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[行業(yè)動態(tài)]陶瓷基板的現(xiàn)狀及發(fā)展淺析

陶瓷材料在電子工業(yè)中扮演著重要的角色，其電阻高，高頻特性突出，且具有熱導率高、化學穩(wěn)定性佳、熱穩(wěn)定性和熔點高等優(yōu)點。在電子線路的設計和制造非常需要這些的性能，因此陶瓷被廣泛用于不同厚膜、薄膜或和電路的基板材料，還可以用作絕緣體，在熱性能要求苛刻的電路中做導熱通路以及用來制造各種電子元件，廣泛應用于功率電子、電子封裝、混合微電子與多芯片模塊等領(lǐng)域。

2023-07-28 http:///Article/taocijibandexianzhua.html
[常見問題]氮化硅陶瓷基板金屬化

氮化硅陶瓷基板金屬化氮化硅陶瓷基板機械性能非常好，硬度強，耐磨損，導熱系數(shù)在85w~90w，在一些需要較強硬度和導熱性的產(chǎn)品領(lǐng)域被備受歡迎。比如汽車減振器的載板、交通軌道，IGTB載板、第三代半導體等。既能作為載板起到散熱很支持的作用，又能實現(xiàn)線路層互連，起到良好的電氣性能作用，那么就需要在氮化硅陶瓷基板做金屬化工藝。一，什么是氮化硅陶瓷基板金屬化氮化硅陶瓷基板金屬化，是在陶瓷基表面覆銅、或者做其他金屬。目前最常見的就是覆銅。氮化硅陶瓷基板金屬化后，通過線路、金屬孔等可以實現(xiàn)層級互連作用。二，氮化硅陶瓷基板金屬化技術(shù)-AMB工藝氮化硅陶瓷基板金屬化技術(shù)多采用AMB工藝，AMB技術(shù)是指，在800℃左右的高溫下，含有活性元素Ti、Zr的AgCu焊料在陶瓷和金屬的界面潤濕并反

2022-10-18 http:///Article/danhuaguitaocijibanj.html
[行業(yè)動態(tài)]氮化硅(Si3N4)-AMB基板最新研究進展

氮化硅(Si3N4)-AMB基板最新研究進展隨著第三代SiC基功率模塊器件的功率密度和工作溫度不斷升高，器件對于封裝基板的散熱能力和可靠性也提出了更高的要求[1,2,3]。以往被廣泛使用的直接覆銅(Direct-Bonding-Copper，DBC)陶瓷基板是通過共晶鍵合法制備而成，銅和陶瓷之間沒有粘結(jié)材料，在高溫服役過程中，往往會因為銅和陶瓷(Al2O3或AlN)之間的熱膨脹系數(shù)不同而產(chǎn)生較大的熱應力，從而導致銅層從陶瓷表面剝離，因此傳統(tǒng)的DBC陶瓷基板已經(jīng)難以滿足高溫、大功率、高散熱、高可靠性的封裝要求[4,5]。而Si3N4-AMB覆銅基板則是利用活性金屬元素(Ti、Zr、Ta、Nb、V、Hf等)可以潤濕陶瓷表面的特性，將銅層通過活性金屬釬料釬焊在Si3N4陶

2022-09-13 http:///Article/danhuagui(Si3N4)-AMB.html
[行業(yè)動態(tài)]氮化硅陶瓷基板為何會成為第三代半導體器件的優(yōu)質(zhì)封裝材料

氮化硅陶瓷基板為何會成為第三代半導體器件的優(yōu)質(zhì)封裝材料隨著國家對半導體行業(yè)的大力支持，以及第三代半導體科技行業(yè)的快速發(fā)展，氮化硅陶瓷覆銅基板成為第三代半導體器優(yōu)質(zhì)的封裝材料。今天小編就來分享一下，氮化硅陶瓷基板哪些優(yōu)勢能被第三代半導體選擇和應用。一，氮化硅陶瓷基板有著與其他陶瓷基板獨特的優(yōu)勢陶瓷基板材料憑借其極好的耐高溫、耐腐蝕、熱導率高、機械強度高、熱膨脹系數(shù)與芯片相匹配及不易劣化等特性成為大功率、高密度、高溫及高頻器件封裝的首選。目前應用于陶瓷基板的陶瓷材料主要有：氧化鈹（BeO）、氧化鋁（Al2O3）、氮化鋁（AlN）、氮化硅（Si3N4）和碳化硅（SiC）等。近年來，電子電力器件朝大功率、高頻化、高密度、集成化等方向發(fā)展，對器件中陶瓷散熱基板提出了更高要求。與AlN和Al2O3陶瓷基板材料相比，Si

