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[行業(yè)動態(tài)]電子封裝用陶瓷基板材料及其制備工藝

陶瓷基板由于其良好的導(dǎo)熱性、耐熱性、絕緣性、低熱膨脹系數(shù)和成本的不斷降低，在電子封裝特別是功率電子器件如IGBT（絕緣柵雙極晶體管）、LD（激光二極管）、大功率LED（發(fā)光二極管）、CPV（聚焦型光伏）封裝中的應(yīng)用越來越廣泛。

2023-05-04 http://m.xphdx.cn/Article/dianzifengzhuangyong.html
[行業(yè)動態(tài)]工業(yè)、EV、軌道交通用IGBT模塊的選材及封裝工藝對比

IGBT的應(yīng)用領(lǐng)域很廣，如工業(yè)領(lǐng)域中的變頻器,軌道交通領(lǐng)域的高鐵、地鐵、輕軌,新能源領(lǐng)域的新能源汽車、風(fēng)力發(fā)電等。根據(jù)工作環(huán)境的電壓不同，IGBT可以分為低壓（600V以下）、中壓（600V-1200V）、高壓（1700V-6500V），各電壓等級IGBT應(yīng)用領(lǐng)域各不相同，例如高壓高電流密度 IGBT 應(yīng)用于軌道交通與電網(wǎng)，中低壓IGBT應(yīng)用于新能源電動汽車（EV）。

2023-04-26 http://m.xphdx.cn/Article/gongyeEVguidaojiaoto.html
[行業(yè)動態(tài)]激光技術(shù)在陶瓷基板領(lǐng)域的應(yīng)用

陶瓷基板具有優(yōu)良電絕緣性能，高導(dǎo)熱特性，可靠性高，高頻特性好，熱膨脹系數(shù)小等優(yōu)點，已成為大功率電力電子電路結(jié)構(gòu)技術(shù)和互連技術(shù)的基礎(chǔ)材料。常用的電子封裝陶瓷基板材料有氧化鋁（Al2O3）、氮化鋁（AlN）、氮化硅（Si3N4）等。

2023-04-24 http://m.xphdx.cn/Article/jiguangjishuzaitaoci.html
[行業(yè)動態(tài)]陶瓷基板在半導(dǎo)體制冷器中的應(yīng)用

半導(dǎo)體制冷技術(shù)的研究起源于上世紀(jì)50年代，是一門以熱電制冷材料為基礎(chǔ)的新興制冷技術(shù)，作為半導(dǎo)體制冷技術(shù)的核心部件，半導(dǎo)體熱電制冷器件能讓高集成度電子元器件的工作溫度迅速下降，因而應(yīng)用十分廣泛。陶瓷基板在半導(dǎo)體制冷器件中起到了關(guān)鍵的作用，下面我們就從什么是半導(dǎo)體制冷器開始說起，為大家介紹陶瓷基板在其中的應(yīng)用。

2023-04-18 http://m.xphdx.cn/Article/taocijibanbandaoti.html
[行業(yè)動態(tài)]大功率IGBT功率模塊用氮化鋁覆銅基板

隨著高速鐵路、城市軌道交通、新能源汽車、智能電網(wǎng)和風(fēng)能發(fā)電等行業(yè)發(fā)展，對于高壓大功率IGBT模塊的需求迫切且數(shù)量巨大。由于高壓大功率IGBT模塊技術(shù)門檻較高，難度較大，特別是要求封裝材料散熱性能更好、可靠性更高、載流量更大。高壓大功率IGBT模塊所產(chǎn)生的熱量主要是通過陶瓷覆銅板傳導(dǎo)到外殼而散發(fā)出去的，因此陶瓷覆銅板是電力電子領(lǐng)域功率模塊封裝的不可或缺的關(guān)鍵基礎(chǔ)材料。

2023-04-17 http://m.xphdx.cn/Article/dagonglvIGBTgonglvmo.html
[行業(yè)動態(tài)]電子封裝陶瓷基板如何進(jìn)行表面修飾？

以氧化鋁、氮化鋁、氮化硅為主流的陶瓷基板是當(dāng)下電子封裝領(lǐng)域不可或缺的基礎(chǔ)材料，它們既是芯片和阻容元件的承載體，實現(xiàn)導(dǎo)電和互連的功能，也是芯片的保護(hù)體，發(fā)揮著抵御服役環(huán)境應(yīng)力沖擊及濕熱腐蝕的作用。其具有的與芯片熱膨脹系數(shù)匹配、耐高溫、耐腐蝕、散熱能力強(qiáng)、介電常數(shù)小、化學(xué)性質(zhì)穩(wěn)定、結(jié)構(gòu)致密、絕緣性好、成本低廉、適合大規(guī)模生產(chǎn)等優(yōu)點，在快速發(fā)展的高可靠電子封裝領(lǐng)域有著進(jìn)一步提升適應(yīng)性的潛力。

2023-04-10 http://m.xphdx.cn/Article/taocijibanbmxs.html
[常見問題]銅基板和陶瓷基板有什么區(qū)別呢？

銅基板陶瓷基板都是具有電氣性能的電路板，都使用在高頻和高溫產(chǎn)品領(lǐng)域，但是陶瓷基板銅基板有什么區(qū)別呢...

