度較大，特別是要求封裝材料散熱性能更好、可靠性更高、載流量更大。高壓大功率IGBT模塊所產(chǎn)生的熱量主要是通過(guò)陶瓷覆銅板傳導(dǎo)到外殼而散發(fā)出去的，因此陶瓷覆銅板是電力電子領(lǐng)域功率模塊封裝的不可或缺的關(guān)鍵基礎(chǔ)材料。

2023-04-17 http:///Article/dagonglvIGBTgonglvmo.html
[行業(yè)動(dòng)態(tài)]氮化鋁（AlN?）陶瓷基板的制備工藝

氮化鋁陶瓷具備優(yōu)異的綜合性能，是近年來(lái)受到廣泛關(guān)注的新一代先進(jìn)陶瓷，具有高熱導(dǎo)率、低介電常數(shù)、低介電損耗、優(yōu)良的電絕緣性，與硅相匹配的熱膨脹系數(shù)及無(wú)毒性等優(yōu)點(diǎn)，使其成為高密度、大功率和高速集成電路基板和封裝的理想材料。

2023-03-31 http:///Article/danhualvAlNtaocijiba.html
[行業(yè)動(dòng)態(tài)]AMB Si3N4 陶瓷基板在高功率半導(dǎo)體器件中的應(yīng)用

功率電子器件在電力存儲(chǔ)，電力輸送，電動(dòng)汽車，電力機(jī)車等眾多工業(yè)領(lǐng)域得到越來(lái)越廣泛的應(yīng)用。隨著功率電子器件本身不斷的大功率化和高集成化，芯片在工作過(guò)程中將會(huì)產(chǎn)生大量的熱。如果這些熱量不能及時(shí)有效地發(fā)散出去，功率電子器件的工作性能將會(huì)受到影響，嚴(yán)重的話，功率電子器件本身會(huì)被破損。這就要求擔(dān)負(fù)絕緣和散熱功能的陶瓷基板必須具備卓越的機(jī)械性能和導(dǎo)熱性能。由于氮化硅（Si3N4）陶瓷的高導(dǎo)熱性、抗熱震性及在高溫中良好的機(jī)械性能，AMB Si3N4陶瓷基板備受矚目。1、Si3N4 為何要用AMB工藝目前功率半導(dǎo)體器件所用的陶瓷基板多為DBC（Direct Bond Copper，直接覆銅）工藝，Al2O3與ZTA等氧化物陶瓷以及AlN可使用DBC技術(shù)與銅接合：將無(wú)氧銅經(jīng)熱氧化或化學(xué)氧化制程于表面產(chǎn)生一Cu2O層，于1065~

2023-03-22 http:///Article/AMBSi3N4taocijibanza.html
[行業(yè)動(dòng)態(tài)]高導(dǎo)熱氮化硅陶瓷基板產(chǎn)業(yè)化進(jìn)展

要有效解決器件的散熱問(wèn)題，必須選擇高導(dǎo)熱的基板材料。近年來(lái)已經(jīng)大規(guī)模生產(chǎn)的應(yīng)用較為廣泛的陶瓷基板主要有：Al2O3、BeO、SiC、AlN、Si3N4等。

2023-02-17 http:///Article/danhuaguitaociban.html
[常見(jiàn)問(wèn)題]陶瓷基板都有哪些材料可以選擇呢

陶瓷基板都有哪些材料可以選擇呢電力電子、電子封裝、混合微電子和多芯片模塊廣泛應(yīng)用陶瓷基板，主要是因?yàn)樘沾苫鍍?yōu)越的導(dǎo)電性、氣密性、絕緣性性能。今天要分享陶瓷基板都有哪些材料可以選擇，以及陶瓷基板導(dǎo)熱材料的發(fā)展。一，過(guò)去用樹(shù)脂基板現(xiàn)在用陶瓷基板有何區(qū)別環(huán)氧樹(shù)脂基板，由于其良好的經(jīng)濟(jì)性，在整個(gè)電子市場(chǎng)上仍然占據(jù)主導(dǎo)地位，但許多特殊領(lǐng)域如高溫、線膨脹系數(shù)不匹配、氣密性、穩(wěn)定性、力學(xué)性能等顯然不適合，即使在環(huán)氧樹(shù)脂中加入大量的有機(jī)溴化物，也無(wú)濟(jì)于事。陶瓷材料基板，導(dǎo)熱性強(qiáng)，是樹(shù)脂基板導(dǎo)熱性能的10倍甚至百倍，陶瓷材料的氣密性非常好，另外陶瓷基板絕緣性也非常高，不需要在添加絕緣層，除了費(fèi)用貴一些，其他性能都挺好。二，陶瓷基板可以選擇的陶瓷材料 1.氮化鋁（AIN）氮化鋁有兩個(gè)重

2022-10-29 http:///Article/taocijibanduyounaxie.html
[行業(yè)動(dòng)態(tài)]高熱導(dǎo)氮化鋁陶瓷基板在宇航器件中的應(yīng)用

