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[常見(jiàn)問(wèn)題]如何在Si3N4陶瓷金屬化并提高金屬化層的界面強(qiáng)度？

當(dāng)前大功率半導(dǎo)體器件在高速鐵路系統(tǒng)、電氣控制、風(fēng)能轉(zhuǎn)換系統(tǒng)、太陽(yáng)能光伏發(fā)電、電動(dòng)汽車(chē)、電力控制等領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用。近年來(lái)，半導(dǎo)體器件正朝著高功率、高頻和集成化方向發(fā)展，高功率和高密度往往會(huì)導(dǎo)致嚴(yán)重的散熱問(wèn)題。統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)顯示，高達(dá)55%的功率器件故障是由熱量引起的，如器件性能惡化、結(jié)構(gòu)損壞等。器件的性能與其結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)、封裝材料的選擇和制造工藝密切相關(guān)。其中基板材料的選擇對(duì)器件的成本、性能和可靠性有直接影響。

2025-02-18 http://m.xphdx.cn/Article/ruhezaiSi3N4taocijin.html
[行業(yè)動(dòng)態(tài)]全球陶瓷基板市場(chǎng)規(guī)模穩(wěn)步增長(zhǎng)！

陶瓷基板是指銅箔在高溫下直接鍵合到氧化鋁(Al2O3)或氮化鋁(AlN)陶瓷基片表面( 單面或雙面)上的特殊工藝板。所制成的超薄復(fù)合基板具有優(yōu)良電絕緣性能，高導(dǎo)熱特性，優(yōu)異的軟釬焊性和高的附著強(qiáng)度，并可像PCB板一樣能刻蝕出各種圖形，具有很大的載流能力。因此，陶瓷基板已成為大功率電力電子電路結(jié)構(gòu)技術(shù)和互連技術(shù)的基礎(chǔ)材料。

2025-01-20 http://m.xphdx.cn/Article/qqtcjbscgmwbzc.html
[行業(yè)動(dòng)態(tài)]高壓大功率IGBT模塊首選封裝材料——AMB陶瓷基板

絕緣柵雙極晶體管（IGBT）是在金屬氧化物場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）和雙極晶體管的基礎(chǔ)上發(fā)展起來(lái)的一種新型復(fù)合功率器件，具有輸入阻抗大、驅(qū)動(dòng)功率小、開(kāi)關(guān)速度快、工作頻率高、飽和壓降低、安全工作區(qū)大和可耐高電壓和大電流等一系列優(yōu)點(diǎn)，大規(guī)模應(yīng)用于電動(dòng)汽車(chē)、電力機(jī)車(chē)?yán)锏碾姍C(jī)驅(qū)動(dòng)以及并網(wǎng)技術(shù)、儲(chǔ)能電站、工業(yè)領(lǐng)域的高壓大電流場(chǎng)合的交直流電轉(zhuǎn)換和變頻控制等領(lǐng)域，是電力電子領(lǐng)域中最重要的大功率器件，是綠色經(jīng)濟(jì)的核“芯”。

2024-03-18 http://m.xphdx.cn/Article/gaoyadagonglvIGBTmok.html
[行業(yè)動(dòng)態(tài)]一文搞懂陶瓷基板DPC，AMB，HTCC，DBC等工藝技術(shù)

首先了解陶瓷基板與陶瓷基片的區(qū)別，特性優(yōu)勢(shì)，陶瓷基板制造五大工藝知識(shí)，以及工藝特點(diǎn)進(jìn)行分析，行業(yè)展望，最后我們學(xué)習(xí)一下華科大對(duì)陶瓷基板科研知識(shí)案例分享

2023-11-06 http://m.xphdx.cn/Article/yiwengaodongtaocijib.html
[行業(yè)動(dòng)態(tài)]全球陶瓷基板市場(chǎng)規(guī)模穩(wěn)步增長(zhǎng)！

陶瓷基板是指銅箔在高溫下直接鍵合到氧化鋁(Al2O3)或氮化鋁(AlN)陶瓷基片表面( 單面或雙面)上的特殊工藝板。所制成的超薄復(fù)合基板具有優(yōu)良電絕緣性能，高導(dǎo)熱特性，優(yōu)異的軟釬焊性和高的附著強(qiáng)度，并可像PCB板一樣能刻蝕出各種圖形，具有很大的載流能力。因此，陶瓷基板已成為大功率電力電子電路結(jié)構(gòu)技術(shù)和互連技術(shù)的基礎(chǔ)材料。

