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[行業(yè)動態(tài)]高壓大功率IGBT模塊首選封裝材料——AMB陶瓷基板

絕緣柵雙極晶體管（IGBT）是在金屬氧化物場效應(yīng)晶體管（MOSFET）和雙極晶體管的基礎(chǔ)上發(fā)展起來的一種新型復(fù)合功率器件，具有輸入阻抗大、驅(qū)動功率小、開關(guān)速度快、工作頻率高、飽和壓降低、安全工作區(qū)大和可耐高電壓和大電流等一系列優(yōu)點，大規(guī)模應(yīng)用于電動汽車、電力機(jī)車?yán)锏碾姍C(jī)驅(qū)動以及并網(wǎng)技術(shù)、儲能電站、工業(yè)領(lǐng)域的高壓大電流場合的交直流電轉(zhuǎn)換和變頻控制等領(lǐng)域，是電力電子領(lǐng)域中最重要的大功率器件，是綠色經(jīng)濟(jì)的核“芯”。

2024-03-18 http:///Article/gaoyadagonglvIGBTmok.html
[常見問題]不同材質(zhì)的陶瓷基板分別適用哪些拋光工藝？

目前，已投入生產(chǎn)的陶瓷基板主要有氧化鋁(Al2O3)、氮化硅(Si3N4)、碳化硅(SiC)、氧化鈹(BeO)和氮化鋁(AlN)等。陶瓷基板的硬度高、脆性大、容易產(chǎn)生裂紋、表面加工難度大。因此，對于陶瓷基板表面的加工要求更加嚴(yán)格，一般采用研磨拋光以去除基板表面的附著物、改善平整度、降低表面粗糙度，提高尺寸精度和表面質(zhì)量，滿足薄型化的要求。不同陶瓷材質(zhì)的性能和結(jié)構(gòu)存在差異，選擇合適的拋光技術(shù)才能起到事半功倍的處理效果。

2024-01-15 http:///Article/butongcaizhidetaocij.html
[行業(yè)動態(tài)]Si3N4-AMB陶瓷基板的應(yīng)用

功率電子器件在電力存儲，電力輸送，電動汽車，電力機(jī)車等眾多工業(yè)領(lǐng)域得到越來越廣泛的應(yīng)用。隨著功率電子器件本身不斷的大功率化和高集成化，芯片在工作過程中將會產(chǎn)生大量的熱。如果這些熱量不能及時有效地發(fā)散出去，功率電子器件的工作性能將會受到影響，嚴(yán)重的話，功率電子器件本身會被破損。這就要求擔(dān)負(fù)絕緣和散熱功能的陶瓷基板必須具備卓越的機(jī)械性能和導(dǎo)熱性能。由于氮化硅（Si3N4）陶瓷的高導(dǎo)熱性、抗熱震性及在高溫中良好的機(jī)械性能，Si3N4-AMB陶瓷基板備受矚目。

2023-11-15 http:///Article/Si3N4-AMBtaocijiband.html
[行業(yè)動態(tài)]一文搞懂陶瓷基板DPC，AMB，HTCC，DBC等工藝技術(shù)

首先了解陶瓷基板與陶瓷基片的區(qū)別，特性優(yōu)勢，陶瓷基板制造五大工藝知識，以及工藝特點進(jìn)行分析，行業(yè)展望，最后我們學(xué)習(xí)一下華科大對陶瓷基板科研知識案例分享

2023-11-06 http:///Article/yiwengaodongtaocijib.html
[行業(yè)動態(tài)]陶瓷基板的市場規(guī)模和應(yīng)用發(fā)展

目前，國內(nèi)常用陶瓷基板材料主要為Al2O3、AlN和Si3N4。無論哪種材料的陶瓷基板，在燒結(jié)成型之后，需對其表面實施金屬化，然后通過影像轉(zhuǎn)移的方法完成表面圖形的制作，以實現(xiàn)陶瓷基板的電氣連接性能。金屬化陶瓷基板按照工藝主要分為DPC、DBC、AMB、LTCC、HTCC等基板。氧化鋁陶瓷基板主要采用DBC、DPC工藝，氮化鋁陶瓷基板主要采用DBC和AMB工藝，氮化硅陶瓷基板主要采用AMB工藝

