AMB陶瓷覆銅基板作為一種高性能的電子封裝材料，其銅層與陶瓷基板之間的結(jié)合強(qiáng)度是衡量其質(zhì)量的關(guān)鍵指標(biāo)之一。剝離強(qiáng)度作為表征結(jié)合強(qiáng)度的重要參數(shù)，能夠直觀地反映銅層與陶瓷之間的附著力。下面金瑞欣小編將通過對比AMB陶瓷覆銅基板與DBC陶瓷覆銅基板的剝離強(qiáng)度，深入探討AMB工藝的優(yōu)勢。

一、AMB陶瓷覆銅基板剝離強(qiáng)度的影響因素

AMB陶瓷覆銅基板的剝離強(qiáng)度受到多種因素的綜合影響，其中基板材料、界面強(qiáng)度、制造過程中的殘余應(yīng)力、工藝缺陷以及所承受的載荷等都是重要的影響因素。在這些因素中，界面強(qiáng)度的影響尤為顯著。

在不考慮界面奇異點(diǎn)的情況下，垂直于AMB陶瓷覆銅基板界面的正應(yīng)力被定義為剝離應(yīng)力，而作用于基板界面的面力則被定義為剪切力。與之相對應(yīng)的強(qiáng)度分別被稱為剝離強(qiáng)度和剪切強(qiáng)度，它們是評價AMB陶瓷覆銅基板強(qiáng)度的重要參數(shù)。剝離強(qiáng)度和剪切強(qiáng)度與母材（銅、陶瓷）的強(qiáng)度、制造工藝參數(shù)以及界面相晶體組織結(jié)構(gòu)等因素密切相關(guān)，因此需要通過試驗來準(zhǔn)確獲得。在行業(yè)內(nèi)，剝離強(qiáng)度常被用作AMB陶瓷覆銅基板性能評價的標(biāo)準(zhǔn)。

二、AMB陶瓷覆銅基板剝離強(qiáng)度測試過程及數(shù)據(jù)

為了準(zhǔn)確評估AMB陶瓷覆銅基板的剝離強(qiáng)度，我們選擇了一致的剝離測試設(shè)備，并在相同的溫度和濕度環(huán)境下，對不同材質(zhì)的AMB陶瓷覆銅基板上的銅箔和銅片與陶瓷的粘接度進(jìn)行了測試。

測試的環(huán)境條件為溫度25℃、濕度65%。我們選取了四種不同材質(zhì)的AMB陶瓷覆銅基板作為測試樣品，分別是氮化硅基板（陶瓷厚度0.32mm，雙面覆銅0.3mm）、氮化鋁基板（陶瓷厚度0.64mm，雙面覆銅0.3mm）、ZTA基板（氧化鋯增強(qiáng)氧化鋁陶瓷，厚度0.32mm，雙面覆銅0.3mm）以及氧化鋁基板（陶瓷厚度0.38mm，雙面覆銅0.3mm）。每種基板均測試了5個樣品。測試時，樣品銅線條蝕刻寬度為3mm，位移施加速率為50mm/min。測試結(jié)果如表1至表3所示。

從測試數(shù)據(jù)中可以明顯看出，AMB陶瓷覆銅基板的剝離強(qiáng)度最低為17.16N/mm，這一數(shù)值遠(yuǎn)高于DBC基板公開的平均剝離強(qiáng)度10N/mm。盡管剝離強(qiáng)度并不能完全代表產(chǎn)品的綜合性能，但它至少可以證明，在AMB工藝中，陶瓷與銅的焊接性能、界面致密性以及界面結(jié)合強(qiáng)度都優(yōu)于DBC基板。

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