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[行業(yè)動(dòng)態(tài)]AMB與DBA的母工藝——DBC 直接覆銅陶瓷基板工藝

隨著電子設(shè)備的不斷進(jìn)步，芯片集成度的提升和電路設(shè)計(jì)的緊湊，使得單位面積的功耗顯著增加，導(dǎo)致熱量積累。這不僅影響設(shè)備性能，還可能導(dǎo)致組件故障。在這種背景下，直接覆銅（DBC）陶瓷基板憑借出色的導(dǎo)熱和導(dǎo)電性能，成為重要的電子封裝材料，廣泛應(yīng)用于功率模塊和集成電力電子模塊。

2024-10-16 http://m.xphdx.cn/Article/AMByuDBAdemugongyiDB.html
[行業(yè)動(dòng)態(tài)]高壓大功率IGBT模塊首選封裝材料——AMB陶瓷基板

絕緣柵雙極晶體管（IGBT）是在金屬氧化物場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）和雙極晶體管的基礎(chǔ)上發(fā)展起來(lái)的一種新型復(fù)合功率器件，具有輸入阻抗大、驅(qū)動(dòng)功率小、開(kāi)關(guān)速度快、工作頻率高、飽和壓降低、安全工作區(qū)大和可耐高電壓和大電流等一系列優(yōu)點(diǎn)，大規(guī)模應(yīng)用于電動(dòng)汽車(chē)、電力機(jī)車(chē)?yán)锏碾姍C(jī)驅(qū)動(dòng)以及并網(wǎng)技術(shù)、儲(chǔ)能電站、工業(yè)領(lǐng)域的高壓大電流場(chǎng)合的交直流電轉(zhuǎn)換和變頻控制等領(lǐng)域，是電力電子領(lǐng)域中最重要的大功率器件，是綠色經(jīng)濟(jì)的核“芯”。

2024-03-18 http://m.xphdx.cn/Article/gaoyadagonglvIGBTmok.html
[行業(yè)動(dòng)態(tài)]6種常見(jiàn)的陶瓷與金屬的連接方法，誰(shuí)能稱霸半導(dǎo)體封裝市場(chǎng)？

陶瓷與金屬封接，最大難點(diǎn)是陶瓷和金屬的熱膨脹系數(shù)相差較大，使得連接完成后的封接界面處會(huì)產(chǎn)生較大殘余應(yīng)力，這不僅會(huì)降低接頭強(qiáng)度，也會(huì)影響金屬對(duì)陶瓷表面的潤(rùn)濕效果。

2024-01-10 http://m.xphdx.cn/Article/6zhongchangjiandetao.html
[行業(yè)動(dòng)態(tài)]陶瓷基板的分析及應(yīng)用

陶瓷基板是指銅箔在高溫下直接鍵合到氧化鋁(Al2O3)或氮化鋁(AlN)陶瓷基片表面( 單面或雙面)上的特殊工藝板。所制成的超薄復(fù)合基板具有優(yōu)良電絕緣性能，高導(dǎo)熱特性，優(yōu)異的軟釬焊性和高的附著強(qiáng)度，并可像PCB板一樣能刻蝕出各種圖形，具有很大的載流能力。因此，陶瓷基板已成為大功率電力電子電路結(jié)構(gòu)技術(shù)和互連技術(shù)的基礎(chǔ)材料。

2023-11-22 http://m.xphdx.cn/Article/taocijibandefenxijiy.html
[行業(yè)動(dòng)態(tài)]一文搞懂陶瓷基板DPC，AMB，HTCC，DBC等工藝技術(shù)

首先了解陶瓷基板與陶瓷基片的區(qū)別，特性優(yōu)勢(shì)，陶瓷基板制造五大工藝知識(shí)，以及工藝特點(diǎn)進(jìn)行分析，行業(yè)展望，最后我們學(xué)習(xí)一下華科大對(duì)陶瓷基板科研知識(shí)案例分享

2023-11-06 http://m.xphdx.cn/Article/yiwengaodongtaocijib.html
[行業(yè)動(dòng)態(tài)]以后都不要再問(wèn)HTCC，LTCC，DBC，DPC，AMB都是什么了！

