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[行業(yè)動態(tài)]銀銅鈦 (AgCuTi) 為何在IGBT上應用

隨著我國新能源汽車、高鐵、城市軌道交通以及智能電網(wǎng)的高速發(fā)展，對高壓大功率IGBT模塊的需求日益增長。相較于其他應用領域，車規(guī)級 IGBT模塊對產(chǎn)品安全、可靠性提出耐高溫、散熱性優(yōu)、工作溫度范圍廣、使用壽命長等更高要求。據(jù)報道，約70%的IGBT模塊失效歸因于散熱不良引起的鍵合線剝離或熔斷。芯片的散熱主要通過IGBT模塊中的陶瓷基板來實現(xiàn)，其作用是吸收芯片的產(chǎn)熱并傳導至熱沉上，從而實現(xiàn)芯片與外界之間的熱交換。閱讀本文前，歡迎識別二維碼加入艾邦IGBT/SiC產(chǎn)業(yè)鏈交流群。

2024-03-11 http:///Article/yintong(AgCuTi)weihe.html
[行業(yè)動態(tài)]高導熱率氮化硅散熱陶瓷基板材料的研究進展

摘要：針對越來越明顯的大功率電子元器件的散熱問題，主要綜述了目前氮化硅陶瓷作為散熱基板材料的研究進展。對影響氮化硅陶瓷熱導率的因素、制備高熱導率氮化硅陶瓷的方法、燒結助劑的選擇、以及氮化硅陶瓷機械性能和介電性能等方面的最新研究進展作了詳細論述，最后總結了高熱導率氮化硅作為散熱基板材料的發(fā)展趨勢。引言隨著我國高鐵、航天、軍工等領域的快速發(fā)展，未來對大功率電力電子器件的需求也將越來越大。為了適應更加復雜、苛刻的應用條件，大功率電力電子器件朝著高溫、高頻、低功耗以及智能化、模塊化、系統(tǒng)化方向發(fā)展，這對整個電子器件的散熱提出了嚴峻的挑戰(zhàn)，而功率器件中基板的作用是吸收，芯片產(chǎn)生的熱量，并傳到熱沉上，實現(xiàn)與外界的熱交換，所以制備高熱導率基板材料成為研發(fā)大功率模塊電子產(chǎn)品的關鍵所在。例如目前大功率 LED 的發(fā)光效率僅有

2022-12-09 http:///Article/gaodaorelvdanhuaguis.html
[行業(yè)動態(tài)]高導熱率碳化硅陶瓷五大燒結方法

目前，氮化硅陶瓷的燒結方法主要有反應燒結法（RS）、熱壓燒結法（HPS）、常壓燒結發(fā)（PLS）和氣壓燒結法（GPS）等。1反應燒結法制備氮化硅最早的使用方法。先將硅粉和粘結劑通過干壓、等靜壓方法成型后，再在1200-1500°C溫度條件下氮化燒結得到氮化硅陶瓷。反應燒結法具有燒結前后線收縮率低、成本低的優(yōu)點，但也有致密度小，力學性能差的缺點。適合制造形狀復雜，尺寸精確的零件。在實驗中按名義組成Si3N4>80wt.%，（Y2O3+La2O3）<20wt.%加入Si粉和La2O3粉進行混合成型。然后在1200-1500°C下反應燒結，并將反應燒結的初置于氣壓燒結爐內(nèi)，在1-9MPa壓力和1900°C的條件下保溫三小時，制備了氮化硅陶瓷。并檢驗了其熱導率，在1000°C時熱導率為19.43W/（m.k

2022-12-07 http:///Article/gaodaorelvtanhuaguit.html
[行業(yè)動態(tài)]氮化硅(Si3N4)-AMB基板最新研究進展

氮化硅(Si3N4)-AMB基板最新研究進展隨著第三代SiC基功率模塊器件的功率密度和工作溫度不斷升高，器件對于封裝基板的散熱能力和可靠性也提出了更高的要求[1,2,3]。以往被廣泛使用的直接覆銅(Direct-Bonding-Copper，DBC)陶瓷基板是通過共晶鍵合法制備而成，銅和陶瓷之間沒有粘結材料，在高溫服役過程中，往往會因為銅和陶瓷(Al2O3或AlN)之間的熱膨脹系數(shù)不同而產(chǎn)生較大的熱應力，從而導致銅層從陶瓷表面剝離，因此傳統(tǒng)的DBC陶瓷基板已經(jīng)難以滿足高溫、大功率、高散熱、高可靠性的封裝要求[4,5]。而Si3N4-AMB覆銅基板則是利用活性金屬元素(Ti、Zr、Ta、Nb、V、Hf等)可以潤濕陶瓷表面的特性，將銅層通過活性金屬釬料釬焊在Si3N4陶

2022-09-13 http:///Article/danhuagui(Si3N4)-AMB.html

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