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[行業(yè)動態(tài)]高功率電子器件散熱的關(guān)鍵：氮化鋁與氮化硅陶瓷基板

隨著電子芯片技術(shù)的飛速發(fā)展，其綜合性能不斷提升，尺寸卻日益微型化。然而，這一進(jìn)步也帶來了新的挑戰(zhàn)——芯片工作時產(chǎn)生的熱流密度急劇增加。對于電子器件而言，溫度每升高10℃，其有效壽命可能會降低30%到50%

2025-07-03 http://m.xphdx.cn/Article/gaogonglvdianziqijia.html
[行業(yè)動態(tài)]氮化硅AMB陶瓷覆銅基板界面空洞率的關(guān)鍵技術(shù)與工藝探索

在現(xiàn)代電子封裝領(lǐng)域，氮化硅（Si?N?）AMB陶瓷覆銅基板憑借其卓越的熱導(dǎo)率、低熱膨脹系數(shù)以及優(yōu)異的電氣絕緣性能，逐漸成為高端電子設(shè)備的關(guān)鍵材料。然而，銅/陶瓷界面的空洞率問題卻成為了制約其產(chǎn)品可靠性的核心瓶頸。高空洞率區(qū)域不僅會導(dǎo)致界面剝離強(qiáng)度顯著下降，還可能引發(fā)局部放電隱患，嚴(yán)重?fù)p害基板的電氣性能與長期服役可靠性，尤其是在高溫、大電流等嚴(yán)苛工況下。因此，將界面空洞率降至最低，甚至趨近于零，已成為保障基板質(zhì)量的關(guān)鍵目標(biāo)，下面由深圳金瑞欣小編來講解一下：空洞成因的深度解析1、原料表面瑕疵陶瓷、無氧銅及焊片表面的劃痕、凹坑、氧化或有機(jī)污染等問題，猶如隱形的“陷阱”，阻礙了焊料的潤濕鋪展，為界面空洞的形成埋下了隱患。這些微小的瑕疵在焊接過程中可能會導(dǎo)致焊料無法充分覆蓋，從而形成空洞。2、活性元素失活焊料中的關(guān)鍵活性

2025-07-01 http://m.xphdx.cn/Article/danhuaguiAMBtaocifut.html
[行業(yè)動態(tài)]氮化鋁陶瓷基板：破解高熱導(dǎo)率散熱材料的制備難題

在半導(dǎo)體功率器件、5G通信和新能源汽車等高新科技領(lǐng)域，高效散熱材料的需求日益迫切。而氮化鋁（AlN）粉體及其陶瓷基板，憑借其卓越的高熱導(dǎo)率等特性，正逐漸成為破解這一難題的“金鑰匙”

2025-06-28 http://m.xphdx.cn/Article/danhualvtaocijibanpo.html
[行業(yè)動態(tài)]國產(chǎn)AMB陶瓷基板突破封鎖：高端電子材料的逆襲之路

在功率電子領(lǐng)域，高性能陶瓷基板堪稱“芯片的骨骼”，其性能直接決定了IGBT、SiC等功率器件的可靠性與壽命。近年來，隨著新能源汽車、光伏、5G通信等產(chǎn)業(yè)的爆發(fā)，活性金屬釬焊AMB陶瓷覆銅基板因其卓越的散熱性、高結(jié)合強(qiáng)度和耐高溫性能，成為行業(yè)關(guān)鍵材料

2025-06-26 http://m.xphdx.cn/Article/guochanAMBtaocijiban.html
[行業(yè)動態(tài)]LED散熱基板的三大類型及其發(fā)展趨勢

在當(dāng)今的LED產(chǎn)業(yè)中，提升發(fā)光效率的關(guān)鍵在于有效降低LED晶粒散熱基板的熱阻。散熱基板的性能直接影響著LED產(chǎn)品的發(fā)光效率和使用壽命。目前，LED陶瓷基板主要分為三種類型：低溫共燒多層陶瓷、厚膜陶瓷基板和薄膜陶瓷基板。