2023-10-27 http:///Article/taocijibanpcb.html
[行業(yè)動態(tài)]陶瓷基板市場預(yù)計未來3年大增94.27%，國產(chǎn)化需求強烈

陶瓷基板是指銅箔在高溫下直接鍵合到氧化鋁(Al2O3)或氮化鋁(AlN)陶瓷基片表面( 單面或雙面)上的特殊工藝板。所制成的超薄復(fù)合基板具有優(yōu)良電絕緣性能，高導(dǎo)熱特性，優(yōu)異的軟釬焊性和高的附著強度，并可像PCB板一樣能刻蝕出各種圖形，具有很大的載流能力。因此，陶瓷基板已成為大功率電力電子電路結(jié)構(gòu)技術(shù)和互連技術(shù)的基礎(chǔ)材料。

2023-10-09 http:///Article/taocijibanshichangyu.html
[行業(yè)動態(tài)]陶瓷基板的市場到底有多大？十億？百億？

隨著電子封裝技術(shù)逐漸向著小型化、高密度、多功能和高可靠性方向發(fā)展，電子系統(tǒng)的功率密度隨之增加，散熱問題越來越嚴(yán)重。對于電子器件而言，通常溫度每升高10°C，器件有效壽命就降低30%~50%。因此，選用合適的封裝材料與工藝、提高器件散熱能力就成為發(fā)展電子器件的技術(shù)瓶頸。

2023-10-06 http:///Article/taocijibansc.html
[行業(yè)動態(tài)]電子封裝陶瓷基片材料的種類

現(xiàn)代微電子技術(shù)發(fā)展異常迅速，電子系統(tǒng)及設(shè)備向大規(guī)模集成化、微型化、高效率、高可靠性等方向發(fā)展。電子系統(tǒng)集成度的提高將導(dǎo)致功率密度升高，以及電子元件和系統(tǒng)整體工作產(chǎn)生的熱量增加，因此，有效的電子封裝必須解決電子系統(tǒng)的散熱問題。電子封裝基片材料作為一種底座電子元件，主要為電子元器件及其相互聯(lián)線提供機(jī)械承載支撐、氣密性保護(hù)和促進(jìn)電氣設(shè)備的散熱。

2023-10-04 http:///Article/taocijipiandezhonglei.html
[行業(yè)動態(tài)]Si3N4-AMB陶瓷基板在高功率半導(dǎo)體器件中的應(yīng)用

功率電子器件在電力存儲，電力輸送，電動汽車，電力機(jī)車等眾多工業(yè)領(lǐng)域得到越來越廣泛的應(yīng)用。隨著功率電子器件本身不斷的大功率化和高集成化，芯片在工作過程中將會產(chǎn)生大量的熱。如果這些熱量不能及時有效地發(fā)散出去，功率電子器件的工作性能將會受到影響，嚴(yán)重的話，功率電子器件本身會被破損。這就要求擔(dān)負(fù)絕緣和散熱功能的陶瓷基板必須具備卓越的機(jī)械性能和導(dǎo)熱性能。由于氮化硅（Si3N4）陶瓷的高導(dǎo)熱性、抗熱震性及在高溫中良好的機(jī)械性能，Si3N4-AMB陶瓷基板備受矚目。

2023-08-28 http:///Article/Si3N4-AMBtaocijibanz.html
[行業(yè)動態(tài)]陶瓷基板助力高功率器件散熱消暑

電路板被很多人譽為電子產(chǎn)品之母，它是計算機(jī)、手機(jī)等消費電子產(chǎn)品的關(guān)鍵部件，在醫(yī)療、航空、新能源、汽車等行業(yè)有著廣泛應(yīng)用?？v觀全球技術(shù)發(fā)展簡史，每一次技術(shù)進(jìn)步都直接或間接影響著全人類。在電路板誕生之前，電子設(shè)備都包含許多電線，它們不僅會糾纏在一起，占用大量空間，而且短路的情況也不罕見。這個問題對于電路相關(guān)的工作人員來說是個非常頭疼的問題。1925年，來自美國的Charles Ducas提出了一個前所未有的想法，即在絕緣基板上印刷電路圖案，隨后進(jìn)行電鍍以制造用于布線的導(dǎo)體，專業(yè)術(shù)語“PCB”由此而來，這種方法使制造電器電路變得更為簡單。