2023-04-07 http://m.xphdx.cn/Article/tongjibantaocijibany.html
[行業(yè)動態(tài)]氮化鋁（AlN?）陶瓷基板的制備工藝

氮化鋁陶瓷具備優(yōu)異的綜合性能，是近年來受到廣泛關(guān)注的新一代先進(jìn)陶瓷，具有高熱導(dǎo)率、低介電常數(shù)、低介電損耗、優(yōu)良的電絕緣性，與硅相匹配的熱膨脹系數(shù)及無毒性等優(yōu)點，使其成為高密度、大功率和高速集成電路基板和封裝的理想材料。

2023-03-31 http://m.xphdx.cn/Article/danhualvAlNtaocijiba.html
[行業(yè)動態(tài)]規(guī)模達(dá)84億美元的IGBT要用哪些陶瓷基板

IGBT是現(xiàn)代電力電子器件中的主導(dǎo)型器件，是國際上公認(rèn)的電力電子技術(shù)第三次革命最具代表性的產(chǎn)品。IGBT是能源變換與傳輸?shù)暮诵钠骷軌蚋鶕?jù)信號指令來調(diào)節(jié)電路中的電壓、電流、頻率、相位等，廣泛應(yīng)用軌道交通、智能電網(wǎng)、航空航天、電動汽車與新能源裝備等領(lǐng)域，可想而知它有多么重要

2023-03-28 http://m.xphdx.cn/Article/guimoda84yimeiyuande.html
[行業(yè)動態(tài)]氮化鋁HTCC基板的特點及應(yīng)用

氮化鋁（AlN）陶瓷具有高熱導(dǎo)率、低介電常數(shù)、高強(qiáng)度、高硬度、無毒性、熱膨脹系數(shù)與Si相近等良好的物理性能，且具有優(yōu)異的化學(xué)穩(wěn)定性和耐腐蝕性能，采用氮化鋁作為介質(zhì)隔離材料制備的AlN多層布線共燒基板，是大功率模塊、大規(guī)模集成電路的理想散熱和封裝材料。

2023-03-27 http://m.xphdx.cn/Article/danhualvHTCCjibandet.html
[行業(yè)動態(tài)]AMB Si3N4 陶瓷基板在高功率半導(dǎo)體器件中的應(yīng)用

功率電子器件在電力存儲，電力輸送，電動汽車，電力機(jī)車等眾多工業(yè)領(lǐng)域得到越來越廣泛的應(yīng)用。隨著功率電子器件本身不斷的大功率化和高集成化，芯片在工作過程中將會產(chǎn)生大量的熱。如果這些熱量不能及時有效地發(fā)散出去，功率電子器件的工作性能將會受到影響，嚴(yán)重的話，功率電子器件本身會被破損。這就要求擔(dān)負(fù)絕緣和散熱功能的陶瓷基板必須具備卓越的機(jī)械性能和導(dǎo)熱性能。由于氮化硅（Si3N4）陶瓷的高導(dǎo)熱性、抗熱震性及在高溫中良好的機(jī)械性能，AMB Si3N4陶瓷基板備受矚目。1、Si3N4 為何要用AMB工藝目前功率半導(dǎo)體器件所用的陶瓷基板多為DBC（Direct Bond Copper，直接覆銅）工藝，Al2O3與ZTA等氧化物陶瓷以及AlN可使用DBC技術(shù)與銅接合：將無氧銅經(jīng)熱氧化或化學(xué)氧化制程于表面產(chǎn)生一Cu2O層，于1065~

2023-03-22 http://m.xphdx.cn/Article/AMBSi3N4taocijibanza.html
[行業(yè)動態(tài)]IGBT模塊構(gòu)成各部件的材料