2025-06-14 http://m.xphdx.cn/Article/LEDsanrejibandesanda.html
[行業(yè)動態(tài)]陶瓷覆銅基板剝離強(qiáng)度測試與性能分析

AMB陶瓷覆銅基板作為一種高性能的電子封裝材料，其銅層與陶瓷基板之間的結(jié)合強(qiáng)度是衡量其質(zhì)量的關(guān)鍵指標(biāo)之一。剝離強(qiáng)度作為表征結(jié)合強(qiáng)度的重要參數(shù)，能夠直觀地反映銅層與陶瓷之間的附著力。

2025-06-10 http://m.xphdx.cn/Article/taocifutongjibanbaol.html
[行業(yè)動態(tài)]氮化鋁基板加工：技術(shù)與應(yīng)用的深度剖析

在高端電子器件和功率模塊快速發(fā)展的今天，散熱問題已成為制約設(shè)備性能提升的關(guān)鍵瓶頸。氮化鋁（AlN）陶瓷基板憑借其卓越的熱導(dǎo)率和優(yōu)異的熱-機(jī)-電綜合性能，正逐漸成為高功率密度電子封裝的首選材料。

2025-06-05 http://m.xphdx.cn/Article/danhualvjibanjiagong.html
[行業(yè)動態(tài)]Bosch Research通過3D打印技術(shù)制造陶瓷覆銅基板

電力電子器件采用雙面覆銅陶瓷基板，傳統(tǒng)制造和處理功能結(jié)構(gòu)的方法復(fù)雜且昂貴。尤其是由于功能結(jié)構(gòu)較小，使用貼裝工藝來制造和處理這些結(jié)構(gòu)的成本高昂且過程復(fù)雜。此外，功能結(jié)構(gòu)與基板的連接需要額外的制造和連接工藝，例如燒結(jié)，這些工藝可能在功能結(jié)構(gòu)和基板之間產(chǎn)生熱阻。

2024-08-13 http://m.xphdx.cn/Article/BoschResearchtongguo.html
[行業(yè)動態(tài)]銀銅鈦 (AgCuTi) 為何在IGBT上應(yīng)用

隨著我國新能源汽車、高鐵、城市軌道交通以及智能電網(wǎng)的高速發(fā)展，對高壓大功率IGBT模塊的需求日益增長。相較于其他應(yīng)用領(lǐng)域，車規(guī)級 IGBT模塊對產(chǎn)品安全、可靠性提出耐高溫、散熱性優(yōu)、工作溫度范圍廣、使用壽命長等更高要求。據(jù)報道，約70%的IGBT模塊失效歸因于散熱不良引起的鍵合線剝離或熔斷。芯片的散熱主要通過IGBT模塊中的陶瓷基板來實現(xiàn)，其作用是吸收芯片的產(chǎn)熱并傳導(dǎo)至熱沉上，從而實現(xiàn)芯片與外界之間的熱交換。閱讀本文前，歡迎識別二維碼加入艾邦I(lǐng)GBT/SiC產(chǎn)業(yè)鏈交流群。

2024-03-11 http://m.xphdx.cn/Article/yintong(AgCuTi)weihe.html
[行業(yè)動態(tài)]陶瓷覆銅基板抗彎強(qiáng)度介紹

陶瓷材料的彎曲強(qiáng)度是金屬化陶瓷基板的一項重要性能，因為它在裝配過程中影響到基板的可靠性和強(qiáng)度。彎曲強(qiáng)度通常表征為陶瓷對拉伸強(qiáng)度的阻力。這取決于陶瓷材料和材料中宏觀缺陷的類型、分布以及測量、評估方法。

2023-12-15 http://m.xphdx.cn/Article/taocifutongjibankang.html
[行業(yè)動態(tài)]Si3N4-AMB陶瓷基板的應(yīng)用