陶瓷基板是指銅箔在高溫下直接鍵合到氧化鋁(Al2O3)或氮化鋁(AlN)陶瓷基片表面( 單面或雙面)上的特殊工藝板。所制成的超薄復(fù)合基板具有優(yōu)良電絕緣性能，高導(dǎo)熱特性，優(yōu)異的軟釬焊性和高的附著強(qiáng)度，并可像PCB板一樣能刻蝕出各種圖形，具有很大的載流能力。因此，陶瓷基板已成為大功率電力電子電路結(jié)構(gòu)技術(shù)和互連技術(shù)的基礎(chǔ)材料。

2023-10-20 http://m.xphdx.cn/Article/dbctaocijiban.html
[行業(yè)動(dòng)態(tài)]用于電絕緣體的氧化鋁陶瓷基板：確保安全性和性能

在電氣工程和電子領(lǐng)域，絕緣體在維持電氣系統(tǒng)的完整性和安全性方面發(fā)揮著至關(guān)重要的作用。氧化鋁陶瓷基板以其卓越的電絕緣性能而聞名，已成為各種應(yīng)用中不可或缺的組件。本文深入探討了氧化鋁陶瓷基板作為電絕緣體的重要性，闡明了其特性和多樣化應(yīng)用。

2023-10-16 http://m.xphdx.cn/Article/yongyudianjueyuantid.html
[行業(yè)動(dòng)態(tài)]高純氧化鋁陶瓷基板解析

氧化鋁（Al2O3）陶瓷是目前應(yīng)用最廣泛的陶瓷封裝基片材料，具有強(qiáng)度高、耐高溫、耐熱沖擊性和電絕緣性及耐腐蝕性能力強(qiáng)等優(yōu)良性能，且廉價(jià)易得。常見(jiàn)的氧化鋁基板是白色，用作LED基板、高頻電路基板等。但有些用途需要避免氧化鋁基板反射光線，黑色氧化鋁的產(chǎn)品因此生成。

2023-09-06 http://m.xphdx.cn/Article/gaochunyanghualvtaoc.html
[行業(yè)動(dòng)態(tài)]IGBT模塊用DBC基板的設(shè)計(jì)

DBC 陶瓷基板的發(fā)展、工藝原理、性能及應(yīng)用。由于DBC基板的各種優(yōu)良性能，DBC被廣泛應(yīng)用于各型IGBT模塊中，采用DBC基板的IGBT模塊具有更好的熱疲勞穩(wěn)定性和更高的集成度。

2023-08-21 http://m.xphdx.cn/Article/IGBTmokuaiyongDBCjib.html
[行業(yè)動(dòng)態(tài)]AMB陶瓷基板：高端IGBT模塊基板的應(yīng)用新趨勢(shì)

IGBT陶瓷襯板屬于新的工藝技術(shù)，其中AMB工藝技術(shù)的陶瓷襯板也逐步應(yīng)用于新能源汽車(chē)的IGBT模塊上。IGBT散熱對(duì)于功率模塊的性能是非常重要的，目前國(guó)內(nèi)的IGBT模塊大部分還是采用DBC工藝，但隨著工作電壓、性能要求的不斷提升，AMB工藝技術(shù)的陶瓷基板能更好地解決上述痛點(diǎn)。

2023-08-02 http://m.xphdx.cn/Article/AMBtaocijibangaoduan.html
[行業(yè)動(dòng)態(tài)]陶瓷基板工藝簡(jiǎn)介

在電子陶瓷封裝中，陶瓷基板除了為電路和芯片提供結(jié)構(gòu)支撐和電氣互連，還必須為其提供良好的熱處理以確保正常工作。

2023-07-17 http://m.xphdx.cn/Article/taocijibangongyijian.html
[行業(yè)動(dòng)態(tài)]先進(jìn)陶瓷正逐步推動(dòng)諸多高技術(shù)領(lǐng)域的發(fā)展

