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[行業(yè)動(dòng)態(tài)]陶瓷覆銅基板剝離強(qiáng)度測(cè)試與性能分析

AMB陶瓷覆銅基板作為一種高性能的電子封裝材料，其銅層與陶瓷基板之間的結(jié)合強(qiáng)度是衡量其質(zhì)量的關(guān)鍵指標(biāo)之一。剝離強(qiáng)度作為表征結(jié)合強(qiáng)度的重要參數(shù)，能夠直觀地反映銅層與陶瓷之間的附著力。

2025-06-10 http://m.xphdx.cn/Article/taocifutongjibanbaol.html
[行業(yè)動(dòng)態(tài)]AMB與DBA的母工藝——DBC 直接覆銅陶瓷基板工藝

隨著電子設(shè)備的不斷進(jìn)步，芯片集成度的提升和電路設(shè)計(jì)的緊湊，使得單位面積的功耗顯著增加，導(dǎo)致熱量積累。這不僅影響設(shè)備性能，還可能導(dǎo)致組件故障。在這種背景下，直接覆銅（DBC）陶瓷基板憑借出色的導(dǎo)熱和導(dǎo)電性能，成為重要的電子封裝材料，廣泛應(yīng)用于功率模塊和集成電力電子模塊。

2024-10-16 http://m.xphdx.cn/Article/AMByuDBAdemugongyiDB.html
[行業(yè)動(dòng)態(tài)]高壓大功率IGBT模塊首選封裝材料——AMB陶瓷基板

絕緣柵雙極晶體管（IGBT）是在金屬氧化物場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）和雙極晶體管的基礎(chǔ)上發(fā)展起來(lái)的一種新型復(fù)合功率器件，具有輸入阻抗大、驅(qū)動(dòng)功率小、開(kāi)關(guān)速度快、工作頻率高、飽和壓降低、安全工作區(qū)大和可耐高電壓和大電流等一系列優(yōu)點(diǎn)，大規(guī)模應(yīng)用于電動(dòng)汽車(chē)、電力機(jī)車(chē)?yán)锏碾姍C(jī)驅(qū)動(dòng)以及并網(wǎng)技術(shù)、儲(chǔ)能電站、工業(yè)領(lǐng)域的高壓大電流場(chǎng)合的交直流電轉(zhuǎn)換和變頻控制等領(lǐng)域，是電力電子領(lǐng)域中最重要的大功率器件，是綠色經(jīng)濟(jì)的核“芯”。

2024-03-18 http://m.xphdx.cn/Article/gaoyadagonglvIGBTmok.html
[行業(yè)動(dòng)態(tài)]DBC 和 AMB 覆銅陶瓷基板有何不同？

近年來(lái)，隨著新能源行業(yè)的迅猛發(fā)展，半導(dǎo)體功率模塊得到了廣泛的應(yīng)用。功率模塊一般應(yīng)用在大功率大電壓環(huán)境中，相較于通常的電子應(yīng)用領(lǐng)域，其對(duì)載板的電流載流能力、絕緣耐壓能力、以及高效散熱能力有著更高的要求。而覆銅陶瓷基板的高載流、高耐壓、高散熱的特點(diǎn)，恰好滿(mǎn)足了功率模塊的應(yīng)用需求。

2024-02-21 http://m.xphdx.cn/Article/DBCheAMBfutongtaocij.html
[行業(yè)動(dòng)態(tài)]AMB活性金屬釬焊法，陶瓷與金屬的完美結(jié)合

相比于傳統(tǒng)的DBC基板，采用AMB工藝制備的陶瓷基板，不僅具有更高的熱導(dǎo)率、更好的銅層結(jié)合力，而且還有熱阻更小、可靠性更高等優(yōu)勢(shì)；此外，因其加工過(guò)程能在一次升溫中完成，操作簡(jiǎn)便、時(shí)間周期短、封接性能好并且對(duì)陶瓷的適用范圍廣，所以該工藝在國(guó)內(nèi)外發(fā)展較快，成為了電子器件中常用的一種方法。

2023-12-11 http://m.xphdx.cn/Article/AMBhuoxingjinshuqian.html
[行業(yè)動(dòng)態(tài)]陶瓷基板的市場(chǎng)規(guī)模和應(yīng)用發(fā)展

