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[行業(yè)動態(tài)]陶瓷覆銅基板抗彎強度介紹

陶瓷材料的彎曲強度是金屬化陶瓷基板的一項重要性能，因為它在裝配過程中影響到基板的可靠性和強度。彎曲強度通常表征為陶瓷對拉伸強度的阻力。這取決于陶瓷材料和材料中宏觀缺陷的類型、分布以及測量、評估方法。

2023-12-15 http://m.xphdx.cn/Article/taocifutongjibankang.html
[行業(yè)動態(tài)]深入了解陶瓷基板金屬化，陶瓷與金屬的完美結(jié)合

在大功率電子器件使用中為實現(xiàn)芯片與電子元件之間的互聯(lián)，陶瓷作為封裝基板材料，需對其表面進行金屬化處理。陶瓷金屬化有如下要求：優(yōu)良的密封性，金屬導(dǎo)電層的方阻和電阻率小，同時與陶瓷基板具有較強的附著力，陶瓷經(jīng)金屬化后仍需具備高的熱導(dǎo)率。

2023-11-01 http://m.xphdx.cn/Article/shenruliaojietaociji.html
[行業(yè)動態(tài)]陶瓷基板的市場規(guī)模和應(yīng)用發(fā)展

目前，國內(nèi)常用陶瓷基板材料主要為Al2O3、AlN和Si3N4。無論哪種材料的陶瓷基板，在燒結(jié)成型之后，需對其表面實施金屬化，然后通過影像轉(zhuǎn)移的方法完成表面圖形的制作，以實現(xiàn)陶瓷基板的電氣連接性能。金屬化陶瓷基板按照工藝主要分為DPC、DBC、AMB、LTCC、HTCC等基板。氧化鋁陶瓷基板主要采用DBC、DPC工藝，氮化鋁陶瓷基板主要采用DBC和AMB工藝，氮化硅陶瓷基板主要采用AMB工藝

2023-10-27 http://m.xphdx.cn/Article/taocijibanpcb.html
[行業(yè)動態(tài)]陶瓷基板工藝升，成為我國行業(yè)突破的關(guān)鍵！

在目前的陶瓷基板行業(yè)，日本占據(jù)全球絕大市場份額。在關(guān)鍵材料方面，氮化鋁、氮化硅粉體仍依賴進口，大部分市場份額被日本企業(yè)占據(jù)。此外，用于金屬化工藝的銅箔，國內(nèi)尚無企業(yè)能夠生產(chǎn)替代，完全依賴進口。

2023-10-13 http://m.xphdx.cn/Article/taocijibangongyitich.html
[行業(yè)動態(tài)]IGBT模塊中不同金屬化方法覆銅氮化鋁陶瓷基板的可靠性研究

針對氮化鋁陶瓷基板的IGBT應(yīng)用展開分析，著重對不同金屬化方法制備的覆銅AlN基板進行可靠性進行研究。通過對比厚膜法、薄膜法、直接覆銅法和活性金屬釬焊法金屬化AlN基板的剝離強度、熱循環(huán)、功率循環(huán)，分析結(jié)果可知，活性金屬釬焊法制備的AlN覆銅基板優(yōu)于其他工藝基板，剝離強度25 MPa，（-40 ~150）℃熱循環(huán)達到1 500次，能耐1 200 A/3.3 kV功率循環(huán)測試7萬次，滿足IGBT模塊對陶瓷基板可靠性需求。

2023-09-15 http://m.xphdx.cn/Article/IGBTmokuaizhongbuton.html
[行業(yè)動態(tài)]一文了解 IGBT 模塊封裝用陶瓷襯板技術(shù)

IGBT 是電力電子變換中的核心元器件，以低電壓控制大功率電路的斷開與導(dǎo)通，廣泛應(yīng)用于軌道交通、新能源汽車、軍工航天、工業(yè)機器等領(lǐng)域。隨著我國高鐵、航空航天、混合動力汽車的飛速發(fā)展， IGBT 模塊需要更高的可靠性、更快的開關(guān)轉(zhuǎn)換速度、更低的能量損耗等，因此，需要高可靠性的封裝技術(shù)使芯片的優(yōu)勢能夠完全發(fā)揮出來。其中，IGBT 封裝用散熱基板在封裝時起著機械互連和電氣導(dǎo)通的作用，是高可靠性封裝中至關(guān)重要的環(huán)節(jié)。

2023-08-14 http://m.xphdx.cn/Article/yiwenliaojieIGBTmoku.html
[行業(yè)動態(tài)]“多才多藝”的氧化鋁陶瓷基板