先進(jìn)陶瓷已逐步成為新材料的重要組成部分，成為許多高技術(shù)領(lǐng)域發(fā)展的重要關(guān)鍵材料，備受各工業(yè)發(fā)達(dá)國(guó)家的極大關(guān)注，其發(fā)展在很大程度上也影響著其他工業(yè)的發(fā)展和進(jìn)步。由于先進(jìn)陶瓷特定的精細(xì)結(jié)構(gòu)和其高強(qiáng)、高硬、耐磨、耐腐蝕、耐高溫、導(dǎo)電、絕緣、磁性、透光、半導(dǎo)體以及壓電、鐵電、聲光、超導(dǎo)、生物相容等一系列優(yōu)良性能，被廣泛應(yīng)用于國(guó)防、化工、冶金、電子、機(jī)械、航空、航天、生物醫(yī)學(xué)等國(guó)民經(jīng)濟(jì)的各個(gè)領(lǐng)域。

2023-06-25 http://m.xphdx.cn/Article/xianjintaocizhengzhu.html
[行業(yè)動(dòng)態(tài)]AMB陶瓷基板在IGBT上的應(yīng)用介紹

根據(jù)封裝結(jié)構(gòu)和應(yīng)用要求，陶瓷基板可分為平面陶瓷基板和三維陶瓷基板兩大類。再根據(jù)實(shí)現(xiàn)陶瓷基板覆銅后再刻蝕的不同工藝，當(dāng)前較普遍的陶瓷散熱基板分為 HTCC、LTCC、DBC、DPC、AMB 等。AMB 工藝因可靠性更優(yōu)，逐漸成為主流應(yīng)用。其中 Al2O3陶瓷基板主要采用 DBC 工藝，AlN 陶瓷基板主要采用DBC 和AMB工藝，Si3N4陶瓷基板更多采用 AMB 工藝

2023-03-08 http://m.xphdx.cn/Article/AMBtaocijibanzaiIGBT.html
[行業(yè)動(dòng)態(tài)]導(dǎo)熱絕緣材料在碳化硅模塊封裝中的應(yīng)用

隨著電力電子器件向高溫、高電壓、高頻率和大電流方向快速發(fā)展。器件封裝的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)也逐漸朝著微型化及高功率密度方向演變。圖1為三菱SiC電力電子器件雙面封裝拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，其中與電力電子器件相匹配的封裝材料，無(wú)論是起支撐作用的電路板（金屬絕緣基板）、起電氣連接作用的互聯(lián)材料（燒結(jié)銀焊接）、起絕緣和環(huán)境保護(hù)作用的包封材料（環(huán)氧灌封料）還是起散熱作用的界面熱導(dǎo)材料，都對(duì)電力電子器件的電氣性能、抗電磁干擾特性、熱特性、器件的效率及可靠性等影響顯著，是電力電子器件領(lǐng)域除芯片本身之外的另一核心部分。典型的IGBT電力電子模塊的封裝結(jié)構(gòu)如圖2所示，其中需要具備絕緣功能的材料主要包括：電氣隔離和支撐芯片用的電路板材料、隔絕空氣和保護(hù)芯片用的絕緣灌封材料、外殼材料以及填充熱沉和散熱底板間隙用的界面熱導(dǎo)材料。本文基于當(dāng)前Si基和下一代

2023-03-03 http://m.xphdx.cn/Article/daorejueyuancailiaoz.html
[行業(yè)動(dòng)態(tài)]氮化硅(Si3N4)-AMB基板最新研究進(jìn)展

氮化硅(Si3N4)-AMB基板最新研究進(jìn)展隨著第三代SiC基功率模塊器件的功率密度和工作溫度不斷升高，器件對(duì)于封裝基板的散熱能力和可靠性也提出了更高的要求[1,2,3]。以往被廣泛使用的直接覆銅(Direct-Bonding-Copper，DBC)陶瓷基板是通過(guò)共晶鍵合法制備而成，銅和陶瓷之間沒(méi)有粘結(jié)材料，在高溫服役過(guò)程中，往往會(huì)因?yàn)殂~和陶瓷(Al2O3或AlN)之間的熱膨脹系數(shù)不同而產(chǎn)生較大的熱應(yīng)力，從而導(dǎo)致銅層從陶瓷表面剝離，因此傳統(tǒng)的DBC陶瓷基板已經(jīng)難以滿足高溫、大功率、高散熱、高可靠性的封裝要求[4,5]。而Si3N4-AMB覆銅基板則是利用活性金屬元素(Ti、Zr、Ta、Nb、V、Hf等)可以潤(rùn)濕陶瓷表面的特性，將銅層通過(guò)活性金屬釬料釬焊在Si3N4陶