2022-08-24 http:///Article/danhuaguitaocijibanwei.html
[常見問題]先進陶瓷在新能源電動汽車上的應用舉例

先進陶瓷在新能源電動汽車上的應用舉例長時間的疫情反復、俄烏戰(zhàn)爭帶來的地緣政治危機、全球貨幣放水、能源需求增長、國際石油生產(chǎn)組織成員國的限產(chǎn)措施推行等一系列原因造就了如今使得老百姓對當今油價望而卻步。面對仿佛轉(zhuǎn)眼就能突破十元大關(guān)的油價，曾經(jīng)多數(shù)對新能源汽車持懷疑態(tài)度的用戶也不得不承認，現(xiàn)如今的油價讓新能源汽車的優(yōu)勢較油車性價比提升了不少。那先進陶瓷在電動汽車上如何應用的呢？可被應用于新能源汽車的先進陶瓷舉例：（1）新能源汽車用陶瓷球：新能源汽車中，陶瓷軸承的應用成為一種趨勢。新能源汽車對汽車軸承提出了更多新要求，首先電機軸承相比傳統(tǒng)軸承轉(zhuǎn)速高，需要密度更低、相對更耐磨的材料；同時由于電機的交變電流引起周圍電磁場變化，需要更好的絕緣性減小軸承放電產(chǎn)生的電腐蝕；

2022-06-25 http:///Article/xianjintaocizaixinne.html
[常見問題]dpc覆銅陶瓷基板和amb活性金屬釬焊載板的區(qū)別

dpc覆銅陶瓷基板和amb活性金屬釬焊載板的區(qū)別amb活性金屬釬焊載板通常是采用氮化鋁陶瓷基或者氮化硅陶瓷基、碳化硅陶瓷基等材料，通過amb活性金屬釬焊工藝在基材表面附上一層銅箔或者其他金屬，使得其具備良好的導電導熱性能。dpc覆銅陶瓷基板則采用是DPC工藝，今天小編就來分享一下dpc覆銅陶瓷基板和amb活性金屬釬焊載板的區(qū)別。一，dpc覆銅陶瓷基板和amb金屬基板工藝特點不同 dpc覆銅陶瓷基板材料通常是氧化鋁陶瓷基、氮化鋁陶瓷基制作，表面金屬一般較薄，通常是35um，不超過100um，比較適合做精密線路；amb金屬基板采用氮化鋁陶瓷基或者氮化硅陶瓷基板來做，銅層可以做100um~800um,金屬結(jié)合力強、熱導率高，尤其是amb氮化硅陶瓷覆銅基板，具

2022-01-19 http:///Article/dpcfutongtaocijibanh.html
[行業(yè)動態(tài)]AMB陶瓷覆銅基板行業(yè)前景

AMB活性金屬釬焊載板與傳統(tǒng)的DCB覆銅陶瓷基板相比，具有更高的可靠性、更強的力學性能、更好的絕緣性能，與芯片良好匹配的熱膨脹系數(shù)。已成為第三代半導體和新型高壓大功率電力電子器件的首選封裝材料，有廣闊的應用前景。金瑞欣小編主要講述AMB陶瓷覆銅基板行業(yè)前景和發(fā)展趨勢。

2022-01-07 http:///Article/AMBtaocifutongjibanx.html
[行業(yè)動態(tài)]AMB基板將成為大功率IGBT和第三代半導體模塊封裝核心需求

大功率IGBT和第三代半導體封裝基板是用DBC基板好呢還是用AMB基板好，AMB基板具有更好導熱性能的同時，熱循環(huán)非常好，熱阻小，可以成載更大電流和電壓等。未來amb陶瓷基板將成為大功率IGTB和第三代半導體模塊封裝基板的“香餑餑”。

2022-01-06 http:///Article/AMBjibanjiangchengwe.html
[常見問題]AMB陶瓷覆銅基板剝離強度怎么樣

AMB陶瓷覆銅基板經(jīng)過活性釬焊工藝制作，銅層的附著力也叫結(jié)合力通常是用剝離強度來體現(xiàn)的。那么AMB陶瓷覆銅基板剝離強度是不是要比DBC陶瓷覆銅基板的要強，我們通過測試數(shù)據(jù)來看看AMB陶瓷覆銅基板的剝離強度數(shù)據(jù)。

2022-01-05 http:///Article/AMBtaocifutongjibanb.html
[常見問題]衡量AMB陶瓷基板可靠性測試-熱循環(huán)次數(shù)

