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[行業(yè)動態(tài)]陶瓷PCB電路板：解鎖高功率電子設(shè)備的未來散熱與性能革命

在追求高性能、小型化的電子設(shè)備浪潮中，陶瓷PCB電路板正以卓越的導(dǎo)熱性、高頻穩(wěn)定性和耐極端環(huán)境能力，成為高功率電子設(shè)計的核心材料。無論是5G通信基站、新能源汽車的功率模塊，還是航空航天設(shè)備的精密電路，陶瓷PCB電路板憑借其獨特的材料優(yōu)勢，正在重新定義電子設(shè)備的可靠性與效率。

2025-02-06 http://m.xphdx.cn/Article/taociPCBdianlubanjie.html
[行業(yè)動態(tài)]高壓大功率IGBT模塊首選封裝材料——AMB陶瓷基板

絕緣柵雙極晶體管（IGBT）是在金屬氧化物場效應(yīng)晶體管（MOSFET）和雙極晶體管的基礎(chǔ)上發(fā)展起來的一種新型復(fù)合功率器件，具有輸入阻抗大、驅(qū)動功率小、開關(guān)速度快、工作頻率高、飽和壓降低、安全工作區(qū)大和可耐高電壓和大電流等一系列優(yōu)點，大規(guī)模應(yīng)用于電動汽車、電力機車?yán)锏碾姍C驅(qū)動以及并網(wǎng)技術(shù)、儲能電站、工業(yè)領(lǐng)域的高壓大電流場合的交直流電轉(zhuǎn)換和變頻控制等領(lǐng)域，是電力電子領(lǐng)域中最重要的大功率器件，是綠色經(jīng)濟(jì)的核“芯”。

2024-03-18 http://m.xphdx.cn/Article/gaoyadagonglvIGBTmok.html
[行業(yè)動態(tài)]AMB活性金屬釬焊法，陶瓷與金屬的完美結(jié)合

相比于傳統(tǒng)的DBC基板，采用AMB工藝制備的陶瓷基板，不僅具有更高的熱導(dǎo)率、更好的銅層結(jié)合力，而且還有熱阻更小、可靠性更高等優(yōu)勢；此外，因其加工過程能在一次升溫中完成，操作簡便、時間周期短、封接性能好并且對陶瓷的適用范圍廣，所以該工藝在國內(nèi)外發(fā)展較快，成為了電子器件中常用的一種方法。

2023-12-11 http://m.xphdx.cn/Article/AMBhuoxingjinshuqian.html
[行業(yè)動態(tài)]Si3N4 DBC和AMB陶瓷基板

隨著寬禁帶半導(dǎo)體的發(fā)展，功率半導(dǎo)體器件往更高的功率密度，更高的芯片溫度以及更高的可靠性方向發(fā)展，相應(yīng)地也對于功率半導(dǎo)體模塊封裝的提出了更高的要求。包括我們前面聊到的無焊料，無鍵合線等互連技術(shù)趨勢外，絕緣基板的選擇也成為經(jīng)常討論的話題。

2023-10-23 http://m.xphdx.cn/Article/Si3N4DBCheAMBtaociji.html
[行業(yè)動態(tài)]AMB陶瓷基板：高端IGBT模塊基板的應(yīng)用新趨勢

IGBT陶瓷襯板屬于新的工藝技術(shù)，其中AMB工藝技術(shù)的陶瓷襯板也逐步應(yīng)用于新能源汽車的IGBT模塊上。IGBT散熱對于功率模塊的性能是非常重要的，目前國內(nèi)的IGBT模塊大部分還是采用DBC工藝，但隨著工作電壓、性能要求的不斷提升，AMB工藝技術(shù)的陶瓷基板能更好地解決上述痛點。

2023-08-02 http://m.xphdx.cn/Article/AMBtaocijibangaoduan.html
[行業(yè)動態(tài)]常見陶瓷基板PCB板介紹

