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[常見(jiàn)問(wèn)題]碳化硅陶瓷基板的特點(diǎn)、用途和應(yīng)用

碳化硅覆銅陶瓷基板的特點(diǎn)、用途和應(yīng)用從二十世界50年代開(kāi)始，碳化硅納入固體器件的研究開(kāi)始，碳化硅(SiC)材料因其優(yōu)越的物理特性，開(kāi)始受到人們的關(guān)注和研究。如今碳化硅陶瓷基板在很多領(lǐng)域應(yīng)用廣泛，金小編就來(lái)闡述一下碳化硅陶瓷基板的特點(diǎn)、用途和應(yīng)用。一，碳化硅覆銅陶瓷陶瓷基板的物料特性和特點(diǎn)碳化硅覆銅陶瓷基板本質(zhì)是一種硅材料，碳化硅有這優(yōu)越的導(dǎo)熱率，決定了其高電流密度的特點(diǎn)。較高的禁帶寬度又決定了碳化硅（SiC）陶瓷線(xiàn)路板的的高擊穿場(chǎng)強(qiáng)和高工作溫度。具體特性如下： 1，高阻斷電壓與Si材料相比，SiC的擊穿場(chǎng)強(qiáng)是Si的十倍多，因此使用碳化硅（SiC）陶瓷線(xiàn)路板的功率器件的阻斷電壓比Si器件高很多。2，耐600℃高溫工作SiC在物理特性上擁有高度穩(wěn)定的晶體結(jié)構(gòu)

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[常見(jiàn)問(wèn)題]碳化硅基和AlN基覆銅板差異

碳化硅基和AlN基覆銅板差異特斯拉在電驅(qū)主逆變器采用的是意法半導(dǎo)體供應(yīng)的650V SiC MOSFET器件，這在2018是風(fēng)向標(biāo)實(shí)踐。SiC基板有什么優(yōu)勢(shì)和AIN基覆銅板有什么差異？一，碳化硅基覆銅板的優(yōu)越性以及與AIN基覆銅板的特性對(duì)比碳化硅SiC是高溫、高頻、抗輻射、大功率應(yīng)用場(chǎng)合下極為理想的半導(dǎo)體材料。由于碳化硅功率器件可顯著降低電子設(shè)備的能耗，因此碳化硅器件也被譽(yù)為帶動(dòng)“新能源革命”的“綠色能源器件”。碳化硅SiC相對(duì)AIN基覆銅板的優(yōu)異特性：如圖對(duì)比碳化硅的禁帶寬度大約為 3.2eV，硅的寬帶寬度為 1.12eV，碳化硅的禁帶寬度大約為硅的3倍數(shù)，這說(shuō)明碳化硅的耐高壓性能顯著好于硅材料。此外，導(dǎo)熱率為硅的4-5倍；電子飽和漂移速率為硅的2倍。這些特性將使得碳化硅特別適于制造

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