2023-11-03 http://m.xphdx.cn/Article/quanqiutaocijibanshi.html
[行業(yè)動(dòng)態(tài)]以后都不要再問(wèn)HTCC，LTCC，DBC，DPC，AMB都是什么了！

陶瓷基板是指銅箔在高溫下直接鍵合到氧化鋁(Al2O3)或氮化鋁(AlN)陶瓷基片表面( 單面或雙面)上的特殊工藝板。所制成的超薄復(fù)合基板具有優(yōu)良電絕緣性能，高導(dǎo)熱特性，優(yōu)異的軟釬焊性和高的附著強(qiáng)度，并可像PCB板一樣能刻蝕出各種圖形，具有很大的載流能力。因此，陶瓷基板已成為大功率電力電子電路結(jié)構(gòu)技術(shù)和互連技術(shù)的基礎(chǔ)材料。

2023-10-20 http://m.xphdx.cn/Article/dbctaocijiban.html
[行業(yè)動(dòng)態(tài)]陶瓷基板市場(chǎng)預(yù)計(jì)未來(lái)3年大增94.27%，國(guó)產(chǎn)化需求強(qiáng)烈

陶瓷基板是指銅箔在高溫下直接鍵合到氧化鋁(Al2O3)或氮化鋁(AlN)陶瓷基片表面( 單面或雙面)上的特殊工藝板。所制成的超薄復(fù)合基板具有優(yōu)良電絕緣性能，高導(dǎo)熱特性，優(yōu)異的軟釬焊性和高的附著強(qiáng)度，并可像PCB板一樣能刻蝕出各種圖形，具有很大的載流能力。因此，陶瓷基板已成為大功率電力電子電路結(jié)構(gòu)技術(shù)和互連技術(shù)的基礎(chǔ)材料。

2023-10-09 http://m.xphdx.cn/Article/taocijibanshichangyu.html
[行業(yè)動(dòng)態(tài)]AMB陶瓷基板：高端IGBT模塊基板的應(yīng)用新趨勢(shì)

IGBT陶瓷襯板屬于新的工藝技術(shù)，其中AMB工藝技術(shù)的陶瓷襯板也逐步應(yīng)用于新能源汽車(chē)的IGBT模塊上。IGBT散熱對(duì)于功率模塊的性能是非常重要的，目前國(guó)內(nèi)的IGBT模塊大部分還是采用DBC工藝，但隨著工作電壓、性能要求的不斷提升，AMB工藝技術(shù)的陶瓷基板能更好地解決上述痛點(diǎn)。

2023-08-02 http://m.xphdx.cn/Article/AMBtaocijibangaoduan.html
[行業(yè)動(dòng)態(tài)]陶瓷基板工藝簡(jiǎn)介

在電子陶瓷封裝中，陶瓷基板除了為電路和芯片提供結(jié)構(gòu)支撐和電氣互連，還必須為其提供良好的熱處理以確保正常工作。

2023-07-17 http://m.xphdx.cn/Article/taocijibangongyijian.html
[行業(yè)動(dòng)態(tài)]先進(jìn)陶瓷正逐步推動(dòng)諸多高技術(shù)領(lǐng)域的發(fā)展

先進(jìn)陶瓷已逐步成為新材料的重要組成部分，成為許多高技術(shù)領(lǐng)域發(fā)展的重要關(guān)鍵材料，備受各工業(yè)發(fā)達(dá)國(guó)家的極大關(guān)注，其發(fā)展在很大程度上也影響著其他工業(yè)的發(fā)展和進(jìn)步。由于先進(jìn)陶瓷特定的精細(xì)結(jié)構(gòu)和其高強(qiáng)、高硬、耐磨、耐腐蝕、耐高溫、導(dǎo)電、絕緣、磁性、透光、半導(dǎo)體以及壓電、鐵電、聲光、超導(dǎo)、生物相容等一系列優(yōu)良性能，被廣泛應(yīng)用于國(guó)防、化工、冶金、電子、機(jī)械、航空、航天、生物醫(yī)學(xué)等國(guó)民經(jīng)濟(jì)的各個(gè)領(lǐng)域。

2023-06-25 http://m.xphdx.cn/Article/xianjintaocizhengzhu.html
[行業(yè)動(dòng)態(tài)]除了陶瓷基板，IGBT模塊還有哪些主要材料？（實(shí)物圖）

IGBT是一種新型的電力電子器件，其基本結(jié)構(gòu)是在晶體管的基極和發(fā)射極之間加入絕緣層以及一個(gè)控制電極。

2023-06-12 http://m.xphdx.cn/Article/chuliaotaocijibanIGB.html
[行業(yè)動(dòng)態(tài)]AMB Si3N4 陶瓷基板在高功率半導(dǎo)體器件中的應(yīng)用

