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[行業(yè)動態(tài)]碳化硅功率器件封裝關(guān)鍵技術(shù)

傳統(tǒng)硅基半導體由于自身物理性能不足，逐漸不適應于半導體行業(yè)的發(fā)展需求，在此背景下第三代半導體應運而生。SiC作為第三代半導體材料具有優(yōu)越的性能，相比于前兩代半導體材料，碳化硅具有禁帶寬度大、擊穿電場強度高、熱導率高、電子飽和速率高以及抗輻射能力強等特點，已成為目前應用最廣、市占率最高的第三代半導體材料。碳化硅器件相較于硅基器件，具有優(yōu)越的電氣性能，如耐高壓、耐高溫和低損耗。隨著新能源汽車滲透率不斷提升，疊加800V高壓平臺的逐步實現(xiàn)，SiC器件市場將高速增長。

2023-05-24 http:///Article/tanhuaguigonglvqijia.html
[行業(yè)動態(tài)]碳化硅行業(yè)研究：把握能源升級+技術(shù)迭代的成長機遇

下一代功率器件關(guān)鍵技術(shù)：碳化硅近年來，隨著 5G、新能源等高頻、大功率射頻及電力電子需求的快速增長，硅基半導體器件的物理極限瓶頸逐漸凸顯，如何在提升功率的同時限制體積、發(fā)熱和成本的快速膨脹成為了半導體產(chǎn)業(yè)內(nèi)重點關(guān)注的問題，以碳化硅為首的第三代半導體材料在這一趨勢下逐漸從科研走向產(chǎn)業(yè)化。與硅基半導體材料相比，以碳化硅為代表的第三代半導體材料具有高擊穿電場、高飽和電子漂移速度、高熱導率、高抗輻射能力等特點，適合于制作高溫、高頻、抗輻射及大功率器件。具體優(yōu)勢體現(xiàn)在：（1）能量損耗低。碳化硅模塊的開關(guān)損耗和導通損耗顯著低于同等 IGBT 模塊，且隨著開關(guān)頻率的提高，與 IGBT 模塊的損耗差越大，碳化硅模塊在降低損耗的同時可以實現(xiàn) 高速開關(guān)，有助于降低電池用量，提高續(xù)航里程，解決新能源汽車痛點；（2）更小的封

2023-03-13 http:///Article/tanhuaguixingyeyanji.html
[行業(yè)動態(tài)]分析氮化硅陶瓷基板被應用到新能源汽車的緣由

分析氮化硅陶瓷基板被應用到新能源汽車的緣由新能源汽車對陶瓷散熱基板有更高的要求目前，對保護環(huán)境和節(jié)約能源的呼聲高漲，使得國內(nèi)的新能源電動汽車倍受關(guān)注。大功率封裝器件在調(diào)控汽車速度和儲存-轉(zhuǎn)換交流和直流上發(fā)揮著決定性作用。而高頻率的熱循環(huán)對電子封裝的散熱提出了嚴格的要求，同時工作環(huán)境的復雜性和多元性需要封裝材料具有較好的抗熱震性和高強度來起到支撐作用。此外，隨著以高電壓、大電流和高頻化為主要特征的現(xiàn)代電力電子技術(shù)的高速發(fā)展，應用于該技術(shù)的功率模塊散熱效率更成為了關(guān)鍵。電子封裝系統(tǒng)中的陶瓷基板材料是高效散熱的關(guān)鍵，同時為了應對工作環(huán)境的復雜化也應具有高強度和高可靠性。各大主流陶瓷基板材料分析-氮化硅陶瓷基板是新能源汽車基板首選：近年來已經(jīng)大規(guī)模生產(chǎn)、應用較為廣泛的陶瓷基板主要有：Al2O3

2022-05-04 http:///Article/fenxidanhuaguitaocijb.html
[常見問題]碳化硅基和AlN基覆銅板差異

碳化硅基和AlN基覆銅板差異特斯拉在電驅(qū)主逆變器采用的是意法半導體供應的650V SiC MOSFET器件，這在2018是風向標實踐。SiC基板有什么優(yōu)勢和AIN基覆銅板有什么差異？一，碳化硅基覆銅板的優(yōu)越性以及與AIN基覆銅板的特性對比碳化硅SiC是高溫、高頻、抗輻射、大功率應用場合下極為理想的半導體材料。由于碳化硅功率器件可顯著降低電子設備的能耗，因此碳化硅器件也被譽為帶動“新能源革命”的“綠色能源器件”。碳化硅SiC相對AIN基覆銅板的優(yōu)異特性：如圖對比碳化硅的禁帶寬度大約為 3.2eV，硅的寬帶寬度為 1.12eV，碳化硅的禁帶寬度大約為硅的3倍數(shù)，這說明碳化硅的耐高壓性能顯著好于硅材料。此外，導熱率為硅的4-5倍；電子飽和漂移速率為硅的2倍。這些特性將使得碳化硅特別適于制造

2022-01-17 http:///Article/tanhuaguijiheAlNjifu.html

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