日本一区二区三区字幕,亚洲成人一区二区

當(dāng)前位置：首頁 »全站搜索 » 搜索：氧化硅

搜索結(jié)果

[行業(yè)動態(tài)]高純氧化鋁陶瓷基板解析

氧化鋁（Al2O3）陶瓷是目前應(yīng)用最廣泛的陶瓷封裝基片材料，具有強(qiáng)度高、耐高溫、耐熱沖擊性和電絕緣性及耐腐蝕性能力強(qiáng)等優(yōu)良性能，且廉價易得。常見的氧化鋁基板是白色，用作LED基板、高頻電路基板等。但有些用途需要避免氧化鋁基板反射光線，黑色氧化鋁的產(chǎn)品因此生成。

2023-09-06 http://m.xphdx.cn/Article/gaochunyanghualvtaoc.html
[行業(yè)動態(tài)]氧化鋁陶瓷基板

氧化鋁（Al2O3）陶瓷是目前應(yīng)用最廣泛的陶瓷封裝基片材料，具有強(qiáng)度高、耐高溫、耐熱沖擊性和電絕緣性及耐腐蝕性能力強(qiáng)等優(yōu)良性能，且廉價易得。常見的氧化鋁基板是白色，用作LED基板、高頻電路基板等。但有些用途需要避免氧化鋁基板反射光線，黑色氧化鋁的產(chǎn)品因此生成。黑色的氧化鋁基板有其獨(dú)特的特點和應(yīng)用，需求也日益增加。

2023-08-10 http://m.xphdx.cn/Article/yhualvtaocijiban.html
[行業(yè)動態(tài)]“多才多藝”的氧化鋁陶瓷基板

陶瓷基板以其優(yōu)良的導(dǎo)熱性和氣密性，廣泛應(yīng)用于功率電子、電子封裝、混合微電子和多芯片模塊等領(lǐng)域。氧化鋁陶瓷具有原料來源豐富、價格低廉、機(jī)械強(qiáng)度和硬度較高、絕緣性能、耐熱沖擊性能和抗化學(xué)侵蝕性能良好、尺寸精度高、與金屬附著力好等一系列優(yōu)點，是一種綜合性能較好的陶瓷基片材料，也是目前應(yīng)用最為廣泛的陶瓷基板材料。

2023-06-07 http://m.xphdx.cn/Article/duocaiduoyideyanghua.html
[行業(yè)動態(tài)]制備高導(dǎo)熱氮化硅陶瓷基板的影響因素淺析

氮化硅在綜合性能方面表現(xiàn)最優(yōu)，這無疑是一種非常理想的散熱性能良好的基板材料。目前國內(nèi)市場上，氧化鋁和氮化鋁陶瓷基片已經(jīng)實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化，但高導(dǎo)熱氮化硅陶瓷作為商用電子器件的基板材料仍是一大難題，只有國外的一些公司可以實現(xiàn)氮化硅陶瓷基板商業(yè)化，那到底是什么因素阻礙了這么優(yōu)秀的的陶瓷基板發(fā)展呢？這就得從氮化硅獨(dú)特的化學(xué)成分和微觀結(jié)構(gòu)說起。晶格氧對高導(dǎo)熱氮化硅陶瓷的影響氮化硅的主要傳熱機(jī)制是晶格振動，通過聲子來傳導(dǎo)熱量。晶格振動并非是線性的，晶格間有著一定的耦合作用，聲子間會發(fā)生碰撞，使聲子的平均自由程減小。另外，Si3N4晶體中的各種缺陷、雜質(zhì)以及晶粒界面都會引起聲子的散射，也等效于聲子平均自由程減小，從而降低熱導(dǎo)率?！锜Y(jié)體的典型微觀結(jié)構(gòu)研究表明，在諸多晶格缺陷中，晶格氧是影響氮化硅陶瓷熱導(dǎo)率的主要缺陷之一。氧原

2023-03-10 http://m.xphdx.cn/Article/zhibeigaodaoredanhua.html
[行業(yè)動態(tài)]高導(dǎo)熱率氮化硅散熱陶瓷基板材料的研究進(jìn)展