陶瓷基板是指銅箔在高溫下直接鍵合到氧化鋁(Al2O3)或氮化鋁(AlN)陶瓷基片表面( 單面或雙面)上的特殊工藝板。所制成的超薄復(fù)合基板具有優(yōu)良電絕緣性能，高導(dǎo)熱特性，優(yōu)異的軟釬焊性和高的附著強度，并可像PCB板一樣能刻蝕出各種圖形，具有很大的載流能力。因此，陶瓷基板已成為大功率電力電子電路結(jié)構(gòu)技術(shù)和互連技術(shù)的基礎(chǔ)材料。

2023-06-16 http://m.xphdx.cn/Article/changjiantaocijibanP.html
[行業(yè)動態(tài)]大功率IGBT功率模塊用氮化鋁覆銅基板

隨著高速鐵路、城市軌道交通、新能源汽車、智能電網(wǎng)和風(fēng)能發(fā)電等行業(yè)發(fā)展，對于高壓大功率IGBT模塊的需求迫切且數(shù)量巨大。由于高壓大功率IGBT模塊技術(shù)門檻較高，難度較大，特別是要求封裝材料散熱性能更好、可靠性更高、載流量更大。高壓大功率IGBT模塊所產(chǎn)生的熱量主要是通過陶瓷覆銅板傳導(dǎo)到外殼而散發(fā)出去的，因此陶瓷覆銅板是電力電子領(lǐng)域功率模塊封裝的不可或缺的關(guān)鍵基礎(chǔ)材料。

2023-04-17 http://m.xphdx.cn/Article/dagonglvIGBTgonglvmo.html
[行業(yè)動態(tài)]AMB陶瓷基板在IGBT上的應(yīng)用介紹

根據(jù)封裝結(jié)構(gòu)和應(yīng)用要求，陶瓷基板可分為平面陶瓷基板和三維陶瓷基板兩大類。再根據(jù)實現(xiàn)陶瓷基板覆銅后再刻蝕的不同工藝，當(dāng)前較普遍的陶瓷散熱基板分為 HTCC、LTCC、DBC、DPC、AMB 等。AMB 工藝因可靠性更優(yōu)，逐漸成為主流應(yīng)用。其中 Al2O3陶瓷基板主要采用 DBC 工藝，AlN 陶瓷基板主要采用DBC 和AMB工藝，Si3N4陶瓷基板更多采用 AMB 工藝

2023-03-08 http://m.xphdx.cn/Article/AMBtaocijibanzaiIGBT.html
[行業(yè)動態(tài)]高導(dǎo)熱氮化硅陶瓷基板產(chǎn)業(yè)化進(jìn)展

要有效解決器件的散熱問題，必須選擇高導(dǎo)熱的基板材料。近年來已經(jīng)大規(guī)模生產(chǎn)的應(yīng)用較為廣泛的陶瓷基板主要有：Al2O3、BeO、SiC、AlN、Si3N4等。

2023-02-17 http://m.xphdx.cn/Article/danhuaguitaociban.html
[常見問題]鋁碳化硅基板是什么，鋁碳化硅基板的優(yōu)缺點

鋁碳化硅基板是什么，鋁碳化硅基板的優(yōu)缺點鋁碳化硅基板（AlSiC）是鋁基碳化硅顆粒增強復(fù)合材料的簡稱，又稱碳化硅鋁或鋁硅碳，在軌道機車、飛機、半導(dǎo)體IGBT器件、軍工等產(chǎn)品領(lǐng)域被應(yīng)用。今天小編要分享的是鋁碳化硅基板的優(yōu)缺點：一，鋁碳化硅基板的優(yōu)點1，AlSiC具有高導(dǎo)熱率（170～200W/mK），是一般封裝材料的十倍，可將芯片產(chǎn)生的熱量及時散發(fā)，提高整個元器件的可靠性和穩(wěn)定性2，AlSiC的熱膨脹系數(shù)與半導(dǎo)體芯片和陶瓷基片實現(xiàn)良好的匹配，可調(diào)的熱膨脹系數(shù)（6.5～9.5×10-6/K）能夠防止疲勞失效的產(chǎn)生，甚至可以將功率芯片直接安裝到AlSiC底板上。3，鋁碳化硅基板重量輕，硬度強，抗彎強度高、抗震效果好。在惡劣環(huán)境下的首選材料。此外，鋁碳化硅基板（AI/SiC）由于具