2023-08-25 http:///Article/taocijibanzhuligaogo.html
[行業(yè)動態(tài)]2023年AMB陶瓷基板實力企業(yè)榜單

近幾年來，在新能源汽車市場暴增刺激下，碳化硅模塊上車的進(jìn)程大幅超過市場預(yù)期，AMB陶瓷基板優(yōu)異導(dǎo)熱和抗彎性能已經(jīng)成為SiC芯片最佳封裝材料。根據(jù)市場研究機(jī)構(gòu)的數(shù)據(jù)顯示，全球AMB覆銅陶瓷基板市場規(guī)模從2016年的約10億美元增長到2020年的約15億美元，年復(fù)合增長率為7.5%左右。預(yù)計到2025年，全球AMB覆銅陶瓷基板市場規(guī)模將達(dá)到約20億美元，年復(fù)合增長率為5.5%左右。

2023-07-24 http:///Article/2023nianAMBtaocijiba.html
[行業(yè)動態(tài)]陶瓷基板的市場到底有多大？

隨著電子封裝技術(shù)逐漸向著小型化、高密度、多功能和高可靠性方向發(fā)展，電子系統(tǒng)的功率密度隨之增加，散熱問題越來越嚴(yán)重。對于電子器件而言，通常溫度每升高10°C，器件有效壽命就降低30%~50%。因此，選用合適的封裝材料與工藝、提高器件散熱能力就成為發(fā)展電子器件的技術(shù)瓶頸。

2023-07-10 http:///Article/taocijibandeshichang.html
[行業(yè)動態(tài)]AMB/DBC陶瓷基板超聲SAM檢測

2022年全球陶瓷基板市場銷售額達(dá)到了375億美元，預(yù)計2029年將達(dá)到2,563億美元，年復(fù)合增長率（CAGR）為26.0%。從產(chǎn)品類型方面來看，氮化硅陶瓷基板處于主導(dǎo)地位，2022年份額將達(dá)到90%。就應(yīng)用來看，汽車行業(yè)在2022年份額大約是69%，在眾多的AMB/DBC陶瓷基板相關(guān)的上下游企業(yè)中，AMB/DBC陶瓷基板的本身質(zhì)量檢測都是極為重要的一環(huán)，本文就陶瓷基板內(nèi)部缺陷問題超聲SAM檢測展開討論。

2023-05-22 http:///Article/AMBDBCtaocijibanchao.html
[行業(yè)動態(tài)]大功率IGBT功率模塊用氮化鋁覆銅基板

隨著高速鐵路、城市軌道交通、新能源汽車、智能電網(wǎng)和風(fēng)能發(fā)電等行業(yè)發(fā)展，對于高壓大功率IGBT模塊的需求迫切且數(shù)量巨大。由于高壓大功率IGBT模塊技術(shù)門檻較高，難度較大，特別是要求封裝材料散熱性能更好、可靠性更高、載流量更大。高壓大功率IGBT模塊所產(chǎn)生的熱量主要是通過陶瓷覆銅板傳導(dǎo)到外殼而散發(fā)出去的，因此陶瓷覆銅板是電力電子領(lǐng)域功率模塊封裝的不可或缺的關(guān)鍵基礎(chǔ)材料。

2023-04-17 http:///Article/dagonglvIGBTgonglvmo.html
[常見問題]銅基板和陶瓷基板有什么區(qū)別呢？

銅基板陶瓷基板都是具有電氣性能的電路板，都使用在高頻和高溫產(chǎn)品領(lǐng)域，但是陶瓷基板銅基板有什么區(qū)別呢...

2023-04-07 http:///Article/tongjibantaocijibany.html
[行業(yè)動態(tài)]AMB Si3N4 陶瓷基板在高功率半導(dǎo)體器件中的應(yīng)用

