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絕緣柵雙極晶體管（IGBT）是在金屬氧化物場效應晶體管（MOSFET）和雙極晶體管的基礎(chǔ)上發(fā)展起來的一種新型復合功率器件，具有輸入阻抗大、驅(qū)動功率小、開關(guān)速度快、工作頻率高、飽和壓降低、安全工作區(qū)大和可耐高電壓和大電流等一系列優(yōu)點，大規(guī)模應用于電動汽車、電力機車里的電機驅(qū)動以及并網(wǎng)技術(shù)、儲能電站、工業(yè)領(lǐng)域的高壓大電流場合的交直流電轉(zhuǎn)換和變頻控制等領(lǐng)域，是電力電子領(lǐng)域中最重要的大功率器件，是綠色經(jīng)濟的核“芯”。
2024-03-18 http://m.xphdx.cn/Article/gaoyadagonglvIGBTmok.html
根據(jù)封裝結(jié)構(gòu)和應用要求，陶瓷基板可分為平面陶瓷基板和三維陶瓷基板兩大類。再根據(jù)實現(xiàn)陶瓷基板覆銅后再刻蝕的不同工藝，當前較普遍的陶瓷散熱基板分為 HTCC、LTCC、DBC、DPC、AMB 等。AMB 工藝因可靠性更優(yōu)，逐漸成為主流應用。其中 Al2O3陶瓷基板主要采用 DBC 工藝，AlN 陶瓷基板主要采用DBC 和AMB工藝，Si3N4陶瓷基板更多采用 AMB 工藝
2023-03-08 http://m.xphdx.cn/Article/AMBtaocijibanzaiIGBT.html
功率半導體器件使用陶瓷基板的原理 我們常見的半導體器有電子電力器件如果二極管、晶匣管、混合型器件IGBT電極等都是屬于電力電子器件，是用來進行功率處理的，是具有處理高電壓，大電流能力的半導體器件。那現(xiàn)在半導體器件多用陶瓷基板來做散熱器件，其中的原理和原因是什么呢？一，陶瓷基板具備很好的承載大電流的能力和絕緣性能1，功率半導體器件工作原理半導體器件在處理高電壓、大電流的時候，電壓處理范圍從幾十V~幾千V，電流能力最高可達幾千A。典型的功率處理，包括變頻、變壓、變流、功率管理等等。那么就需要比較高的載流能力。無論是電子電力器件，還是功率MOSFET器件還是多功能新型混合器件，大多數(shù)情況下都被作為開關(guān)使用（switch）。簡單的說，就是用來控制電流的。通過和截斷。 那么
2021-08-12 http://m.xphdx.cn/Article/gonglvbandaotiqijian.html
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