摘要：針對越來越明顯的大功率電子元器件的散熱問題，主要綜述了目前氮化硅陶瓷作為散熱基板材料的研究進(jìn)展。對影響氮化硅陶瓷熱導(dǎo)率的因素、制備高熱導(dǎo)率氮化硅陶瓷的方法、燒結(jié)助劑的選擇、以及氮化硅陶瓷機(jī)械性能和介電性能等方面的最新研究進(jìn)展作了詳細(xì)論述，最后總結(jié)了高熱導(dǎo)率氮化硅作為散熱基板材料的發(fā)展趨勢。引言隨著我國高鐵、航天、軍工等領(lǐng)域的快速發(fā)展，未來對大功率電力電子器件的需求也將越來越大。為了適應(yīng)更加復(fù)雜、苛刻的應(yīng)用條件，大功率電力電子器件朝著高溫、高頻、低功耗以及智能化、模塊化、系統(tǒng)化方向發(fā)展，這對整個電子器件的散熱提出了嚴(yán)峻的挑戰(zhàn)，而功率器件中基板的作用是吸收，芯片產(chǎn)生的熱量，并傳到熱沉上，實現(xiàn)與外界的熱交換，所以制備高熱導(dǎo)率基板材料成為研發(fā)大功率模塊電子產(chǎn)品的關(guān)鍵所在。例如目前大功率 LED 的發(fā)光效率僅有

2022-12-09 http://m.xphdx.cn/Article/gaodaorelvdanhuaguis.html
[行業(yè)動態(tài)]高導(dǎo)熱率氧化硅陶瓷的影響因素（二）

高導(dǎo)熱率氮化硅陶瓷是獲得高導(dǎo)熱率氮化硅散熱基板的前提，而影響氮化硅陶瓷熱導(dǎo)率的因素很多。例如，氮化硅陶瓷的致密度、相阻度、燒結(jié)時晶種的加入、晶格氧含量、晶粒的尺寸、形狀排列方式等都對氮化硅陶瓷的趙得率有著巨大的影響。在制備氮化硅陶瓷中，反應(yīng)物中的孔隙率為12%-25%了，而氣體的熱導(dǎo)率一般較低，故致密度越大，孔隙率越低，熱導(dǎo)率越高。氮化硅具有α和β 兩種晶體相，其中相中的氧含量高于β相中的氧含量，而氧雜質(zhì)對聲子具有散射的作用，因此氮化硅陶瓷中β/α的值越大，熱導(dǎo)率越高。當(dāng)燒結(jié)高熱導(dǎo)率氮化硅陶瓷時，在 Si?N4原料中加入尺寸較大的β-Si?N4晶種，為 β-Si?N4。晶粒的結(jié)晶提供晶核，將晶界相逐漸排擠進(jìn)入多晶交界處，從而提高熱導(dǎo)率： Naoto , Hirosaki 等用β一Si?N4 作為原料，研究添加

2022-12-05 http://m.xphdx.cn/Article/gaodaorelvyanghuagui.html
[行業(yè)動態(tài)]關(guān)于高導(dǎo)熱率氧化硅散熱陶瓷的研究進(jìn)展（一）

針對越來越明顯的大功率電子元器件的散熱問題，主要綜述了目前氮化硅陶瓷作為散熱基板材料的研究進(jìn)展。對影響氮化硅陶瓷熱導(dǎo)率的因素、制備高熱導(dǎo)率氮化硅陶瓷的方法、燒結(jié)助劑的選擇、以及氮化硅陶瓷機(jī)械性能和介電性能等方面的最新研究進(jìn)展作了詳細(xì)論述，最后總結(jié)了高熱導(dǎo)率氮化硅作為散熱基板材料的發(fā)展趨勢。

2022-12-05 http://m.xphdx.cn/Article/guanyugaodaorelvyang.html
[常見問題]分析！什么樣的散熱基板適合大功率LED

分析！什么樣的散熱基板適合大功率LED LED照明是一種可以發(fā)光的二極管，用半導(dǎo)體芯片作為發(fā)光材料，其通過電致發(fā)光，將電能直接轉(zhuǎn)化為光能的新型節(jié)能照明光源。如今LED照明向高效率、高密度、大功率等方向發(fā)展，開發(fā)性能優(yōu)越的散熱材料已成為解決LED散熱問題的當(dāng)務(wù)之急。那么什么樣的散熱材料適合大功率LED呢？一，大功率LED對散熱材料的新要求 1，大功率led散熱的原理大功率LED所產(chǎn)生的熱量主要通過基板材料傳導(dǎo)到外殼而散發(fā)出去的，不同的基板材料，導(dǎo)熱性能各異。為使得LED結(jié)溫保持在較低溫度下，必須采用高熱導(dǎo)率、低熱阻的散熱基板材料和合理的封裝工藝，以降低LED總體的封裝熱阻。常用的散熱基板材料包括硅、金屬（如鋁、銅）、陶瓷（氮化鋁、氧化鋁）和復(fù)合

2022-10-19 http://m.xphdx.cn/Article/fenxishimeyangdesanr.html
[常見問題]陶瓷薄膜電路板的特點和工藝、薄膜材料