功率電子器件在電力存儲(chǔ)，電力輸送，電動(dòng)汽車(chē)，電力機(jī)車(chē)等眾多工業(yè)領(lǐng)域得到越來(lái)越廣泛的應(yīng)用。隨著功率電子器件本身不斷的大功率化和高集成化，芯片在工作過(guò)程中將會(huì)產(chǎn)生大量的熱。如果這些熱量不能及時(shí)有效地發(fā)散出去，功率電子器件的工作性能將會(huì)受到影響，嚴(yán)重的話，功率電子器件本身會(huì)被破損。這就要求擔(dān)負(fù)絕緣和散熱功能的陶瓷基板必須具備卓越的機(jī)械性能和導(dǎo)熱性能。由于氮化硅（Si3N4）陶瓷的高導(dǎo)熱性、抗熱震性及在高溫中良好的機(jī)械性能，AMB Si3N4陶瓷基板備受矚目。1、Si3N4 為何要用AMB工藝目前功率半導(dǎo)體器件所用的陶瓷基板多為DBC（Direct Bond Copper，直接覆銅）工藝，Al2O3與ZTA等氧化物陶瓷以及AlN可使用DBC技術(shù)與銅接合：將無(wú)氧銅經(jīng)熱氧化或化學(xué)氧化制程于表面產(chǎn)生一Cu2O層，于1065~

2023-03-22 http://m.xphdx.cn/Article/AMBSi3N4taocijibanza.html
[行業(yè)動(dòng)態(tài)]制備高導(dǎo)熱氮化硅陶瓷基板的影響因素淺析

氮化硅在綜合性能方面表現(xiàn)最優(yōu)，這無(wú)疑是一種非常理想的散熱性能良好的基板材料。目前國(guó)內(nèi)市場(chǎng)上，氧化鋁和氮化鋁陶瓷基片已經(jīng)實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化，但高導(dǎo)熱氮化硅陶瓷作為商用電子器件的基板材料仍是一大難題，只有國(guó)外的一些公司可以實(shí)現(xiàn)氮化硅陶瓷基板商業(yè)化，那到底是什么因素阻礙了這么優(yōu)秀的的陶瓷基板發(fā)展呢？這就得從氮化硅獨(dú)特的化學(xué)成分和微觀結(jié)構(gòu)說(shuō)起。晶格氧對(duì)高導(dǎo)熱氮化硅陶瓷的影響氮化硅的主要傳熱機(jī)制是晶格振動(dòng)，通過(guò)聲子來(lái)傳導(dǎo)熱量。晶格振動(dòng)并非是線性的，晶格間有著一定的耦合作用，聲子間會(huì)發(fā)生碰撞，使聲子的平均自由程減小。另外，Si3N4晶體中的各種缺陷、雜質(zhì)以及晶粒界面都會(huì)引起聲子的散射，也等效于聲子平均自由程減小，從而降低熱導(dǎo)率?！锜Y(jié)體的典型微觀結(jié)構(gòu)研究表明，在諸多晶格缺陷中，晶格氧是影響氮化硅陶瓷熱導(dǎo)率的主要缺陷之一。氧原

2023-03-10 http://m.xphdx.cn/Article/zhibeigaodaoredanhua.html
[行業(yè)動(dòng)態(tài)]AMB陶瓷基板在IGBT上的應(yīng)用介紹

根據(jù)封裝結(jié)構(gòu)和應(yīng)用要求，陶瓷基板可分為平面陶瓷基板和三維陶瓷基板兩大類(lèi)。再根據(jù)實(shí)現(xiàn)陶瓷基板覆銅后再刻蝕的不同工藝，當(dāng)前較普遍的陶瓷散熱基板分為 HTCC、LTCC、DBC、DPC、AMB 等。AMB 工藝因可靠性更優(yōu)，逐漸成為主流應(yīng)用。其中 Al2O3陶瓷基板主要采用 DBC 工藝，AlN 陶瓷基板主要采用DBC 和AMB工藝，Si3N4陶瓷基板更多采用 AMB 工藝

2023-03-08 http://m.xphdx.cn/Article/AMBtaocijibanzaiIGBT.html
[行業(yè)動(dòng)態(tài)]導(dǎo)熱絕緣材料在碳化硅模塊封裝中的應(yīng)用