高熱導(dǎo)氮化鋁陶瓷基板在宇航器件中的應(yīng)用中國(guó)航天事業(yè)的快速發(fā)展促使航天器用超大規(guī)模集成電路及電子器件向高密度、高頻、高功率、高可靠性、微型化、多功能化方向發(fā)展。器件的熱流密度隨之增加，散熱問(wèn)題逐漸凸顯，散熱材料是影響器件傳熱性能和可靠性的關(guān)鍵。因此，高導(dǎo)熱電絕緣材料成為電子系統(tǒng)高度集成化和小型化的突破口，其中，電絕緣陶瓷基板成為解決散熱問(wèn)題的重要方向。氮化鋁陶瓷基板成為宇杭器件的散熱基板AlN陶瓷具有優(yōu)異的綜合性能，尤其是其出色的導(dǎo)熱性能，因而被廣泛用于電子電氣系統(tǒng)；作為結(jié)構(gòu)功能一體化的陶瓷材料，其介電性能也逐漸獲得足夠的重視，用于高功率微波管的輸能窗等；良好的良好的電絕緣性能，可以用作半導(dǎo)體表面鈍化、半導(dǎo)體基板材料和電子元器件的陶瓷封裝材料；此外，AlN陶瓷也可用于光學(xué)陶瓷材料。A

2022-10-12 http:///Article/gaoredaodanhualvtaoc.html
[常見(jiàn)問(wèn)題]汽車大燈采用氮化鋁基板替代鋁基板究竟是什么原因

汽車大燈采用氮化鋁基板替代鋁基板究竟是什么原因隨著汽車消費(fèi)群體的對(duì)汽車大燈的要求越來(lái)越高，各路汽車制造廠商為了贏得市場(chǎng)和競(jìng)爭(zhēng)地位，在汽車大燈方面也是做足了功夫。常用的汽車大燈采用的基板有鋁基板、氧化鋁基板、氮化鋁陶瓷基板。那為什么是氮化鋁基板呢？一，汽車大燈對(duì)散熱和絕緣性的要求提高--氮化鋁陶瓷基板滿足需要汽車大燈的工作溫度非常高、對(duì)亮度的要求也是比較高的、亮度越高、功率越高、溫度越高。只有不斷的提升冷熱設(shè)計(jì)和散熱器件的散熱能力，但是要取得較好的效果，還是需要氮化鋁陶瓷基板。因?yàn)榈X陶瓷基板導(dǎo)熱率高到170w以上，散熱能力強(qiáng)，可以耐高溫500°C，這方面鋁基板不及氮化鋁陶瓷基板的百分之一，散熱能力方面氧化鋁陶瓷基板也不過(guò)是氮化鋁陶瓷基板的六分之一左右。

2022-10-08 http:///Article/qichedadengcaiyongda.html
[行業(yè)動(dòng)態(tài)]氮化硅(Si3N4)-AMB基板最新研究進(jìn)展

氮化硅(Si3N4)-AMB基板最新研究進(jìn)展隨著第三代SiC基功率模塊器件的功率密度和工作溫度不斷升高，器件對(duì)于封裝基板的散熱能力和可靠性也提出了更高的要求[1,2,3]。以往被廣泛使用的直接覆銅(Direct-Bonding-Copper，DBC)陶瓷基板是通過(guò)共晶鍵合法制備而成，銅和陶瓷之間沒(méi)有粘結(jié)材料，在高溫服役過(guò)程中，往往會(huì)因?yàn)殂~和陶瓷(Al2O3或AlN)之間的熱膨脹系數(shù)不同而產(chǎn)生較大的熱應(yīng)力，從而導(dǎo)致銅層從陶瓷表面剝離，因此傳統(tǒng)的DBC陶瓷基板已經(jīng)難以滿足高溫、大功率、高散熱、高可靠性的封裝要求[4,5]。而Si3N4-AMB覆銅基板則是利用活性金屬元素(Ti、Zr、Ta、Nb、V、Hf等)可以潤(rùn)濕陶瓷表面的特性，將銅層通過(guò)活性金屬釬料釬焊在Si3N4陶

2022-09-13 http:///Article/danhuagui(Si3N4)-AMB.html
[行業(yè)動(dòng)態(tài)]氮化硅陶瓷基板為何會(huì)成為第三代半導(dǎo)體器件的優(yōu)質(zhì)封裝材料

氮化硅陶瓷基板為何會(huì)成為第三代半導(dǎo)體器件的優(yōu)質(zhì)封裝材料隨著國(guó)家對(duì)半導(dǎo)體行業(yè)的大力支持，以及第三代半導(dǎo)體科技行業(yè)的快速發(fā)展，氮化硅陶瓷覆銅基板成為第三代半導(dǎo)體器優(yōu)質(zhì)的封裝材料。今天小編就來(lái)分享一下，氮化硅陶瓷基板哪些優(yōu)勢(shì)能被第三代半導(dǎo)體選擇和應(yīng)用。一，氮化硅陶瓷基板有著與其他陶瓷基板獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)陶瓷基板材料憑借其極好的耐高溫、耐腐蝕、熱導(dǎo)率高、機(jī)械強(qiáng)度高、熱膨脹系數(shù)與芯片相匹配及不易劣化等特性成為大功率、高密度、高溫及高頻器件封裝的首選。目前應(yīng)用于陶瓷基板的陶瓷材料主要有：氧化鈹（BeO）、氧化鋁（Al2O3）、氮化鋁（AlN）、氮化硅（Si3N4）和碳化硅（SiC）等。近年來(lái)，電子電力器件朝大功率、高頻化、高密度、集成化等方向發(fā)展，對(duì)器件中陶瓷散熱基板提出了更高要求。與AlN和Al2O3陶瓷基板材料相比，Si