陶瓷薄膜電路板的特點和工藝，薄膜材料1，什么是薄膜電路在同一個基片上用蒸發(fā)、濺射、電鍍等薄膜工藝制成無源網(wǎng)路,并組裝上分立的微型元件、器件,外加封裝而成的混合集成電路。所裝的分立微型元件、器件，可以是微型元件、半導(dǎo)體芯片或單片集成電路。按無源網(wǎng)路中元件參數(shù)的集中和分布情況，薄膜集成電路分為集中參數(shù)和分布參數(shù)兩種。前者適用范圍從低頻到微波波段，后者只適用于微波波段。2，薄膜陶瓷電路板的特點與厚膜混合集成電路相比較，薄膜電路的特點是所制作的元件參數(shù)范圍寬、精度高、溫度頻率特性好，可以工作到毫米波段。并且集成度較高、尺寸較小。但是所用工藝設(shè)備比較昂貴、生產(chǎn)成本較高。薄膜混合集成電路適用于各種電路，特別是要求精度高、穩(wěn)定性能好的模擬電路。與其他集成電路相比，它更適合

2022-09-28 http://m.xphdx.cn/Article/taocibaomodianluband.html
[常見問題]哪些陶瓷基板被用在大功率LED上

哪些陶瓷基板被用在大功率LED上LED散熱問題是LED大功率非常需要解決的問題，大功率LED有環(huán)保節(jié)能的需求。那么LED大功率都用到哪些陶瓷基板呢？一，LED照明現(xiàn)狀和大功率LED需求1，LED照明對環(huán)保節(jié)能需求追求綠色能源經(jīng)濟(jì)的當(dāng)今，如何把握開發(fā)新能源已成為常態(tài)之事。在固態(tài)照明領(lǐng)域，白熾燈、熒光燈和高壓放電燈在過去幾十年里被人類社會普遍使用，但由于這些照明光源具有使用壽命短、耗能量大、不環(huán)保等缺點不能作為節(jié)能環(huán)保的照明光源。LED ( light emitting diode ）即發(fā)光二極管，是一種利用半導(dǎo)體芯片作為發(fā)光材料，其通過電致發(fā)光，將電能直接轉(zhuǎn)化為光能的新型節(jié)能照明光源。2，散熱問題是LED大功率的當(dāng)務(wù)之急隨著國內(nèi)外LED行業(yè)

2022-07-22 http://m.xphdx.cn/Article/naxietaocijibanbeiyo.html
[行業(yè)動態(tài)]系統(tǒng)級封裝SiP為何用陶瓷基板材料

系統(tǒng)級封裝SiP為何用陶瓷基板材料系統(tǒng)級封裝（SIP）技術(shù)是指將不同類型的元件通過不同的技術(shù)混載于同一封裝之內(nèi)，具有封裝效率高、兼容性好、電性能好、低功耗和低噪音等優(yōu)點。SIP技術(shù)要能滿足集成微系統(tǒng)封裝多樣性的要求，需要采用陶瓷基板封裝，那么這其中的緣由是什么呢？一，SIP系統(tǒng)級封裝對基板材料的要求以及陶瓷基板的優(yōu)勢SIP在核心基板(Core)上造出各元件連線層，各有源無源元件埋入層，光學(xué)系統(tǒng)層等；再在造好的基板上用倒裝形式(Flip—Chip)或線焊(Wire—Bollding)方式安裝上各個IC和MEMS，也包括不能埋入的無源元件和傳感器。大部分灰色部分均由陶瓷材料組成SIP涉及到多種材料(半導(dǎo)體材料、陶瓷材料、金屬材

2022-02-15 http://m.xphdx.cn/Article/xitongjifengzhuangSi.html
[常見問題]半導(dǎo)體晶圓為何采用陶瓷基板靜電卡盤

半導(dǎo)體發(fā)展越來越迅速，隨著半導(dǎo)體及集成電路制程設(shè)備和制程工藝的發(fā)展，傳統(tǒng)的以有機(jī)高分子材料和陽極氧化層為電介質(zhì)的靜電卡盤逐步被陶瓷靜電卡盤逐漸替代，陶瓷靜電卡盤擁有良好的導(dǎo)熱和耐鹵素等離子氣氛的性能，廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體及集成電路核心制程制作中，在高真空等離子體或特氣環(huán)境中起到對晶圓的夾持和溫度控制等作用，是離子注入、刻蝕等關(guān)鍵制程核心零部件之一。

2022-01-04 http://m.xphdx.cn/Article/bandaotijingyuanweih.html
[行業(yè)動態(tài)]激光器封裝基板多用陶瓷基板

激光器的分裝一般是陶瓷、硅和玻璃，其中陶瓷基板更受青睞。金瑞欣小編今天就來分享一下這三種激光器封裝基板的優(yōu)劣勢。

2021-09-14 http://m.xphdx.cn/Article/jiguangqifengzhuangj.html
[常見問題]氮化硅陶瓷的特點以及結(jié)構(gòu)特性