功率電子器件在電力存儲，電力輸送，電動汽車，電力機(jī)車等眾多工業(yè)領(lǐng)域得到越來越廣泛的應(yīng)用。隨著功率電子器件本身不斷的大功率化和高集成化，芯片在工作過程中將會產(chǎn)生大量的熱。如果這些熱量不能及時有效地發(fā)散出去，功率電子器件的工作性能將會受到影響，嚴(yán)重的話，功率電子器件本身會被破損。這就要求擔(dān)負(fù)絕緣和散熱功能的陶瓷基板必須具備卓越的機(jī)械性能和導(dǎo)熱性能。由于氮化硅（Si3N4）陶瓷的高導(dǎo)熱性、抗熱震性及在高溫中良好的機(jī)械性能，Si3N4-AMB陶瓷基板備受矚目。

2023-11-15 http://m.xphdx.cn/Article/Si3N4-AMBtaocijiband.html
[行業(yè)動態(tài)]IGBT模塊中不同金屬化方法覆銅氮化鋁陶瓷基板的可靠性研究

針對氮化鋁陶瓷基板的IGBT應(yīng)用展開分析，著重對不同金屬化方法制備的覆銅AlN基板進(jìn)行可靠性進(jìn)行研究。通過對比厚膜法、薄膜法、直接覆銅法和活性金屬釬焊法金屬化AlN基板的剝離強(qiáng)度、熱循環(huán)、功率循環(huán)，分析結(jié)果可知，活性金屬釬焊法制備的AlN覆銅基板優(yōu)于其他工藝基板，剝離強(qiáng)度25 MPa，（-40 ~150）℃熱循環(huán)達(dá)到1 500次，能耐1 200 A/3.3 kV功率循環(huán)測試7萬次，滿足IGBT模塊對陶瓷基板可靠性需求。

2023-09-15 http://m.xphdx.cn/Article/IGBTmokuaizhongbuton.html
[行業(yè)動態(tài)]Si3N4-AMB陶瓷基板在高功率半導(dǎo)體器件中的應(yīng)用

功率電子器件在電力存儲，電力輸送，電動汽車，電力機(jī)車等眾多工業(yè)領(lǐng)域得到越來越廣泛的應(yīng)用。隨著功率電子器件本身不斷的大功率化和高集成化，芯片在工作過程中將會產(chǎn)生大量的熱。如果這些熱量不能及時有效地發(fā)散出去，功率電子器件的工作性能將會受到影響，嚴(yán)重的話，功率電子器件本身會被破損。這就要求擔(dān)負(fù)絕緣和散熱功能的陶瓷基板必須具備卓越的機(jī)械性能和導(dǎo)熱性能。由于氮化硅（Si3N4）陶瓷的高導(dǎo)熱性、抗熱震性及在高溫中良好的機(jī)械性能，Si3N4-AMB陶瓷基板備受矚目。

2023-08-28 http://m.xphdx.cn/Article/Si3N4-AMBtaocijibanz.html
[行業(yè)動態(tài)]陶瓷基板的現(xiàn)狀及發(fā)展淺析

陶瓷材料在電子工業(yè)中扮演著重要的角色，其電阻高，高頻特性突出，且具有熱導(dǎo)率高、化學(xué)穩(wěn)定性佳、熱穩(wěn)定性和熔點高等優(yōu)點。在電子線路的設(shè)計和制造非常需要這些的性能，因此陶瓷被廣泛用于不同厚膜、薄膜或和電路的基板材料，還可以用作絕緣體，在熱性能要求苛刻的電路中做導(dǎo)熱通路以及用來制造各種電子元件，廣泛應(yīng)用于功率電子、電子封裝、混合微電子與多芯片模塊等領(lǐng)域。

2023-07-28 http://m.xphdx.cn/Article/taocijibandexianzhua.html
[行業(yè)動態(tài)]DBC直接鍵合陶瓷基板特性及應(yīng)用

現(xiàn)代微電子技術(shù)發(fā)展迅猛,芯片功率及模塊功率密度大大升高,電子元件和系統(tǒng)工作熱耗散顯著增加。陶瓷覆銅基板具有優(yōu)異的導(dǎo)熱性、絕緣性、機(jī)械性能，廣泛應(yīng)用于功率電子、電子封裝、混合微電子與多芯片模塊等領(lǐng)域。