目前，國(guó)內(nèi)常用陶瓷基板材料主要為Al2O3、AlN和Si3N4。無(wú)論哪種材料的陶瓷基板，在燒結(jié)成型之后，需對(duì)其表面實(shí)施金屬化，然后通過(guò)影像轉(zhuǎn)移的方法完成表面圖形的制作，以實(shí)現(xiàn)陶瓷基板的電氣連接性能。金屬化陶瓷基板按照工藝主要分為DPC、DBC、AMB、LTCC、HTCC等基板。氧化鋁陶瓷基板主要采用DBC、DPC工藝，氮化鋁陶瓷基板主要采用DBC和AMB工藝，氮化硅陶瓷基板主要采用AMB工藝

2023-10-27 http://m.xphdx.cn/Article/taocijibanpcb.html
[行業(yè)動(dòng)態(tài)]Si3N4 DBC和AMB陶瓷基板

隨著寬禁帶半導(dǎo)體的發(fā)展，功率半導(dǎo)體器件往更高的功率密度，更高的芯片溫度以及更高的可靠性方向發(fā)展，相應(yīng)地也對(duì)于功率半導(dǎo)體模塊封裝的提出了更高的要求。包括我們前面聊到的無(wú)焊料，無(wú)鍵合線(xiàn)等互連技術(shù)趨勢(shì)外，絕緣基板的選擇也成為經(jīng)常討論的話(huà)題。

2023-10-23 http://m.xphdx.cn/Article/Si3N4DBCheAMBtaociji.html
[行業(yè)動(dòng)態(tài)]AMB覆銅陶瓷基板介紹

近年來(lái)，隨著新能源行業(yè)的迅猛發(fā)展，半導(dǎo)體功率模塊得到了廣泛的應(yīng)用。功率模塊一般應(yīng)用在大功率大電壓環(huán)境中，相較于通常的電子應(yīng)用領(lǐng)域，其對(duì)載板的電流載流能力、絕緣耐壓能力、以及高效散熱能力有著更高的要求。而覆銅陶瓷基板的高載流、高耐壓、高散熱的特點(diǎn)，恰好滿(mǎn)足了功率模塊的應(yīng)用需求。

2023-10-13 http://m.xphdx.cn/Article/AMBfutongtaocijibanj.html
[行業(yè)動(dòng)態(tài)]陶瓷基板的市場(chǎng)到底有多大？十億？百億？

隨著電子封裝技術(shù)逐漸向著小型化、高密度、多功能和高可靠性方向發(fā)展，電子系統(tǒng)的功率密度隨之增加，散熱問(wèn)題越來(lái)越嚴(yán)重。對(duì)于電子器件而言，通常溫度每升高10°C，器件有效壽命就降低30%~50%。因此，選用合適的封裝材料與工藝、提高器件散熱能力就成為發(fā)展電子器件的技術(shù)瓶頸。

2023-10-06 http://m.xphdx.cn/Article/taocijibansc.html
[行業(yè)動(dòng)態(tài)]IGBT模塊用DBC基板的設(shè)計(jì)

DBC 陶瓷基板的發(fā)展、工藝原理、性能及應(yīng)用。由于DBC基板的各種優(yōu)良性能，DBC被廣泛應(yīng)用于各型IGBT模塊中，采用DBC基板的IGBT模塊具有更好的熱疲勞穩(wěn)定性和更高的集成度。

2023-08-21 http://m.xphdx.cn/Article/IGBTmokuaiyongDBCjib.html
[行業(yè)動(dòng)態(tài)]DBC直接鍵合陶瓷基板特性及應(yīng)用

現(xiàn)代微電子技術(shù)發(fā)展迅猛,芯片功率及模塊功率密度大大升高,電子元件和系統(tǒng)工作熱耗散顯著增加。陶瓷覆銅基板具有優(yōu)異的導(dǎo)熱性、絕緣性、機(jī)械性能，廣泛應(yīng)用于功率電子、電子封裝、混合微電子與多芯片模塊等領(lǐng)域。

2023-07-26 http://m.xphdx.cn/Article/DBCzhijiejianhetaoci.html
[行業(yè)動(dòng)態(tài)]陶瓷基板的市場(chǎng)到底有多大？

隨著電子封裝技術(shù)逐漸向著小型化、高密度、多功能和高可靠性方向發(fā)展，電子系統(tǒng)的功率密度隨之增加，散熱問(wèn)題越來(lái)越嚴(yán)重。對(duì)于電子器件而言，通常溫度每升高10°C，器件有效壽命就降低30%~50%。因此，選用合適的封裝材料與工藝、提高器件散熱能力就成為發(fā)展電子器件的技術(shù)瓶頸。

2023-07-10 http://m.xphdx.cn/Article/taocijibandeshichang.html
[行業(yè)動(dòng)態(tài)]IGBT模塊生產(chǎn)工藝流程及主要設(shè)備