陶瓷基板以其優(yōu)良的導(dǎo)熱性和氣密性，廣泛應(yīng)用于功率電子、電子封裝、混合微電子和多芯片模塊等領(lǐng)域。氧化鋁陶瓷具有原料來源豐富、價格低廉、機械強度和硬度較高、絕緣性能、耐熱沖擊性能和抗化學(xué)侵蝕性能良好、尺寸精度高、與金屬附著力好等一系列優(yōu)點，是一種綜合性能較好的陶瓷基片材料，也是目前應(yīng)用最為廣泛的陶瓷基板材料。

2023-06-07 http://m.xphdx.cn/Article/duocaiduoyideyanghua.html
[行業(yè)動態(tài)]陶瓷基板在半導(dǎo)體制冷器中的應(yīng)用

半導(dǎo)體制冷技術(shù)的研究起源于上世紀(jì)50年代，是一門以熱電制冷材料為基礎(chǔ)的新興制冷技術(shù)，作為半導(dǎo)體制冷技術(shù)的核心部件，半導(dǎo)體熱電制冷器件能讓高集成度電子元器件的工作溫度迅速下降，因而應(yīng)用十分廣泛。陶瓷基板在半導(dǎo)體制冷器件中起到了關(guān)鍵的作用，下面我們就從什么是半導(dǎo)體制冷器開始說起，為大家介紹陶瓷基板在其中的應(yīng)用。

2023-04-18 http://m.xphdx.cn/Article/taocijibanbandaoti.html
[行業(yè)動態(tài)]電子封裝陶瓷基板如何進行表面修飾？

以氧化鋁、氮化鋁、氮化硅為主流的陶瓷基板是當(dāng)下電子封裝領(lǐng)域不可或缺的基礎(chǔ)材料，它們既是芯片和阻容元件的承載體，實現(xiàn)導(dǎo)電和互連的功能，也是芯片的保護體，發(fā)揮著抵御服役環(huán)境應(yīng)力沖擊及濕熱腐蝕的作用。其具有的與芯片熱膨脹系數(shù)匹配、耐高溫、耐腐蝕、散熱能力強、介電常數(shù)小、化學(xué)性質(zhì)穩(wěn)定、結(jié)構(gòu)致密、絕緣性好、成本低廉、適合大規(guī)模生產(chǎn)等優(yōu)點，在快速發(fā)展的高可靠電子封裝領(lǐng)域有著進一步提升適應(yīng)性的潛力。

2023-04-10 http://m.xphdx.cn/Article/taocijibanbmxs.html
[行業(yè)動態(tài)]氮化硅(Si3N4)-AMB基板最新研究進展

氮化硅(Si3N4)-AMB基板最新研究進展隨著第三代SiC基功率模塊器件的功率密度和工作溫度不斷升高，器件對于封裝基板的散熱能力和可靠性也提出了更高的要求[1,2,3]。以往被廣泛使用的直接覆銅(Direct-Bonding-Copper，DBC)陶瓷基板是通過共晶鍵合法制備而成，銅和陶瓷之間沒有粘結(jié)材料，在高溫服役過程中，往往會因為銅和陶瓷(Al2O3或AlN)之間的熱膨脹系數(shù)不同而產(chǎn)生較大的熱應(yīng)力，從而導(dǎo)致銅層從陶瓷表面剝離，因此傳統(tǒng)的DBC陶瓷基板已經(jīng)難以滿足高溫、大功率、高散熱、高可靠性的封裝要求[4,5]。而Si3N4-AMB覆銅基板則是利用活性金屬元素(Ti、Zr、Ta、Nb、V、Hf等)可以潤濕陶瓷表面的特性，將銅層通過活性金屬釬料釬焊在Si3N4陶

2022-09-13 http://m.xphdx.cn/Article/danhuagui(Si3N4)-AMB.html
[常見問題]陶瓷基板在半導(dǎo)體制冷器中的應(yīng)用以及原理和特點

陶瓷基板在半導(dǎo)體制冷器中的應(yīng)用以及原理和特點制冷片陶瓷基板在半導(dǎo)體制冷器中的應(yīng)用半導(dǎo)體制冷技術(shù)因具有環(huán)境友好、無噪聲、運行平穩(wěn)、耗材少、使用壽命長等特點受到廣泛關(guān)注，陶瓷基板在集成電路、通訊、汽車、醫(yī)療以及家電日用等方面具有極大的發(fā)展?jié)摿?。隨著技術(shù)的進一步發(fā)展，以及人們對環(huán)境的日益重視，半導(dǎo)體制冷器的市場需求會越來越高，前景廣闊。半導(dǎo)體制冷器的應(yīng)用陶瓷基板在半導(dǎo)體應(yīng)用市場增長迅速，據(jù)MarketsandMarkets研究數(shù)據(jù)，半導(dǎo)體熱電器件市場規(guī)模預(yù)計將從2021年的5.93億美元增長至2026年的8.72億美元，復(fù)合增長率為8.0%，這也將給陶瓷基板帶來機遇。二、陶瓷基板在半導(dǎo)體制冷器中的作用