2023-07-26 http://m.xphdx.cn/Article/DBCzhijiejianhetaoci.html
[行業(yè)動態(tài)]陶瓷基板工藝簡介

在電子陶瓷封裝中，陶瓷基板除了為電路和芯片提供結(jié)構(gòu)支撐和電氣互連，還必須為其提供良好的熱處理以確保正常工作。

2023-07-17 http://m.xphdx.cn/Article/taocijibangongyijian.html
[行業(yè)動態(tài)]大功率IGBT功率模塊用氮化鋁覆銅基板

隨著高速鐵路、城市軌道交通、新能源汽車、智能電網(wǎng)和風(fēng)能發(fā)電等行業(yè)發(fā)展，對于高壓大功率IGBT模塊的需求迫切且數(shù)量巨大。由于高壓大功率IGBT模塊技術(shù)門檻較高，難度較大，特別是要求封裝材料散熱性能更好、可靠性更高、載流量更大。高壓大功率IGBT模塊所產(chǎn)生的熱量主要是通過陶瓷覆銅板傳導(dǎo)到外殼而散發(fā)出去的，因此陶瓷覆銅板是電力電子領(lǐng)域功率模塊封裝的不可或缺的關(guān)鍵基礎(chǔ)材料。

2023-04-17 http://m.xphdx.cn/Article/dagonglvIGBTgonglvmo.html
[行業(yè)動態(tài)]碳化硅陶瓷基板（SiC）對新能源汽車能帶來哪些有利影響

碳化硅陶瓷基板（SiC）對新能源汽車能帶來哪些有利影響在近兩年技術(shù)產(chǎn)品發(fā)布上，“SiC（碳化硅陶瓷基板）”成為了所有零部件供應(yīng)商和主機(jī)廠經(jīng)常提起的明星產(chǎn)品。汽車動力系統(tǒng)在發(fā)生三大變化，動力來源從內(nèi)燃機(jī)演變?yōu)殡妱訖C(jī)，功率半導(dǎo)體材料從硅轉(zhuǎn)向碳化硅，電壓平臺從400V升級到800V。相比硅基IGBT，SiC器件體積更小、功率密度高、耐壓強(qiáng)，應(yīng)用在800V平臺中能夠產(chǎn)生更高的系統(tǒng)優(yōu)勢，可以達(dá)到充電快和續(xù)航里程遠(yuǎn)的綜合效益。在碳化硅陶瓷基板（SiC）方面，第一個吃螃蟹的人是特斯拉。2018年，Model 3 為第一款采用全 SiC 功率模塊電機(jī)控制器的純電動汽車，開創(chuàng)碳化硅陶瓷基板應(yīng)用的先河?；?IGBT 的諸多優(yōu)勢，在 Model 3 問世之前，市面上的新能源車均采用 I

2022-10-27 http://m.xphdx.cn/Article/tanhuaguitaocijibanSi.html
[常見問題]多種基板對比!氮化鋁陶瓷基板在LED散熱中勝出

多種基板對比--氮化鋁陶瓷基板在LED散熱中勝出功率型LED封裝技術(shù)發(fā)展至今，可供選用的散熱基板包括環(huán)氧樹脂覆銅基板、金屬基覆銅基板、金屬基復(fù)合基板、陶瓷覆銅基板等。那么今天小編就來對比一下哪種基板在LED散熱中勝出，更受歡迎。LED封裝不斷向著高效率、高密度、大功率方向發(fā)展，對基板的散熱能力、載流能力、絕緣性能提出了更高的要求。以下分享一下環(huán)氧樹脂覆銅基板、金屬基覆銅基板、金屬基復(fù)合基板、陶瓷覆銅基板的優(yōu)劣看看哪種更適合LED功率器件。1，環(huán)氧樹脂覆銅基板環(huán)氧樹脂覆銅基板是傳統(tǒng)電子封裝中應(yīng)用最廣泛的基板。它起到支撐、導(dǎo)電和絕緣三個作用。其主要特性有：成本低、較高的耐吸濕性、密度低、易加工、易實現(xiàn)微細(xì)圖形電路、適合大規(guī)模生產(chǎn)等。但由于FR－4的基底材料