2022-09-13 http://m.xphdx.cn/Article/danhuagui(Si3N4)-AMB.html
[行業(yè)動(dòng)態(tài)]氮化硅陶瓷基板為何會(huì)成為第三代半導(dǎo)體器件的優(yōu)質(zhì)封裝材料

氮化硅陶瓷基板為何會(huì)成為第三代半導(dǎo)體器件的優(yōu)質(zhì)封裝材料隨著國(guó)家對(duì)半導(dǎo)體行業(yè)的大力支持，以及第三代半導(dǎo)體科技行業(yè)的快速發(fā)展，氮化硅陶瓷覆銅基板成為第三代半導(dǎo)體器優(yōu)質(zhì)的封裝材料。今天小編就來(lái)分享一下，氮化硅陶瓷基板哪些優(yōu)勢(shì)能被第三代半導(dǎo)體選擇和應(yīng)用。一，氮化硅陶瓷基板有著與其他陶瓷基板獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)陶瓷基板材料憑借其極好的耐高溫、耐腐蝕、熱導(dǎo)率高、機(jī)械強(qiáng)度高、熱膨脹系數(shù)與芯片相匹配及不易劣化等特性成為大功率、高密度、高溫及高頻器件封裝的首選。目前應(yīng)用于陶瓷基板的陶瓷材料主要有：氧化鈹（BeO）、氧化鋁（Al2O3）、氮化鋁（AlN）、氮化硅（Si3N4）和碳化硅（SiC）等。近年來(lái)，電子電力器件朝大功率、高頻化、高密度、集成化等方向發(fā)展，對(duì)器件中陶瓷散熱基板提出了更高要求。與AlN和Al2O3陶瓷基板材料相比，Si

2022-08-24 http://m.xphdx.cn/Article/danhuaguitaocijibanwei.html
[常見(jiàn)問(wèn)題]優(yōu)質(zhì)氮化鋁陶瓷覆銅板制作工藝具體方法

優(yōu)質(zhì)氮化鋁陶瓷覆銅板制作工藝具體方法優(yōu)質(zhì)高強(qiáng)度氮化鋁陶瓷覆銅板能解決隨著電力半導(dǎo)體模塊電流容量和功率密度的不斷提高，單位面積功耗大大增加，引起的大功率模塊的散熱關(guān)鍵詞問(wèn)題。氮化鋁陶瓷覆銅板能替代氧化鋁陶瓷覆銅板，是因?yàn)榈X陶瓷覆銅板的導(dǎo)熱能力更高。氧化鋁基陶瓷覆銅板（Al2O3DBC基板）由于具有優(yōu)良的機(jī)械性能和很高的電絕緣強(qiáng)度，且資源豐富、價(jià)格低廉，具有超高的性價(jià)比，在中、小功率電力半導(dǎo)體模塊制作的DBC基板中占有主導(dǎo)地位，但因其熱導(dǎo)率較低，線性膨脹系數(shù)與硅相差較大，所以Al2O3 DBC基板在大功率模塊制作中就顯得非常不足，而AlN陶瓷的絕緣性能和機(jī)械性能都很接近Al2O3陶瓷，且它的熱導(dǎo)率是Al2O3陶瓷的7倍左右，線膨脹系數(shù)與硅匹配性更好，因此氮

2022-05-30 http://m.xphdx.cn/Article/youzhidanhualvtaocif.html
[行業(yè)動(dòng)態(tài)]分析氮化硅陶瓷基板被應(yīng)用到新能源汽車(chē)的緣由