2022-05-25 http://m.xphdx.cn/Article/taocijibanzaibandaotz.html
[行業(yè)動態(tài)]陶瓷基板表面金屬化5個類別以及不同金屬化特性對比

陶瓷基板經(jīng)過燒結(jié)成型為了實現(xiàn)更好的電氣性能，便于做圖形電路需要在表面做金屬化。金屬化實現(xiàn)金屬和陶瓷的結(jié)合力，是實現(xiàn)封裝的重要環(huán)節(jié)。那么陶瓷基板表面金屬化有哪些方面？采用不同金屬化性能特性有什么不同？陶瓷基板表面金屬化5個類別：共燒法 (HTCC和LTCC) 、厚膜法 (TFC) 、直接敷銅法 (DBC) 、直接敷鋁法 (DBA) 及薄膜法 (DPC) 等幾種類別。一，共燒法共燒多層陶瓷基板因利用厚膜技術(shù)將信號線、微細(xì)線等無源元件埋入基板中能夠滿足集成電路的諸多要求, 故在近幾年獲得了廣泛的關(guān)注。共燒法有兩種, 一種是高溫共燒 (HTCC) , 另一種是低溫共燒 (LTCC) ,

2021-05-21 http://m.xphdx.cn/Article/taocijibanbiaomianji.html
[常見問題]金屬化陶瓷基板的物理特性

陶瓷基板金屬化后實現(xiàn)了陶瓷基板良好的導(dǎo)電性能，因為陶瓷基板絕緣性很好，因而散熱性很高。今天小編要講述是金屬化陶瓷基板的特性。陶瓷基板金屬薄膜附著力一般都是大于10牛頓陶瓷基板薄膜金屬化，一般金屬化是腹銅，以及表面處理鍍金、沉金、沉鎳鈀金等，以實現(xiàn)陶瓷基板更好的電氣性能。采用磁控濺射技術(shù)實現(xiàn)陶瓷金屬化在近幾年得到了快速的發(fā)展。磁控濺射技術(shù)相對于傳統(tǒng)的化學(xué)鍍、電鍍、燒滲金屬、蒸發(fā)鍍膜、金屬噴鍍等技術(shù)而言，磁控濺射技術(shù)制備的陶瓷金屬化產(chǎn)品具有產(chǎn)品性能好、一致性高、環(huán)保、成本低等優(yōu)點。但是，在某些陶瓷產(chǎn)品如氧化鋁、氮化鋁、鈦酸鎂和氧化鋯等陶瓷表面制備的金屬化薄膜的附著力相對較差。為了提高陶瓷表面金屬化薄膜附著力，專利CN104072206B公開了一種采用真空烘烤對基片進行除濕處理提高氮化鋁陶瓷基片厚膜附著力的方法，但是

2020-10-16 http://m.xphdx.cn/Article/jinshuhuataocijiband.html
[常見問題]脈沖電流陶瓷電路（基）板的技術(shù)和應(yīng)用

市場上諸如LED level-I封裝基板、LED level-II系統(tǒng)板、LED COB電路板、IGBT功率模組基板、車用電子電路載板、制冷晶片載板、HCPV電路板、醫(yī)療電子產(chǎn)品電路板等等此類金屬化陶瓷電路(基)板之應(yīng)用領(lǐng)域越趨廣泛，這一切皆歸因于陶瓷材料其優(yōu)異的絕緣耐電壓物理特性、化學(xué)穩(wěn)定性、及其高性價比的導(dǎo)熱系數(shù)特性(氧化鋁導(dǎo)熱系數(shù)約20～27W/m·K、氮化鋁導(dǎo)熱系數(shù)約170～190/m·K)等優(yōu)勢。

2020-05-28 http://m.xphdx.cn/Article/maichongdianliutaoci.html
[行業(yè)動態(tài)]五個問題解答全面認(rèn)知陶瓷基板金屬化

金屬化陶瓷基板目前是陶瓷基板的一種，那么陶瓷基板金屬化是什么？陶瓷基板金屬化技術(shù)方法都有哪一些？什么是高溫共陶瓷金屬化？工藝流程是什么？在哪里生產(chǎn)？等問題，今天小編一一解答。

2019-12-07 http://m.xphdx.cn/Article/wugewentijiedaquanmi.html