隨著電力電子器件向高溫、高電壓、高頻率和大電流方向快速發(fā)展。器件封裝的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)也逐漸朝著微型化及高功率密度方向演變。圖1為三菱SiC電力電子器件雙面封裝拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，其中與電力電子器件相匹配的封裝材料，無(wú)論是起支撐作用的電路板（金屬絕緣基板）、起電氣連接作用的互聯(lián)材料（燒結(jié)銀焊接）、起絕緣和環(huán)境保護(hù)作用的包封材料（環(huán)氧灌封料）還是起散熱作用的界面熱導(dǎo)材料，都對(duì)電力電子器件的電氣性能、抗電磁干擾特性、熱特性、器件的效率及可靠性等影響顯著，是電力電子器件領(lǐng)域除芯片本身之外的另一核心部分。典型的IGBT電力電子模塊的封裝結(jié)構(gòu)如圖2所示，其中需要具備絕緣功能的材料主要包括：電氣隔離和支撐芯片用的電路板材料、隔絕空氣和保護(hù)芯片用的絕緣灌封材料、外殼材料以及填充熱沉和散熱底板間隙用的界面熱導(dǎo)材料。本文基于當(dāng)前Si基和下一代

2023-03-03 http://m.xphdx.cn/Article/daorejueyuancailiaoz.html
[行業(yè)動(dòng)態(tài)]高導(dǎo)熱率氮化硅散熱陶瓷基板材料的研究進(jìn)展

摘要：針對(duì)越來(lái)越明顯的大功率電子元器件的散熱問(wèn)題，主要綜述了目前氮化硅陶瓷作為散熱基板材料的研究進(jìn)展。對(duì)影響氮化硅陶瓷熱導(dǎo)率的因素、制備高熱導(dǎo)率氮化硅陶瓷的方法、燒結(jié)助劑的選擇、以及氮化硅陶瓷機(jī)械性能和介電性能等方面的最新研究進(jìn)展作了詳細(xì)論述，最后總結(jié)了高熱導(dǎo)率氮化硅作為散熱基板材料的發(fā)展趨勢(shì)。引言隨著我國(guó)高鐵、航天、軍工等領(lǐng)域的快速發(fā)展，未來(lái)對(duì)大功率電力電子器件的需求也將越來(lái)越大。為了適應(yīng)更加復(fù)雜、苛刻的應(yīng)用條件，大功率電力電子器件朝著高溫、高頻、低功耗以及智能化、模塊化、系統(tǒng)化方向發(fā)展，這對(duì)整個(gè)電子器件的散熱提出了嚴(yán)峻的挑戰(zhàn)，而功率器件中基板的作用是吸收，芯片產(chǎn)生的熱量，并傳到熱沉上，實(shí)現(xiàn)與外界的熱交換，所以制備高熱導(dǎo)率基板材料成為研發(fā)大功率模塊電子產(chǎn)品的關(guān)鍵所在。例如目前大功率 LED 的發(fā)光效率僅有

2022-12-09 http://m.xphdx.cn/Article/gaodaorelvdanhuaguis.html
[常見(jiàn)問(wèn)題]氮化硅AMB陶瓷基板的制備流程

氮化硅AMB陶瓷基板的制備流程氮化硅陶瓷基板能量損耗、更容易小型化、更耐高溫高壓的優(yōu)勢(shì)在新能源汽車(chē)方面?zhèn)涫軞g迎，能起到提速、增加續(xù)航里程、汽車(chē)輕量化的目的；同時(shí)氮化硅AMB陶瓷基板還是SiC器件封裝基板的首選，傳統(tǒng)的DBC陶瓷基板已經(jīng)難以滿足高溫、大功率、高散熱、高可靠性的封裝要求，DBC基板和氮化硅器件，在高溫過(guò)程中容易產(chǎn)生熱應(yīng)力，導(dǎo)致銅層剝離，采用氮化硅AMB陶瓷基板能夠小避免。本文要闡述的是氮化硅AMB陶瓷基板的特點(diǎn)以及制備流程。一，氮化硅AMB陶瓷基板的特點(diǎn)Si3N4-AMB覆銅基板則是利用活性金屬元素（Ti、Zr、Ta、Nb、V、Hf等）可以潤(rùn)濕陶瓷表面的特性，將銅層通過(guò)活性金屬釬料釬焊在Si3N4陶瓷板上。通過(guò)活性金屬釬焊（AMB

2022-10-19 http://m.xphdx.cn/Article/danhuaguiAMBtaocijib.html
[行業(yè)動(dòng)態(tài)]氮化硅(Si3N4)-AMB基板最新研究進(jìn)展