功率電子器件在電力存儲，電力輸送，電動汽車，電力機(jī)車等眾多工業(yè)領(lǐng)域得到越來越廣泛的應(yīng)用。隨著功率電子器件本身不斷的大功率化和高集成化，芯片在工作過程中將會產(chǎn)生大量的熱。如果這些熱量不能及時有效地發(fā)散出去，功率電子器件的工作性能將會受到影響，嚴(yán)重的話，功率電子器件本身會被破損。這就要求擔(dān)負(fù)絕緣和散熱功能的陶瓷基板必須具備卓越的機(jī)械性能和導(dǎo)熱性能。由于氮化硅（Si3N4）陶瓷的高導(dǎo)熱性、抗熱震性及在高溫中良好的機(jī)械性能，AMB Si3N4陶瓷基板備受矚目。1、Si3N4 為何要用AMB工藝目前功率半導(dǎo)體器件所用的陶瓷基板多為DBC（Direct Bond Copper，直接覆銅）工藝，Al2O3與ZTA等氧化物陶瓷以及AlN可使用DBC技術(shù)與銅接合：將無氧銅經(jīng)熱氧化或化學(xué)氧化制程于表面產(chǎn)生一Cu2O層，于1065~

2023-03-22 http:///Article/AMBSi3N4taocijibanza.html
[行業(yè)動態(tài)]制備高導(dǎo)熱氮化硅陶瓷基板的影響因素淺析

氮化硅在綜合性能方面表現(xiàn)最優(yōu)，這無疑是一種非常理想的散熱性能良好的基板材料。目前國內(nèi)市場上，氧化鋁和氮化鋁陶瓷基片已經(jīng)實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化，但高導(dǎo)熱氮化硅陶瓷作為商用電子器件的基板材料仍是一大難題，只有國外的一些公司可以實現(xiàn)氮化硅陶瓷基板商業(yè)化，那到底是什么因素阻礙了這么優(yōu)秀的的陶瓷基板發(fā)展呢？這就得從氮化硅獨特的化學(xué)成分和微觀結(jié)構(gòu)說起。晶格氧對高導(dǎo)熱氮化硅陶瓷的影響氮化硅的主要傳熱機(jī)制是晶格振動，通過聲子來傳導(dǎo)熱量。晶格振動并非是線性的，晶格間有著一定的耦合作用，聲子間會發(fā)生碰撞，使聲子的平均自由程減小。另外，Si3N4晶體中的各種缺陷、雜質(zhì)以及晶粒界面都會引起聲子的散射，也等效于聲子平均自由程減小，從而降低熱導(dǎo)率?！锜Y(jié)體的典型微觀結(jié)構(gòu)研究表明，在諸多晶格缺陷中，晶格氧是影響氮化硅陶瓷熱導(dǎo)率的主要缺陷之一。氧原

2023-03-10 http:///Article/zhibeigaodaoredanhua.html
[行業(yè)動態(tài)]AMB陶瓷基板在IGBT上的應(yīng)用介紹

根據(jù)封裝結(jié)構(gòu)和應(yīng)用要求，陶瓷基板可分為平面陶瓷基板和三維陶瓷基板兩大類。再根據(jù)實現(xiàn)陶瓷基板覆銅后再刻蝕的不同工藝，當(dāng)前較普遍的陶瓷散熱基板分為 HTCC、LTCC、DBC、DPC、AMB 等。AMB 工藝因可靠性更優(yōu)，逐漸成為主流應(yīng)用。其中 Al2O3陶瓷基板主要采用 DBC 工藝，AlN 陶瓷基板主要采用DBC 和AMB工藝，Si3N4陶瓷基板更多采用 AMB 工藝

2023-03-08 http:///Article/AMBtaocijibanzaiIGBT.html
[行業(yè)動態(tài)]氮化硅AMB基板：新能源汽車SiC功率模塊的首選工藝

Si3N4-AMB陶瓷基板熱導(dǎo)率高于90W/mk，厚銅層具有較高熱容量以及傳熱性，同時AMB工藝可將厚銅金屬(800μm)焊接到相對較薄的氮化硅陶瓷上，形成高載流能力；

2023-02-27 http:///Article/danhuaguiAMBjibanxin.html
[行業(yè)動態(tài)]高導(dǎo)熱氮化硅陶瓷基板產(chǎn)業(yè)化進(jìn)展

要有效解決器件的散熱問題，必須選擇高導(dǎo)熱的基板材料。近年來已經(jīng)大規(guī)模生產(chǎn)的應(yīng)用較為廣泛的陶瓷基板主要有：Al2O3、BeO、SiC、AlN、Si3N4等。

2023-02-17 http:///Article/danhuaguitaociban.html

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