目前，功率器件和模塊主要采用引線鍵合的互連工藝和平面封裝結(jié)構(gòu)。圖1為普通IGBT模塊的結(jié)構(gòu)示意圖。從上圖可以看出，IGBT模塊共由7層結(jié)構(gòu)構(gòu)成，大致可以分成三部分：芯片、DBC和散熱基板。每部分之間由焊錫連接而成。IGBT是在晶閘管的基礎(chǔ)上發(fā)展而來，但與傳統(tǒng)的晶閘管相比，IGBT模塊省去了內(nèi)部的陰極和陽極金屬層，分別由芯片表面引出的焊線及DBC上層銅板代替。除此之外，原先的鎳金屬緩沖層也被去掉了，其代價是單個IGBT芯片的容量減少。為了彌補(bǔ)這一缺陷，需要在DBC板上安置更多的IGBT芯片。IGBT模塊是由不同的材料層構(gòu)成，如金屬、陶瓷以及高分子聚合物以及填充在模塊內(nèi)部用來改善器件相關(guān)熱性能的硅膠。它們的熱膨脹系數(shù)以及熱導(dǎo)率存在很大的差異，在器件的工作過程中會出現(xiàn)意想不到的問題。物理上，熱導(dǎo)率代表了物體導(dǎo)熱性能的

2023-03-16 http://m.xphdx.cn/Article/IGBTmokuaigouchengge.html
[行業(yè)動態(tài)]制備高導(dǎo)熱氮化硅陶瓷基板的影響因素淺析

氮化硅在綜合性能方面表現(xiàn)最優(yōu)，這無疑是一種非常理想的散熱性能良好的基板材料。目前國內(nèi)市場上，氧化鋁和氮化鋁陶瓷基片已經(jīng)實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化，但高導(dǎo)熱氮化硅陶瓷作為商用電子器件的基板材料仍是一大難題，只有國外的一些公司可以實現(xiàn)氮化硅陶瓷基板商業(yè)化，那到底是什么因素阻礙了這么優(yōu)秀的的陶瓷基板發(fā)展呢？這就得從氮化硅獨特的化學(xué)成分和微觀結(jié)構(gòu)說起。晶格氧對高導(dǎo)熱氮化硅陶瓷的影響氮化硅的主要傳熱機(jī)制是晶格振動，通過聲子來傳導(dǎo)熱量。晶格振動并非是線性的，晶格間有著一定的耦合作用，聲子間會發(fā)生碰撞，使聲子的平均自由程減小。另外，Si3N4晶體中的各種缺陷、雜質(zhì)以及晶粒界面都會引起聲子的散射，也等效于聲子平均自由程減小，從而降低熱導(dǎo)率?！锜Y(jié)體的典型微觀結(jié)構(gòu)研究表明，在諸多晶格缺陷中，晶格氧是影響氮化硅陶瓷熱導(dǎo)率的主要缺陷之一。氧原

2023-03-10 http://m.xphdx.cn/Article/zhibeigaodaoredanhua.html
[行業(yè)動態(tài)]AMB陶瓷基板在IGBT上的應(yīng)用介紹

根據(jù)封裝結(jié)構(gòu)和應(yīng)用要求，陶瓷基板可分為平面陶瓷基板和三維陶瓷基板兩大類。再根據(jù)實現(xiàn)陶瓷基板覆銅后再刻蝕的不同工藝，當(dāng)前較普遍的陶瓷散熱基板分為 HTCC、LTCC、DBC、DPC、AMB 等。AMB 工藝因可靠性更優(yōu)，逐漸成為主流應(yīng)用。其中 Al2O3陶瓷基板主要采用 DBC 工藝，AlN 陶瓷基板主要采用DBC 和AMB工藝，Si3N4陶瓷基板更多采用 AMB 工藝

2023-03-08 http://m.xphdx.cn/Article/AMBtaocijibanzaiIGBT.html
[常見問題]什么是IGBT？結(jié)構(gòu)解釋和拆解

IGBT （絕緣柵雙極晶體管）作為一種功率半導(dǎo)體器件，廣泛應(yīng)用于軌道交通、智能電網(wǎng)、工業(yè)節(jié)能、電動汽車和新能源裝備等領(lǐng)域。具有節(jié)能、安裝方便、維護(hù)方便、散熱穩(wěn)定等特點。它是能量轉(zhuǎn)換和傳輸?shù)暮诵难b置。簡單概括一下，IGBT可以說是MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）和BJT的結(jié)合體（雙極結(jié)型晶體管）。即它結(jié)合了MOSFET的柵壓控制晶體管（高輸入阻抗），利用BJT的雙載流子來達(dá)到大電流的目的（壓控雙極型器件）。那么這樣的組合內(nèi)部結(jié)構(gòu)是怎樣的呢？一、IGBT模塊詳解二、IGBT內(nèi)部結(jié)構(gòu)三、IGBT 內(nèi)部電流流動四、如何拆卸IGBT模塊？五、常見問題一、IGBT模塊詳解以拆解的IGBT模塊型號為：FF1400R17IP4為例。模塊外觀及等效電路如圖1所示。本模塊長寬高分別為：25cmx8.9cmx3.8cm。