Amb陶瓷基板熱循環(huán)性好、導熱率高、金屬層與陶瓷的結(jié)合力更強，和DBC陶瓷基板相比具備更好的結(jié)合力，尤其是熱循環(huán)性能。陶瓷覆銅板的可靠性，可以表現(xiàn)為耐機械應力和熱應力的能力，通常用熱循環(huán)或熱沖擊測試來表征。今天小編就來分享一下AMB陶瓷基板的熱循環(huán)是怎么樣的，我們通過測熱循環(huán)測試數(shù)據(jù)可以得出結(jié)論。

2022-01-04 http:///Article/hengliangAMBtaocijib.html
[常見問題]AMB陶瓷基板的優(yōu)勢、可靠性及其應用

第三代半導體的崛起和發(fā)展推動了功率器件尤其是半導體器件不斷走向大功率，小型化，集成化和多功能方面前進，對封裝基板性能提升起到了很大的促進作用。陶瓷基板也是陶瓷電路板在電子器件封裝中得到廣泛應用主要是緣于陶瓷基板具有高熱導率、耐高溫、較低的熱膨脹系數(shù)、高的機械強度、耐腐蝕以及絕緣性好、抗輻射的優(yōu)點。陶瓷基板工藝有很多種，除了DPC、DBC、HTCC、LTCC之外，還有目前備受關(guān)注的AMB（Active Metal Bonding）技術(shù)，即活性金屬釬焊技術(shù)。一，什么是活性金屬釬焊技術(shù)？AMB技術(shù)是指，在800℃左右的高溫下，含有活性元素Ti、Zr的AgCu焊料在陶瓷和金屬的界面潤濕并反應，從而實現(xiàn)陶瓷與金屬異質(zhì)鍵合的一種工藝技術(shù)。AMB陶瓷基板，一般是這樣制作的：首先通過絲網(wǎng)印刷法在陶瓷板材的表面涂覆上

2021-02-26 http:///Article/AMBtaocijibandexingn.html
[常見問題]氮化硅陶瓷基板的覆銅工藝--AMB

AMB氮化硅陶瓷覆銅基板表面都是有一層銅的，同時讓氮化硅陶瓷基板有了更好的電氣性能。氮化硅陶瓷基板具有更好的可靠性和穩(wěn)定性，那么氮化硅陶瓷覆銅基板是采用AMB覆銅工藝具體是怎么制作的呢？有什么優(yōu)勢？1，氮化硅陶瓷覆銅基板制作工藝AMB具備哪些優(yōu)勢?氮化硅陶瓷覆銅AMB制作工藝的陶瓷基板又稱為AMB氮化硅陶瓷基板，目前采用AMB工藝的是氮化鋁陶瓷基板和氮化硅陶瓷基板。AMB氮化硅陶瓷覆銅基板，采用AMB工藝即為活性釬焊技術(shù)。活性金屬釬焊（Active Metal Bonding，AMB）覆銅技術(shù)，顧名思義，依靠活性金屬釬料實現(xiàn)氮化鋁與無氧銅的高溫冶金結(jié)合，以結(jié)合強度高、冷熱循環(huán)可靠性好等優(yōu)點而備受關(guān)注，應用前景極為廣闊。

2020-12-19 http:///Article/danhuaguitaocijiband.html
[常見問題]氮化硅陶瓷覆銅基板的可靠性決定了它的市場定位

氮化硅具有高熱導率,低熱阻,高抗彎強度,高斷裂韌性,耐高溫,耐磨損,耐腐蝕等一系列優(yōu)異的物理特性,因此,其正逐漸成為寬禁帶大功率半導體器件首選的基板材料.氮化硅陶瓷覆銅基板優(yōu)異的高可靠性使其成為高鐵,電動汽車等領(lǐng)域功率模塊最有前途的基板材料之一。也正因此奠定了氮化硅覆銅陶瓷基板的可靠性和市場地位。 1，氮化硅陶瓷覆銅基板的制作工藝高性能氮化硅陶瓷粉體的特性對氮化硅陶瓷覆銅基板的成型，燒結(jié)以及最終的性能有很大的影響作用。目前氮化硅陶瓷覆銅基板只有日本廠商具備量產(chǎn)能力,國內(nèi)進口困難,阻礙了相關(guān)產(chǎn)業(yè)的發(fā)展.采用氣壓燒結(jié)實現(xiàn)了高性能氮化硅陶瓷基板的制備,并通過活性金屬釬焊工藝獲得了氮化硅陶瓷

2020-12-18 http:///Article/danhuaguitaocifutong.html
[常見問題]氮化硅陶瓷基板的新的需求和新增應用領(lǐng)域

