一、產(chǎn)品概述

DPC氮化鋁鍍金工藝陶瓷板是一種結(jié)合直接鍍銅（Direct Plated Copper, DPC）技術(shù)與氮化鋁（AlN）陶瓷基材的高端電子封裝材料。通過精密鍍金工藝，該產(chǎn)品在保持氮化鋁優(yōu)異導熱性（導熱系數(shù)≥170W/m·K）的同時，具備卓越的導電性、抗氧化性及焊接可靠性，廣泛應(yīng)用于大功率LED、5G通信、半導體激光器等領(lǐng)域。

二、DPC工藝核心優(yōu)勢

高精度圖形化
DPC工藝通過薄膜沉積、光刻和電鍍技術(shù)，直接在氮化鋁基板上形成微米級電路圖形（線寬/線距可達50μm），滿足高密度封裝需求。

低溫制程（<300℃）
相比傳統(tǒng)DBC（直接鍵合銅）工藝的高溫燒結(jié)（>800℃），DPC工藝有效減少熱應(yīng)力，提升產(chǎn)品良率。

鍍金層優(yōu)勢

抗氧化性：金層厚度可定制（0.1-2μm），確保長期使用無氧化。

焊接性能：鍍金表面與芯片、焊料兼容性極佳，降低虛焊風險。

三、氮化鋁基材特性

導熱性能：導熱系數(shù)高達170-230W/m·K，優(yōu)于氧化鋁（Al?O?）5倍以上。

絕緣性：體積電阻率＞101?Ω·cm，耐壓強度＞15kV/mm。

熱匹配性：熱膨脹系數(shù)（4.5×10??/℃）接近硅芯片，減少熱疲勞失效。

四、應(yīng)用領(lǐng)域

大功率LED照明：解決散熱瓶頸，延長器件壽命。

5G射頻模塊：高頻信號傳輸?shù)蛽p耗，適用于基站PA模塊。

IGBT/SiC功率模塊：耐高溫、高絕緣，滿足新能源汽車電控需求。

激光雷達（LiDAR）：高精度電路支撐激光器高效散熱。

五、DPC vs. 傳統(tǒng)工藝對比

六、選擇DPC氮化鋁鍍金陶瓷板的理由

高可靠性：通過1000次-40℃~150℃熱循環(huán)測試，無分層開裂。

定制化服務(wù)：支持孔徑0.1mm、多層金屬化（Au/Ni/Au）等個性化需求。

環(huán)保認證：符合RoHS、REACH標準，適配綠色制造趨勢。

七、行業(yè)解決方案

針對半導體封裝、航空航天、醫(yī)療設(shè)備等領(lǐng)域，提供從打樣到批量生產(chǎn)的流程服務(wù)，助力客戶提升產(chǎn)品性能，縮短上市周期。