2022-10-27 http://m.xphdx.cn/Article/duozhongjibanduibi.html
[常見問題]氮化硅陶瓷基板金屬化

氮化硅陶瓷基板金屬化氮化硅陶瓷基板機(jī)械性能非常好，硬度強(qiáng)，耐磨損，導(dǎo)熱系數(shù)在85w~90w，在一些需要較強(qiáng)硬度和導(dǎo)熱性的產(chǎn)品領(lǐng)域被備受歡迎。比如汽車減振器的載板、交通軌道，IGTB載板、第三代半導(dǎo)體等。既能作為載板起到散熱很支持的作用，又能實現(xiàn)線路層互連，起到良好的電氣性能作用，那么就需要在氮化硅陶瓷基板做金屬化工藝。一，什么是氮化硅陶瓷基板金屬化氮化硅陶瓷基板金屬化，是在陶瓷基表面覆銅、或者做其他金屬。目前最常見的就是覆銅。氮化硅陶瓷基板金屬化后，通過線路、金屬孔等可以實現(xiàn)層級互連作用。二，氮化硅陶瓷基板金屬化技術(shù)-AMB工藝氮化硅陶瓷基板金屬化技術(shù)多采用AMB工藝，AMB技術(shù)是指，在800℃左右的高溫下，含有活性元素Ti、Zr的AgCu焊料在陶瓷和金屬的界面潤濕并反

2022-10-18 http://m.xphdx.cn/Article/danhuaguitaocijibanj.html

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[行業(yè)動態(tài)]高功率電子器件散熱的關(guān)鍵：氮化鋁與氮化硅陶瓷基板

[行業(yè)動態(tài)]氮化硅AMB陶瓷覆銅基板界面空洞率的關(guān)鍵技術(shù)與工藝探索

[行業(yè)動態(tài)]氮化鋁陶瓷基板：破解高熱導(dǎo)率散熱材料的制備難題

[行業(yè)動態(tài)]國產(chǎn)AMB陶瓷基板突破封鎖：高端電子材料的逆襲之路

[行業(yè)動態(tài)]LED散熱基板的三大類型及其發(fā)展趨勢

[行業(yè)動態(tài)]陶瓷覆銅基板剝離強(qiáng)度測試與性能分析

[行業(yè)動態(tài)]氮化鋁基板加工：技術(shù)與應(yīng)用的深度剖析

[行業(yè)動態(tài)]Bosch Research通過3D打印技術(shù)制造陶瓷覆銅基板

[行業(yè)動態(tài)]銀銅鈦 (AgCuTi) 為何在IGBT上應(yīng)用

[行業(yè)動態(tài)]陶瓷覆銅基板抗彎強(qiáng)度介紹

[行業(yè)動態(tài)]Si3N4-AMB陶瓷基板的應(yīng)用

[行業(yè)動態(tài)]IGBT模塊中不同金屬化方法覆銅氮化鋁陶瓷基板的可靠性研究

[行業(yè)動態(tài)]Si3N4-AMB陶瓷基板在高功率半導(dǎo)體器件中的應(yīng)用

[行業(yè)動態(tài)]陶瓷基板的現(xiàn)狀及發(fā)展淺析

[行業(yè)動態(tài)]DBC直接鍵合陶瓷基板特性及應(yīng)用

[行業(yè)動態(tài)]陶瓷基板工藝簡介

[行業(yè)動態(tài)]大功率IGBT功率模塊用氮化鋁覆銅基板

[行業(yè)動態(tài)]碳化硅陶瓷基板（SiC）對新能源汽車能帶來哪些有利影響

[常見問題]多種基板對比!氮化鋁陶瓷基板在LED散熱中勝出

[常見問題]氮化硅陶瓷基板金屬化