2023-03-06 http://m.xphdx.cn/Article/shimeshiIGBTjiegouji.html
[行業(yè)動態(tài)]氮化硅AMB基板：新能源汽車SiC功率模塊的首選工藝

Si3N4-AMB陶瓷基板熱導(dǎo)率高于90W/mk，厚銅層具有較高熱容量以及傳熱性，同時AMB工藝可將厚銅金屬(800μm)焊接到相對較薄的氮化硅陶瓷上，形成高載流能力；

2023-02-27 http://m.xphdx.cn/Article/danhuaguiAMBjibanxin.html
[行業(yè)動態(tài)]高導(dǎo)熱氮化硅陶瓷基板產(chǎn)業(yè)化進(jìn)展

要有效解決器件的散熱問題，必須選擇高導(dǎo)熱的基板材料。近年來已經(jīng)大規(guī)模生產(chǎn)的應(yīng)用較為廣泛的陶瓷基板主要有：Al2O3、BeO、SiC、AlN、Si3N4等。

2023-02-17 http://m.xphdx.cn/Article/danhuaguitaociban.html
[行業(yè)動態(tài)]PCB線路板什么是沉金？沉金有哪些優(yōu)點？

沉金，是電路板加工中的一道工序，就是電路圖中所需焊接與貼片的PAD，沉上金，一防止焊盤氧化，二是利與焊接。順便講一下沉金板與鍍金板的區(qū)別

2023-02-15 http://m.xphdx.cn/Article/PCBxianlubanshimeshi.html
[行業(yè)動態(tài)]高功率半導(dǎo)體激光器過渡熱沉封裝技術(shù)研究

摘要：近些年，在市場應(yīng)用驅(qū)動下，半導(dǎo)體激光器的輸出功率越來越高，器件產(chǎn)生的熱量也在增加，同時封裝結(jié)構(gòu)要求也更加緊湊，這對半導(dǎo)體激光器的熱管理提出了更高的要求。當(dāng)今，激光器的外延生長技術(shù)和芯片加工工藝已經(jīng)成熟，封裝技術(shù)的提升已經(jīng)成為解決散熱問題的關(guān)鍵，其中過渡熱沉技術(shù)能有效降低激光器的熱阻，提高可靠性，而且便于操作，已經(jīng)是高功率半導(dǎo)體激光器封裝的首要選擇。從過渡熱沉散熱原理、熱應(yīng)力、過渡熱沉材料和焊料選擇等方面對過渡熱沉技術(shù)進(jìn)行了研究，并對未來的研究熱點進(jìn)行了探討。1 研究背景半導(dǎo)體激光器具有體積小、質(zhì)量輕、能耗小、易調(diào)制、可以批量化生產(chǎn)等眾多優(yōu)點，被廣泛應(yīng)用于工業(yè)加工、信息通信、醫(yī)療、生命科學(xué)和軍事等領(lǐng)域。雖然半導(dǎo)體激光器電光轉(zhuǎn)換效率高，但在激光器芯片有源區(qū)內(nèi)存在非輻射復(fù)合損耗和自由載流子的吸收，工作時會產(chǎn)生

2023-01-30 http://m.xphdx.cn/Article/gaogonglvbandaotijig.html
[行業(yè)動態(tài)]Pcb陶瓷基板磚孔|覆銅|蝕刻工藝流程

總所周知，PCB陶瓷基板在沒有做加工之前是光板，呈灰白色，金華化后的PCB陶瓷基板具備更好的導(dǎo)熱性能、電器性能。今天小編就來分享一下PCB陶瓷基板的磚孔、覆銅、蝕刻的工藝以及流程。

2022-12-16 http://m.xphdx.cn/Article/Pcbtaocijibanzhuanko.html

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[行業(yè)動態(tài)]高導(dǎo)熱氮化硅陶瓷基板產(chǎn)業(yè)化進(jìn)展

[行業(yè)動態(tài)]PCB線路板什么是沉金？沉金有哪些優(yōu)點？

[行業(yè)動態(tài)]高功率半導(dǎo)體激光器過渡熱沉封裝技術(shù)研究

[行業(yè)動態(tài)]Pcb陶瓷基板磚孔|覆銅|蝕刻工藝流程