氮化硅基板與氮化鋁、氧化鋁基板對比差異

 氮化硅基板、氮化鋁基板、氧化鋁基板都是陶瓷基板，在散熱性、絕緣性、導熱性都很不錯，在各大需要散熱、絕緣、高頻等領域產品發(fā)揮了非常重要的左右，尤其是對汽車電子、消費電子、電力、通訊、交通軌道、醫(yī)療、半導體、LED等領域作用非常大，那么氮化硅基板與氮化鋁、氧化鋁基板對比有什么差異呢？

 一，首先是氮化硅基板與氮化鋁、氧化鋁基板材料和性能不同

       可以看出氮化鋁基板導熱性最突出；氮化硅陶瓷基板高強度要更高，更耐壓；氧化鋁陶瓷基板介電常數最高，氮化硅基板介電損耗最低，熱膨脹系數氮化硅基最低。

 二，氮化硅基板與氮化鋁、氧化鋁基板市場應用不同

       基于氮化硅基板與氮化鋁、氧化鋁基板特性不同，應用領域有所不同，氮化鋁基板導熱性非常高比較適應與高導熱、高絕緣性和大電流產品領域，比如高功率導熱器件、led大功率模組、激光領域，電源產品等等；氮化硅基板一方面高強度、導熱良好、熱膨脹系數與硅接近，耐壓性強，被應用到IGBT載板、電力、第三代半導體、汽車逆變器，減速器等電子等產品領域；氧化鋁陶瓷基板導熱性和絕緣性也都比較好，性價比最高，在傳感器、制冷片、導流片、LED照明等散熱和導熱有要求的產品領域，可以有效的彌補過去鋁基板和銅基板的不足，同時節(jié)省成本。

  三，氮化硅基板與氮化鋁、氧化鋁基板制作工藝略有不同

 材料不同，性能不同了，制作工藝有所不同。氧化鋁、氮化鋁、都可以采用DPC、DBC制作工藝，但是采用AMB工藝適用氮化硅、氮化鋁、增韌氧化鋁陶瓷基板；LTCC和HTCC工藝多采用氮化鋁陶瓷基板來做，是因為氮化鋁陶瓷基板耐性和導熱性突出，經過LTCC工藝后適用于高頻通訊產品，氮化鋁陶瓷基板經過HTCC高溫燒結工藝導熱性更強。

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