氮化硅(Si3N4)-AMB基板最新研究進(jìn)展隨著第三代SiC基功率模塊器件的功率密度和工作溫度不斷升高，器件對(duì)于封裝基板的散熱能力和可靠性也提出了更高的要求[1,2,3]。以往被廣泛使用的直接覆銅(Direct-Bonding-Copper，DBC)陶瓷基板是通過(guò)共晶鍵合法制備而成，銅和陶瓷之間沒(méi)有粘結(jié)材料，在高溫服役過(guò)程中，往往會(huì)因?yàn)殂~和陶瓷(Al2O3或AlN)之間的熱膨脹系數(shù)不同而產(chǎn)生較大的熱應(yīng)力，從而導(dǎo)致銅層從陶瓷表面剝離，因此傳統(tǒng)的DBC陶瓷基板已經(jīng)難以滿足高溫、大功率、高散熱、高可靠性的封裝要求[4,5]。而Si3N4-AMB覆銅基板則是利用活性金屬元素(Ti、Zr、Ta、Nb、V、Hf等)可以潤(rùn)濕陶瓷表面的特性，將銅層通過(guò)活性金屬釬料釬焊在Si3N4陶

2022-09-13 http://m.xphdx.cn/Article/danhuagui(Si3N4)-AMB.html
[行業(yè)動(dòng)態(tài)]氮化硅陶瓷基板為何會(huì)成為第三代半導(dǎo)體器件的優(yōu)質(zhì)封裝材料

氮化硅陶瓷基板為何會(huì)成為第三代半導(dǎo)體器件的優(yōu)質(zhì)封裝材料隨著國(guó)家對(duì)半導(dǎo)體行業(yè)的大力支持，以及第三代半導(dǎo)體科技行業(yè)的快速發(fā)展，氮化硅陶瓷覆銅基板成為第三代半導(dǎo)體器優(yōu)質(zhì)的封裝材料。今天小編就來(lái)分享一下，氮化硅陶瓷基板哪些優(yōu)勢(shì)能被第三代半導(dǎo)體選擇和應(yīng)用。一，氮化硅陶瓷基板有著與其他陶瓷基板獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)陶瓷基板材料憑借其極好的耐高溫、耐腐蝕、熱導(dǎo)率高、機(jī)械強(qiáng)度高、熱膨脹系數(shù)與芯片相匹配及不易劣化等特性成為大功率、高密度、高溫及高頻器件封裝的首選。目前應(yīng)用于陶瓷基板的陶瓷材料主要有：氧化鈹（BeO）、氧化鋁（Al2O3）、氮化鋁（AlN）、氮化硅（Si3N4）和碳化硅（SiC）等。近年來(lái)，電子電力器件朝大功率、高頻化、高密度、集成化等方向發(fā)展，對(duì)器件中陶瓷散熱基板提出了更高要求。與AlN和Al2O3陶瓷基板材料相比，Si

2022-08-24 http://m.xphdx.cn/Article/danhuaguitaocijibanwei.html
[行業(yè)動(dòng)態(tài)]分析氮化硅陶瓷基板被應(yīng)用到新能源汽車(chē)的緣由

分析氮化硅陶瓷基板被應(yīng)用到新能源汽車(chē)的緣由新能源汽車(chē)對(duì)陶瓷散熱基板有更高的要求目前，對(duì)保護(hù)環(huán)境和節(jié)約能源的呼聲高漲，使得國(guó)內(nèi)的新能源電動(dòng)汽車(chē)倍受關(guān)注。大功率封裝器件在調(diào)控汽車(chē)速度和儲(chǔ)存-轉(zhuǎn)換交流和直流上發(fā)揮著決定性作用。而高頻率的熱循環(huán)對(duì)電子封裝的散熱提出了嚴(yán)格的要求，同時(shí)工作環(huán)境的復(fù)雜性和多元性需要封裝材料具有較好的抗熱震性和高強(qiáng)度來(lái)起到支撐作用。此外，隨著以高電壓、大電流和高頻化為主要特征的現(xiàn)代電力電子技術(shù)的高速發(fā)展，應(yīng)用于該技術(shù)的功率模塊散熱效率更成為了關(guān)鍵。電子封裝系統(tǒng)中的陶瓷基板材料是高效散熱的關(guān)鍵，同時(shí)為了應(yīng)對(duì)工作環(huán)境的復(fù)雜化也應(yīng)具有高強(qiáng)度和高可靠性。各大主流陶瓷基板材料分析-氮化硅陶瓷基板是新能源汽車(chē)基板首選：近年來(lái)已經(jīng)大規(guī)模生產(chǎn)、應(yīng)用較為廣泛的陶瓷基板主要有：Al2O3

2022-05-04 http://m.xphdx.cn/Article/fenxidanhuaguitaocijb.html