氮化硅陶瓷基板的市場應用增加，氮化硅陶瓷基板在市場的需求應用在半導體尤其是第三代半導體領(lǐng)域，以及航天航空等方面應用增加，使得氮化硅陶瓷基板用途也越來越多，今天小編主要講述一下氮化硅陶

2020-12-14 http:///Article/danhuaguitaocijiband.html
[常見問題]氮化硅陶瓷基板特點、優(yōu)勢、分類和應用

氮化硅陶瓷基板隨著軌道交通以及第三代半導體等領(lǐng)域的迅速發(fā)展，氮化硅陶瓷基板的市場也逐漸在增加，那么氮化硅陶瓷基板的特點有哪些？有什么分類，主要作用以及市場應用情況是怎么樣的呢？今天小編為您娓娓道來：

2020-12-12 http:///Article/danhuaguitaocijibantd.html
[常見問題]國內(nèi)做氮化硅陶瓷基板覆銅的廠家

氮化硅陶瓷覆銅基板是在氮化硅陶瓷基片的基材上通過技術(shù)手段把銅箔覆蓋到表面，實現(xiàn)金屬化后讓氮化硅陶瓷基板具備更好的導熱性能和電器性能。那么國內(nèi)做的氮化硅的陶瓷基板覆銅的廠家有哪些呢？什么樣的廠家生產(chǎn)的氮化硅陶瓷基板更好？氮化硅陶瓷基板的特性氮化硅陶瓷具有2.4倍于氧化鋁和氮化鋁的抗彎強度，因此具有比氮化鋁和氧化鋁高的多的可靠性，尤其是高強度可以實現(xiàn)其與厚銅基板的覆接，大幅提高基板的熱性能。相對于氮化鋁和氧化鋁，氮化硅陶瓷覆銅板在電流承載能力、散熱能力、力學性能、可靠性等方面均具有明顯優(yōu)勢。氮化硅陶瓷在熱導率方面不及氮化鋁陶瓷基板，因此在提升導熱方面成為關(guān)注的重點了。高導熱陶瓷應具備以下條件：(1)平均原子量小;(2)原子鍵合強度高;(3)晶體結(jié)構(gòu)較為簡單;(4)晶格非諧性振動低。提高氮化硅陶瓷熱導率的方法包括：(

2020-11-07 http:///Article/guoneizuodanhuaguita.html
[常見問題]三大特種陶瓷覆銅板導熱及應用

在軍用功率器件和民用電力電子器件封裝領(lǐng)域，需要能載大電流的器件。銅箔具有極高的載流能力和散熱能力，適合用作大功率器件封裝基板的導體。而特種陶瓷由于耐高壓能力強，被用作封裝基板的載體。氧化鋁陶瓷、氮化鋁陶瓷、氮化硅陶瓷是三大重要的陶瓷基板。

2020-04-30 http:///Article/sandatezhongtaocifut.html
[行業(yè)動態(tài)]氮化鋁陶瓷基板在IGBT模塊的深度研究

電動汽車、電力機車、智能電網(wǎng)等領(lǐng)域需要實現(xiàn)電能轉(zhuǎn)換和控制的絕緣柵雙極晶體管(IGBT)作為電力電子器件。氮化鋁陶瓷覆銅板既具有陶瓷的高導熱性、高電絕緣性、高機械強度、低膨脹等特性，又具有無氧銅的高導電性和優(yōu)異的焊接性能，是IGBT模塊封裝的關(guān)鍵基礎(chǔ)材料。本文采用直接覆銅工藝(DBC)和活性金屬焊接工藝(AMB)制備了氮化鋁陶瓷覆銅板，對比了兩種工藝的異同點和制備的氮化鋁陶瓷覆銅板的性能差異，并指出氮化硅陶瓷覆銅板有望在下一代功率模塊上廣泛應用。

2020-01-14 http:///Article/danhualvtaocijibanzd.html
[常見問題]為何氮化鋁陶瓷基板在IGBT模塊領(lǐng)域應用廣泛

IGBT就是絕緣柵雙極晶體管，目前大規(guī)模應用于電動汽車、電力機車、智能電網(wǎng)等領(lǐng)域。氮化鋁陶瓷覆銅板既具有陶瓷的高導熱性、高電絕緣性、高機械強度、低膨脹等特性，又具有無氧銅的高導電性和優(yōu)異的焊接性能，是IGBT模塊封裝的關(guān)鍵基礎(chǔ)材料。今天小編就重點講述一下氮化鋁陶瓷基板在IGBT模塊的重要應用。

2019-12-19 http:///Article/weihedanhualvtaociji.html

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