2022-10-19 http://m.xphdx.cn/Article/lvtanhuaguijibanshis.html
[常見問題]氮化硅陶瓷基板價格以及構(gòu)成

氮化硅陶瓷基板價格以及構(gòu)成氮化硅陶瓷基板高抗拉強度，耐磨損，耐高溫、在汽車電子、IGBT模塊、第三代半導(dǎo)體等器件封裝中應(yīng)用。那么對于要打樣加工氮化硅陶瓷基板的客戶來說，除了關(guān)注交期和產(chǎn)品品質(zhì)、加工能力，對價格也是非常關(guān)注的。今天要分享的是氮化硅陶瓷基板價格以及構(gòu)成。一，氮化硅陶瓷基板價格氮化硅陶瓷基板加工成覆銅板或者電路板的價格是比較高的，氮化硅陶瓷基板打樣一款在5000元以上，打樣和批量價格也不同。二，影響氮化硅陶瓷基板價格的因素影響氮化鋁陶瓷基板價格的因素很多，首先是板材規(guī)格，不同的尺寸、厚度價格也不一樣，還有看加工的cps大小，這個會影響板材利用率的，板材利用率低，也就是cps尺寸大，那么基材耗費就高，成本也高，氮化硅基板一張板材的成本就

2022-10-18 http://m.xphdx.cn/Article/danhuaguitaocijibanjc.html
[常見問題]鋁碳化硅基板與氮化硅基板的區(qū)別

鋁碳化硅基板與氮化硅基板的區(qū)別鋁碳化硅基板在軌道機車、飛機、半導(dǎo)體IGBT器件等產(chǎn)品領(lǐng)域被應(yīng)用，主要是因為鋁基碳化硅基板具備導(dǎo)熱率高、熱膨脹系數(shù)與芯片更匹配，重量輕、密度小、高硬度和高抗彎強度。那么鋁碳化硅基板和氮化硅基板有什么區(qū)別呢？一，鋁碳化硅基板的和氮化硅基板的特點和優(yōu)勢鋁基碳化硅基板鋁碳化硅（AlSiC）是鋁基碳化硅顆粒增強復(fù)合材料的簡稱，又稱碳化硅鋁或鋁硅碳。被應(yīng)用到軍工行業(yè)領(lǐng)域，有著非常重要的突出優(yōu)勢。1，AlSiC具有高導(dǎo)熱率（170～200W/mK），是一般封裝材料的十倍，可將芯片產(chǎn)生的熱量及時散發(fā)，提高整個元器件的可靠性和穩(wěn)定性2，AlSiC的熱膨脹系數(shù)與半導(dǎo)體芯片和陶瓷基片實現(xiàn)良好的匹配，可調(diào)的熱膨脹系數(shù)（6.5～9.5×10-6/K）能夠防止疲勞失效的產(chǎn)生，

2022-10-08 http://m.xphdx.cn/Article/lvtanhuaguijibanyuda.html
[行業(yè)動態(tài)]氮化硅(Si3N4)-AMB基板最新研究進(jìn)展

氮化硅(Si3N4)-AMB基板最新研究進(jìn)展隨著第三代SiC基功率模塊器件的功率密度和工作溫度不斷升高，器件對于封裝基板的散熱能力和可靠性也提出了更高的要求[1,2,3]。以往被廣泛使用的直接覆銅(Direct-Bonding-Copper，DBC)陶瓷基板是通過共晶鍵合法制備而成，銅和陶瓷之間沒有粘結(jié)材料，在高溫服役過程中，往往會因為銅和陶瓷(Al2O3或AlN)之間的熱膨脹系數(shù)不同而產(chǎn)生較大的熱應(yīng)力，從而導(dǎo)致銅層從陶瓷表面剝離，因此傳統(tǒng)的DBC陶瓷基板已經(jīng)難以滿足高溫、大功率、高散熱、高可靠性的封裝要求[4,5]。而Si3N4-AMB覆銅基板則是利用活性金屬元素(Ti、Zr、Ta、Nb、V、Hf等)可以潤濕陶瓷表面的特性，將銅層通過活性金屬釬料釬焊在Si3N4陶

2022-09-13 http://m.xphdx.cn/Article/danhuagui(Si3N4)-AMB.html
[行業(yè)動態(tài)]鋁碳化硅基板為何在IGBT底板應(yīng)用備受歡迎