氮化硅陶瓷的特點和優(yōu)勢：高性能氮化硅陶瓷具有優(yōu)異的耐高溫、高強(qiáng)度、高絕緣、耐磨損與耐腐蝕等優(yōu)良性能，子航天航空、軌道交通、電子、醫(yī)藥等高端裝備制造領(lǐng)域廣泛用于軸承滾動體、絕緣零部件、特種構(gòu)件等，已經(jīng)成為傳統(tǒng)工業(yè)改造、新興產(chǎn)業(yè)和高新技術(shù)中必不可少的重要材料。氮化硅陶瓷同時具有高抗熱震性、高抗氧化性、無毒等特點，被認(rèn)為是一種很有潛力的高速電路和大功率器件散熱和封裝材料。二，氮化硅陶瓷的結(jié)構(gòu)特點氮化硅陶瓷具有以下結(jié)構(gòu)特點：1，平均原子量??；2，原子鍵合強(qiáng)度高3，晶體結(jié)構(gòu)較為簡單，4，晶體非諧性振動低。居于以上結(jié)構(gòu)特點，氮化硅陶瓷將會成為高熱導(dǎo)率陶瓷家族的一員。1）原料的選擇氮化硅具有兩種晶型：α-SiN4、β

2021-04-27 http://m.xphdx.cn/Article/danhuaguitaocidetedi.html
[常見問題]IGBT高導(dǎo)熱氮化鋁氮化硅陶瓷基板等高端陶瓷pcb的應(yīng)用和現(xiàn)狀

隨著新能源汽車、高鐵、風(fēng)力發(fā)電和5G基站的快速發(fā)展，這些新產(chǎn)業(yè)所用的大功率IGBT對新一代高強(qiáng)度的氮化硅陶瓷基板需求巨大，日本的京瓷和美國羅杰斯等公司都可以批量生產(chǎn)和提供覆銅蝕刻的氮化硅陶瓷基板；國內(nèi)起步較晚，近幾年大學(xué)研究機(jī)構(gòu)和一些企業(yè)都在加快研發(fā)并取得較大進(jìn)展，其導(dǎo)熱率大于等于90Wm/k，抗彎強(qiáng)度大于等于700mpa，斷裂韌性大于等于6.5mpa1/2；但是距離產(chǎn)業(yè)化還有一定距離。今天小編要分享的是IGBT高導(dǎo)熱氮化鋁氮化硅陶瓷基板等高端陶瓷pcb的應(yīng)用和現(xiàn)狀。

2019-07-09 http://m.xphdx.cn/Article/IGBTgaodaoredanhualv.html
[常見問題]氧化硅：陶瓷基板材料的發(fā)展趨勢

半導(dǎo)體正沿著大功率化、高頻化、集成化方向發(fā)展。半導(dǎo)體器件在風(fēng)力發(fā)電、太陽能光伏發(fā)電、電動汽車、LED照明等領(lǐng)域都有廣泛的應(yīng)用。陶瓷線路板作為電子元器件在LED照明散熱領(lǐng)域起著非常重要的作用。今天小編主要分享一下“半導(dǎo)體器件用陶瓷基片材料發(fā)展現(xiàn)狀和趨勢‘

2019-07-06 http://m.xphdx.cn/Article/yanghuaguitaocidianl.html
[常見問題]什么是99氧化鋁陶瓷基板？

經(jīng)常聽得很多人說99氧化鋁陶瓷電路板，那這個和普通的陶瓷板有什么不一樣嗎？還真有不一樣，今天小編就來講講這個99氧化鋁陶瓷電路板吧。99氧化鋁陶瓷電路板的背景：PCB電路板也有100多年的歷時了，各國層尋求新的材料來代替高分子材料來做電路板的基材。后來成本較低廉的96%氧化鋁陶瓷基片得到了廣泛的應(yīng)用，目前較大的96%陶瓷基片生產(chǎn)廠商有日本的京瓷、美國的CoorsTek、德國的賽朗泰克，國內(nèi)的有廣東三環(huán)集團(tuán)和清華粵科。而比96%氧化鋁陶瓷性能更好的99. 6%氧化鋁陶瓷，在中國一直也沒有廠商生產(chǎn)。99氧化鋁陶瓷電路板的技術(shù)難度：生產(chǎn)0. Imm及以下的超薄的基片更是一個技術(shù)難題也正是99. 6%氧化鋁陶瓷基片生產(chǎn)的技術(shù)難度。主要在于原材料的配置、成型、燒結(jié)和磨加工幾個方面。96%氧化鋁陶瓷基片的配方一般都采用99

2019-03-06 http://m.xphdx.cn/Article/shimeshi99yanghualvt.html