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件，兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。IGBT模塊生產(chǎn)過(guò)程主要是把晶圓貼片在陶瓷基板上，鍵合線(xiàn)，插針，點(diǎn)膠密封等過(guò)程。在閱讀本文之前，歡迎識(shí)別二維碼加入艾邦I(lǐng)GBT產(chǎn)業(yè)微信群；

2023-06-05 http://m.xphdx.cn/Article/IGBTmokuaishengchang.html
[行業(yè)動(dòng)態(tài)]AMB/DBC陶瓷基板超聲SAM檢測(cè)

2022年全球陶瓷基板市場(chǎng)銷(xiāo)售額達(dá)到了375億美元，預(yù)計(jì)2029年將達(dá)到2,563億美元，年復(fù)合增長(zhǎng)率（CAGR）為26.0%。從產(chǎn)品類(lèi)型方面來(lái)看，氮化硅陶瓷基板處于主導(dǎo)地位，2022年份額將達(dá)到90%。就應(yīng)用來(lái)看，汽車(chē)行業(yè)在2022年份額大約是69%，在眾多的AMB/DBC陶瓷基板相關(guān)的上下游企業(yè)中，AMB/DBC陶瓷基板的本身質(zhì)量檢測(cè)都是極為重要的一環(huán)，本文就陶瓷基板內(nèi)部缺陷問(wèn)題超聲SAM檢測(cè)展開(kāi)討論。

2023-05-22 http://m.xphdx.cn/Article/AMBDBCtaocijibanchao.html
[行業(yè)動(dòng)態(tài)]車(chē)規(guī)級(jí)IGBT功率模塊散熱基板技術(shù)

IGBT功率模塊失效的主要原因是溫度過(guò)高導(dǎo)致的熱應(yīng)力，良好的熱管理對(duì)于IGBT功率模塊穩(wěn)定性和可靠性極為重要。新能源汽車(chē)電機(jī)控制器是典型的高功率密度部件，且功率密度隨著對(duì)新能源汽車(chē)性能需求的提高仍在不斷提升。電機(jī)控制器內(nèi)IGBT功率模塊長(zhǎng)時(shí)間運(yùn)行以及頻繁開(kāi)閉會(huì)產(chǎn)生大量熱量，伴隨著溫度的升高，IGBT功率模塊的失效概率也將大幅增加，最終將影響電機(jī)的輸出性能以及汽車(chē)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)的可靠性。因此，為維持IGBT功率模塊的穩(wěn)定工作，需要有可靠的散熱設(shè)計(jì)與通暢的散熱通道，快速有效地減少模塊內(nèi)部熱量，以滿(mǎn)足模塊可靠性指標(biāo)的要求。

2023-05-15 http://m.xphdx.cn/Article/cheguijiIGBTgonglvmo.html
[行業(yè)動(dòng)態(tài)]電子封裝用陶瓷基板材料及其制備工藝

陶瓷基板由于其良好的導(dǎo)熱性、耐熱性、絕緣性、低熱膨脹系數(shù)和成本的不斷降低，在電子封裝特別是功率電子器件如IGBT（絕緣柵雙極晶體管）、LD（激光二極管）、大功率LED（發(fā)光二極管）、CPV（聚焦型光伏）封裝中的應(yīng)用越來(lái)越廣泛。

2023-05-04 http://m.xphdx.cn/Article/dianzifengzhuangyong.html
[行業(yè)動(dòng)態(tài)]AMB陶瓷基板在IGBT上的應(yīng)用介紹

根據(jù)封裝結(jié)構(gòu)和應(yīng)用要求，陶瓷基板可分為平面陶瓷基板和三維陶瓷基板兩大類(lèi)。再根據(jù)實(shí)現(xiàn)陶瓷基板覆銅后再刻蝕的不同工藝，當(dāng)前較普遍的陶瓷散熱基板分為 HTCC、LTCC、DBC、DPC、AMB 等。AMB 工藝因可靠性更優(yōu)，逐漸成為主流應(yīng)用。其中 Al2O3陶瓷基板主要采用 DBC 工藝，AlN 陶瓷基板主要采用DBC 和AMB工藝，Si3N4陶瓷基板更多采用 AMB 工藝

2023-03-08 http://m.xphdx.cn/Article/AMBtaocijibanzaiIGBT.html
[常見(jiàn)問(wèn)題]什么是IGBT？結(jié)構(gòu)解釋和拆解