鋁碳化硅基板為何在IGBT底板應(yīng)用備受歡迎IGBT模塊中的底板發(fā)揮著形成導(dǎo)熱通道、保證導(dǎo)熱性能、增強模塊機械性能的作用。底板材料一般用銅或者鋁基碳化硅（AlSiC），鋁碳化硅基板哪些優(yōu)勢適應(yīng)了IGBT底板的要求呢？一，什么是鋁碳化硅基板（AlSiC），有什么性能特點鋁碳化硅（AlSiC）是鋁基碳化硅顆粒增強復(fù)合材料的簡稱，又稱碳化硅鋁或鋁硅碳。鋁碳化硅早期應(yīng)用于美軍機雷達(dá)芯片襯底，用于替代鎢銅；替代后散熱效果優(yōu)異，并且使雷達(dá)整體減重10公斤，這使AlSiC材料得到了重視。二，鋁碳化硅基板有以下核心優(yōu)勢1) AlSiC具有高導(dǎo)熱率（170～200W/mK），是一般封裝材料的十倍，可將芯片產(chǎn)生的熱量及時散發(fā)，提高整個元器件的可靠性和穩(wěn)定性。2）AlSiC是復(fù)合

2022-09-06 http://m.xphdx.cn/Article/lvtanhuaguijibanweihe.html
[常見問題]amb陶瓷基板用在什么地方

amb陶瓷基板用在什么地方 amb陶瓷基板是活性釬焊工藝陶瓷基板，具有高熱導(dǎo)率、耐高溫、較低的熱膨脹系數(shù)、高的機械強度、耐腐蝕以及絕緣性好、抗輻射的優(yōu)點。在電子器件封裝中得到廣泛應(yīng)用，適應(yīng)半導(dǎo)體器件不斷走向大功率，小型化，集成化和多功能方面前進(jìn)。Amb技術(shù)的優(yōu)勢AMB技術(shù)是在DBC（直接覆銅法）技術(shù)的基礎(chǔ)上發(fā)展而來的。相比于傳統(tǒng)的DBC基板，采用AMB工藝制備的陶瓷基板，不僅具有更高的熱導(dǎo)率、更好的銅層結(jié)合力，而且還有熱阻更小、可靠性更高等優(yōu)勢。Amb陶瓷基板有哪些陶瓷材料根據(jù)陶瓷材質(zhì)的不同，目前成熟應(yīng)用的AMB陶瓷基板可分為：氧化鋁、氮化鋁和氮化硅基板。氧化鋁amb陶瓷基板考慮到導(dǎo)熱系數(shù)不高，散熱能力有限，但是成本較低，一般用于

2022-07-16 http://m.xphdx.cn/Article/ambtaocijibanyongzai.html
[行業(yè)動態(tài)]氮化硅陶瓷基板應(yīng)力新的發(fā)展前景

氮化硅陶瓷基板應(yīng)力新的發(fā)展前景最近幾年，氮化鎵、碳化硅等第三代半導(dǎo)體材料在我國得到了大力發(fā)展，要使用第三代半導(dǎo)體材料生產(chǎn)出大功率半導(dǎo)體器件，如果沒有功率集成電路陶瓷基板，半導(dǎo)體器件的散熱效果將會大大降低、降低該器件的使用效果。陶瓷基板性能以及各類陶瓷基板性能參數(shù)對比：由于陶瓷基板具有延展性低和韌性低、耐高溫；較高的氣密性，可隔離水汽、氧氣和灰塵等特點，被廣泛應(yīng)用到功率集成電路中。目前應(yīng)用于陶瓷基板的陶瓷材料主要有:氧化鈹(BeO)、氧化鋁(Al2O3)、氮化鋁(AlN)、氮化硅(Si3N4)和碳化硅(SiC)等。無論是高鐵、新能源汽車、高端機床、風(fēng)力、光伏逆變，還是高端手機、消費電子以及各種自動化設(shè)備都需要電子電力集成電路進(jìn)行驅(qū)動，這是一個超千億級的大市場。在這個超級大市場中，功