2022-08-24 http:///Article/danhuaguitaocijibanwei.html
[行業(yè)動(dòng)態(tài)]氮化鋁陶瓷基板厚膜電阻制作研究

氮化鋁陶瓷基板厚膜電阻制作研究氮化鋁陶瓷基板制作厚膜電阻電阻率不同，阻值不同，性能也不同。今天小編要分享的是氮化鋁陶瓷基板厚膜電阻的制作研究。在AlN基板上，使用IKTS電阻漿料制作了4種方阻的厚膜電阻，確定了AlN基板用電阻的阻值與設(shè)計(jì)方數(shù)的關(guān)系，推算出了不同方數(shù)下的電阻設(shè)計(jì)比例。測(cè)試了電阻的溫度系數(shù)，測(cè)量結(jié)果均小于150×10-6/℃。使用激光調(diào)值機(jī)對(duì)4種方阻的電阻進(jìn)行調(diào)值，經(jīng)150 ℃、1 000 h高溫存儲(chǔ)，阻值變化率<1.5%。一，陶瓷基板的電阻制作為何選用氮化鋁陶瓷基板隨著微電子封裝技術(shù)的發(fā)展，電子元件的功率、密度越來(lái)越大，單位體積發(fā)熱量隨之增加，對(duì)新一代電路基板散熱能力(即熱導(dǎo)率)的要求也更加嚴(yán)格?，F(xiàn)階段開(kāi)發(fā)的高熱導(dǎo)率陶瓷基

2022-06-21 http:///Article/danhualvtaocijibanho.html
[常見(jiàn)問(wèn)題]氮化鋁陶瓷基板關(guān)鍵制備工藝的研究

氮化鋁陶瓷基板關(guān)鍵制備工藝的研究前言氮化鋁（AlN）陶瓷作為一種導(dǎo)熱率高，熱膨脹系數(shù)與硅半導(dǎo)體接近的材料，具備良好的絕緣和機(jī)械性能，在高頻通信、LED照明、新能源汽車、高鐵、風(fēng)能和光伏發(fā)電等新興領(lǐng)域的商業(yè)化應(yīng)用逐漸普及。由于AlN材料制作工藝比較復(fù)雜，生產(chǎn)成本較高，目前大部分國(guó)產(chǎn)AlN材料尚達(dá)不到高導(dǎo)熱、高強(qiáng)度的應(yīng)用要求。本文針對(duì)適合批量生產(chǎn)AlN陶瓷的常壓燒結(jié)工藝進(jìn)行探討分析，研究不同工藝條件對(duì)AlN性能的影響。氮化鋁陶瓷的制備1、原材料準(zhǔn)備本實(shí)驗(yàn)采用自制高純AlN粉體進(jìn)行制備。采用Malvern MS2000型激光粒度儀測(cè)量AlN粉體平均粒度（D50）為1.2μm。采用SU8010型掃描電子顯微鏡觀察顆粒形貌，如圖1所示，該粉體顆粒多數(shù)呈球狀，尺寸在0.3μ

2022-03-24 http:///Article/danhualvtaocijibangu.html
[常見(jiàn)問(wèn)題]氮化硅基板與氮化鋁、氧化鋁基板對(duì)比差異

氮化硅基板與氮化鋁、氧化鋁基板對(duì)比差異氮化硅基板、氮化鋁基板、氧化鋁基板都是陶瓷基板，在散熱性、絕緣性、導(dǎo)熱性都很不錯(cuò)，在各大需要散熱、絕緣、高頻等領(lǐng)域產(chǎn)品發(fā)揮了非常重要的左右，尤其是對(duì)汽車電子、消費(fèi)電子、電力、通訊、交通軌道、醫(yī)療、半導(dǎo)體、LED等領(lǐng)域作用非常大，那么氮化硅基板與氮化鋁、氧化鋁基板對(duì)比有什么差異呢？一，首先是氮化硅基板與氮化鋁、氧化鋁基板材料和性能不同可以看出氮化鋁基板導(dǎo)熱性最突出；氮化硅陶瓷基板高強(qiáng)度要更高，更耐壓；氧化鋁陶瓷基板介電常數(shù)最高，氮化硅基板介電損耗最低，熱膨脹系數(shù)氮化硅基最低。二，氮化硅基板與氮化鋁、氧化鋁基板市場(chǎng)應(yīng)用不同基于氮化硅基板與氮化鋁、氧化鋁基板特性不同，應(yīng)用領(lǐng)域有所不同，氮化鋁基板導(dǎo)熱性非常高

2022-01-18 http:///Article/danhuaguijibanyudanh.html

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