IGBT （絕緣柵雙極晶體管）作為一種功率半導(dǎo)體器件，廣泛應(yīng)用于軌道交通、智能電網(wǎng)、工業(yè)節(jié)能、電動(dòng)汽車(chē)和新能源裝備等領(lǐng)域。具有節(jié)能、安裝方便、維護(hù)方便、散熱穩(wěn)定等特點(diǎn)。它是能量轉(zhuǎn)換和傳輸?shù)暮诵难b置。簡(jiǎn)單概括一下，IGBT可以說(shuō)是MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）和BJT的結(jié)合體（雙極結(jié)型晶體管）。即它結(jié)合了MOSFET的柵壓控制晶體管（高輸入阻抗），利用BJT的雙載流子來(lái)達(dá)到大電流的目的（壓控雙極型器件）。那么這樣的組合內(nèi)部結(jié)構(gòu)是怎樣的呢？一、IGBT模塊詳解二、IGBT內(nèi)部結(jié)構(gòu)三、IGBT 內(nèi)部電流流動(dòng)四、如何拆卸IGBT模塊？五、常見(jiàn)問(wèn)題一、IGBT模塊詳解以拆解的IGBT模塊型號(hào)為：FF1400R17IP4為例。模塊外觀及等效電路如圖1所示。本模塊長(zhǎng)寬高分別為：25cmx8.9cmx3.8cm。

2023-03-06 http://m.xphdx.cn/Article/shimeshiIGBTjiegouji.html
[行業(yè)動(dòng)態(tài)]氮化鋁陶瓷基板應(yīng)用到動(dòng)力電池的原理和優(yōu)勢(shì)

氮化鋁陶瓷基板應(yīng)用到動(dòng)力電池的原理和優(yōu)勢(shì) 新能源汽車(chē)用的都是鋰電池，動(dòng)力電池在運(yùn)行和使用的過(guò)程中就會(huì)產(chǎn)生很大的熱量，如果這些熱量不被很好地散發(fā)出去，勢(shì)必會(huì)影響動(dòng)力汽車(chē)的安全運(yùn)行。那么既要保證電池的有效持續(xù)應(yīng)用，又要實(shí)現(xiàn)有效散熱，需要用到陶瓷基板，尤其是氮化鋁陶瓷基板。以下講述氮化鋁陶瓷基板在動(dòng)力電池的使用原理以及優(yōu)勢(shì)。一，氮化鋁陶瓷基板在動(dòng)力電池使用的原理無(wú)論什么類(lèi)型的電動(dòng)汽車(chē)需要?jiǎng)恿﹄姵刈鳛閯?dòng)力，所以需要設(shè)置一些液體冷卻裝置，鑲嵌在單個(gè)電池之間，熱量通過(guò)導(dǎo)熱絕緣層傳遞給冷卻液，所以流動(dòng)冷卻液控制電池組的溫度，但在冷卻層外使用ALN陶瓷基片。它有效地完成了鋰電池在工作中產(chǎn)生的大量熱量，可以實(shí)現(xiàn)散熱，但也可以完成電池之間的傳導(dǎo)。該設(shè)計(jì)的優(yōu)點(diǎn)是：既可以完成電

2022-10-31 http://m.xphdx.cn/Article/danhualvtaocijibanyi.html
[常見(jiàn)問(wèn)題]氮化硅AMB陶瓷基板的制備流程

氮化硅AMB陶瓷基板的制備流程氮化硅陶瓷基板能量損耗、更容易小型化、更耐高溫高壓的優(yōu)勢(shì)在新能源汽車(chē)方面?zhèn)涫軞g迎，能起到提速、增加續(xù)航里程、汽車(chē)輕量化的目的；同時(shí)氮化硅AMB陶瓷基板還是SiC器件封裝基板的首選，傳統(tǒng)的DBC陶瓷基板已經(jīng)難以滿(mǎn)足高溫、大功率、高散熱、高可靠性的封裝要求，DBC基板和氮化硅器件，在高溫過(guò)程中容易產(chǎn)生熱應(yīng)力，導(dǎo)致銅層剝離，采用氮化硅AMB陶瓷基板能夠小避免。本文要闡述的是氮化硅AMB陶瓷基板的特點(diǎn)以及制備流程。一，氮化硅AMB陶瓷基板的特點(diǎn)Si3N4-AMB覆銅基板則是利用活性金屬元素（Ti、Zr、Ta、Nb、V、Hf等）可以潤(rùn)濕陶瓷表面的特性，將銅層通過(guò)活性金屬釬料釬焊在Si3N4陶瓷板上。通過(guò)活性金屬釬焊（AMB

2022-10-19 http://m.xphdx.cn/Article/danhuaguiAMBtaocijib.html