分析氮化硅陶瓷基板被應(yīng)用到新能源汽車(chē)的緣由新能源汽車(chē)對(duì)陶瓷散熱基板有更高的要求目前，對(duì)保護(hù)環(huán)境和節(jié)約能源的呼聲高漲，使得國(guó)內(nèi)的新能源電動(dòng)汽車(chē)倍受關(guān)注。大功率封裝器件在調(diào)控汽車(chē)速度和儲(chǔ)存-轉(zhuǎn)換交流和直流上發(fā)揮著決定性作用。而高頻率的熱循環(huán)對(duì)電子封裝的散熱提出了嚴(yán)格的要求，同時(shí)工作環(huán)境的復(fù)雜性和多元性需要封裝材料具有較好的抗熱震性和高強(qiáng)度來(lái)起到支撐作用。此外，隨著以高電壓、大電流和高頻化為主要特征的現(xiàn)代電力電子技術(shù)的高速發(fā)展，應(yīng)用于該技術(shù)的功率模塊散熱效率更成為了關(guān)鍵。電子封裝系統(tǒng)中的陶瓷基板材料是高效散熱的關(guān)鍵，同時(shí)為了應(yīng)對(duì)工作環(huán)境的復(fù)雜化也應(yīng)具有高強(qiáng)度和高可靠性。各大主流陶瓷基板材料分析-氮化硅陶瓷基板是新能源汽車(chē)基板首選：近年來(lái)已經(jīng)大規(guī)模生產(chǎn)、應(yīng)用較為廣泛的陶瓷基板主要有：Al2O3

2022-05-04 http://m.xphdx.cn/Article/fenxidanhuaguitaocijb.html
[常見(jiàn)問(wèn)題]不同陶瓷基板材料表面金屬化處理怎么做

不同陶瓷基板材料表面金屬化處理怎么做陶瓷和金屬是最古老的兩類有用材料，陶瓷材料具有耐高溫、高強(qiáng)度、高硬度、耐磨損、耐腐蝕、電絕緣強(qiáng)度高等特性，而金屬材料具有優(yōu)良的延展性、導(dǎo)電性、導(dǎo)熱性，它們各自的廣泛用途在這里就不多贅述了。那么，將陶瓷材料與金屬材料結(jié)合起來(lái)，能不能在性能上形成優(yōu)勢(shì)互補(bǔ)，從而延伸、拓展各自的研究領(lǐng)域呢？陶瓷與金屬的連接件在新能源汽車(chē)、電子電氣、半導(dǎo)體封裝和IGBT模塊等領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用，因此，具有高強(qiáng)度、高氣密性的陶瓷與金屬的封接工藝至關(guān)重要。兩者的封接工藝中最大的難點(diǎn)是陶瓷和金屬的熱膨脹系數(shù)相差較大，金屬對(duì)陶瓷表面的潤(rùn)濕效果比較差，兩者無(wú)法實(shí)現(xiàn)高質(zhì)量的直接連接，故而首先需要在陶瓷上燒結(jié)或沉積一層金屬薄膜，這一過(guò)程為陶瓷的金屬化。

2022-03-30 http://m.xphdx.cn/Article/butongtaocijibancail.html
[常見(jiàn)問(wèn)題]影響Al2O3陶瓷低溫?zé)Y(jié)的因素

影響Al2O3陶瓷低溫?zé)Y(jié)的因素 Al2O3陶瓷是目前世界上生產(chǎn)量最大、應(yīng)用面最廣的陶瓷材料之一，廣泛應(yīng)用在機(jī)械、電子、化工、航天等領(lǐng)域，具有強(qiáng)度高、硬度高、耐腐蝕、耐高溫等優(yōu)異性能。但氧化鋁陶瓷的燒結(jié)溫度比較高，需要消耗大量能源，對(duì)設(shè)備要求高。從節(jié)約資源，減少成本的角度，低溫?zé)Y(jié)氧化鋁陶瓷技術(shù)逐漸被應(yīng)用。那么影響Al2O3陶瓷低溫?zé)Y(jié)的因素有哪些呢？在生產(chǎn)Al2O3陶瓷時(shí)，根據(jù)Al2O3含量的不同可分為：75瓷(75%Al2O3)、85瓷(85%Al2O3)、95瓷(95%Al2O3)、99瓷(99%Al2O3)。Al2O3顆粒尺寸的影響在陶瓷燒結(jié)過(guò)程中，燒結(jié)動(dòng)力主要來(lái)源于顆粒表面積的減少，顆粒的尺寸和氣孔的形狀都在不斷地發(fā)生變化。小尺寸顆粒比表面

2022-03-24 http://m.xphdx.cn/Article/yingxiangAl2O3taocid.html