陶瓷基板pcb在介電常數(shù)和介質(zhì)損耗低、熱導(dǎo)率大、化學(xué)穩(wěn)定性好、與元件的熱膨脹系數(shù)相近等優(yōu)點(diǎn)也十分顯著，而陶瓷電路板的制作會(huì)用用到LAM技術(shù)，即激光快速活化金屬化技術(shù)。制作中在陶瓷電路板外層需要保留的銅箔上，即電路圖形上預(yù)鍍一層鉛錫抗蝕層，然后通過(guò)化學(xué)方式將未受保護(hù)的非導(dǎo)體部分的銅蝕刻掉，形成電路。

按照工藝方法的不同，蝕刻分為內(nèi)層蝕刻和外層蝕刻，內(nèi)層蝕刻采用酸性蝕刻，用濕膜或者干膜作為抗蝕劑；外層蝕刻采用堿性蝕刻，用錫鉛作為抗蝕劑。

蝕刻反應(yīng)基本原理

1.酸性氯化銅蝕刻

顯影：利用碳酸鈉的弱堿性將干膜上未經(jīng)紫外線(xiàn)輻射的部分溶解掉，已經(jīng)輻射的部分則保留下來(lái)。

蝕刻：根據(jù)一定比例的溶液，把溶解了干膜或濕膜而暴露在外的銅面用酸性氯化銅蝕刻液溶解腐蝕掉。

褪膜：根據(jù)一定比例的藥水在特定的溫度、速度環(huán)境下將線(xiàn)路上的保護(hù)膜溶解掉。

酸性氯化銅蝕刻具有蝕刻速度較易控制、蝕銅效率高、質(zhì)量好、蝕刻液易再回收利用等特點(diǎn)。

2.堿性蝕刻

堿性蝕刻

褪膜：利用褪菲林液將線(xiàn)路板面上的菲林褪去，露出未經(jīng)加工的銅面。

蝕刻：利用蝕板液將不需要的底銅蝕刻掉，留下加厚的線(xiàn)路。其中會(huì)使用到助劑。加速劑是為了促使氧化反應(yīng)，防止亞銅錯(cuò)離子沉淀；護(hù)岸劑用于減少側(cè)蝕；壓抑劑用于壓抑氨的流散、銅的沉淀以及加速蝕銅的氧化反應(yīng)。

新洗液：使用不含銅離子的一水合氨，利用氯化銨溶液清除板面殘留的藥液。

整孔：該工序僅適用于沉金工藝。主要除去非鍍通孔中多余的鈀離子，防止在沉金工藝沉上金離子。

褪錫：利用硝酸藥液將錫鉛層褪去。

蝕刻的四種效應(yīng)

水池效應(yīng)

在蝕刻過(guò)程中，藥液會(huì)因?yàn)橹亓υ蛟诎迳厦嫘纬梢粚铀?，阻礙新藥液與銅面接觸。

水池效應(yīng)

水溝效應(yīng)

藥液的附著性使藥液粘附在線(xiàn)路上以及線(xiàn)路之間的間隙，能夠?qū)е旅芗瘏^(qū)和空曠區(qū)蝕刻量不同。

水溝效應(yīng)

過(guò)孔效應(yīng)

藥液通過(guò)孔流下去，導(dǎo)致蝕刻時(shí)板孔周?chē)幰焊滤俣燃涌?，蝕刻量加大。

過(guò)孔效應(yīng)

噴嘴搖擺效應(yīng)

與噴嘴搖擺方向平行的線(xiàn)路，因?yàn)榫€(xiàn)路之間的藥液容易被新的藥液沖散，藥液更新速度快，蝕刻量大；

與噴嘴搖擺方向垂直的線(xiàn)路，因?yàn)榫€(xiàn)路之間的藥液不容易被新藥液沖散，藥液更新速度慢，蝕刻量小。

噴嘴搖擺效應(yīng)

蝕刻工藝常見(jiàn)問(wèn)題及改進(jìn)方法

1.褪膜不盡

因?yàn)樗幩疂舛绕停恍兴龠^(guò)快；噴嘴堵塞等問(wèn)題會(huì)引起褪膜不盡。因此需要檢查藥水濃度，將藥水濃度重新調(diào)整在適當(dāng)范圍；及時(shí)調(diào)整速度、參數(shù)；疏通噴嘴。

2.板面氧化

因?yàn)樗幩疂舛冗^(guò)高，溫度過(guò)高等會(huì)導(dǎo)致板面氧化，因此需要及時(shí)調(diào)整藥水的濃度及溫度。

3.蝕銅未盡

因?yàn)槲g刻速度過(guò)快；藥水成分偏差；銅面受污；噴嘴堵塞；溫度偏低等問(wèn)題會(huì)導(dǎo)致蝕銅未盡。因此需要調(diào)整蝕刻運(yùn)輸速度；重新檢查藥水成分；小心銅面污染；清洗噴嘴預(yù)防堵塞；調(diào)整溫度等。

4.蝕銅過(guò)高

因?yàn)闄C(jī)器運(yùn)轉(zhuǎn)速度太慢，溫度偏高等原因會(huì)導(dǎo)致蝕銅過(guò)高的現(xiàn)象，因此要采取調(diào)整機(jī)速度，調(diào)整溫度等措施

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