2022-03-21 http://m.xphdx.cn/Article/danhuaguitaocijibany.html
[常見問題]氮化硅覆銅板需要檢測哪些性能

氮化硅覆銅板需要檢測哪些性能氮化硅陶瓷覆銅板材質(zhì)是氮化硅陶瓷基片，工藝是AMB活性釬焊工藝，氮化硅陶瓷覆銅板具有高強度性、高導(dǎo)熱性、高銅層結(jié)合力、高熱循環(huán)性性能優(yōu)勢。檢測氮化硅覆銅板一般從這幾項核心性能檢測開始。一，檢測氮化硅覆銅板高強度性能氮化硅覆銅板基材晶體是Si3N4，是一種共價鍵化合物，是結(jié)構(gòu)非常堅固的網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)，具備高強度特征。氮化硅覆銅板的高強度性體現(xiàn)在抗彎強度，經(jīng)過檢測抗彎強度在700MPa以上，則說明強度較高，復(fù)合要求。二，檢測氮化硅覆銅板導(dǎo)熱性氮化硅覆銅板導(dǎo)熱性，比氮化鋁覆銅板導(dǎo)熱低一些，導(dǎo)熱系數(shù)在85W~95W之間，耐高溫1300度以上。三，檢測氮化硅覆銅板銅層結(jié)合力氮化硅覆銅板銅層結(jié)合力比較高，經(jīng)過AMB工藝制作的氮化硅陶瓷覆銅板銅層結(jié)合力在28N/mm以上。四，檢

2022-03-21 http://m.xphdx.cn/Article/danhuaguifutongbanxu.html
[常見問題]氮化硅基板與氮化鋁、氧化鋁基板對比差異

氮化硅基板與氮化鋁、氧化鋁基板對比差異氮化硅基板、氮化鋁基板、氧化鋁基板都是陶瓷基板，在散熱性、絕緣性、導(dǎo)熱性都很不錯，在各大需要散熱、絕緣、高頻等領(lǐng)域產(chǎn)品發(fā)揮了非常重要的左右，尤其是對汽車電子、消費電子、電力、通訊、交通軌道、醫(yī)療、半導(dǎo)體、LED等領(lǐng)域作用非常大，那么氮化硅基板與氮化鋁、氧化鋁基板對比有什么差異呢？一，首先是氮化硅基板與氮化鋁、氧化鋁基板材料和性能不同可以看出氮化鋁基板導(dǎo)熱性最突出；氮化硅陶瓷基板高強度要更高，更耐壓；氧化鋁陶瓷基板介電常數(shù)最高，氮化硅基板介電損耗最低，熱膨脹系數(shù)氮化硅基最低。二，氮化硅基板與氮化鋁、氧化鋁基板市場應(yīng)用不同基于氮化硅基板與氮化鋁、氧化鋁基板特性不同，應(yīng)用領(lǐng)域有所不同，氮化鋁基板導(dǎo)熱性非常高

2022-01-18 http://m.xphdx.cn/Article/danhuaguijibanyudanh.html
[行業(yè)動態(tài)]AMB基板將成為大功率IGBT和第三代半導(dǎo)體模塊封裝核心需求

大功率IGBT和第三代半導(dǎo)體封裝基板是用DBC基板好呢還是用AMB基板好，AMB基板具有更好導(dǎo)熱性能的同時，熱循環(huán)非常好，熱阻小，可以成載更大電流和電壓等。未來amb陶瓷基板將成為大功率IGTB和第三代半導(dǎo)體模塊封裝基板的“香餑餑”。

2022-01-06 http://m.xphdx.cn/Article/AMBjibanjiangchengwe.html
[常見問題]AMB陶瓷覆銅基板剝離強度怎么樣

AMB陶瓷覆銅基板經(jīng)過活性釬焊工藝制作，銅層的附著力也叫結(jié)合力通常是用剝離強度來體現(xiàn)的。那么AMB陶瓷覆銅基板剝離強度是不是要比DBC陶瓷覆銅基板的要強，我們通過測試數(shù)據(jù)來看看AMB陶瓷覆銅基板的剝離強度數(shù)據(jù)。

2022-01-05 http://m.xphdx.cn/Article/AMBtaocifutongjibanb.html