從基材性能告訴你氮化鋁和氧化鋁陶瓷基板工藝有什么不同

氮化鋁陶瓷基板和氧化鋁陶瓷基板都同屬于陶瓷基板，他們的制作工藝大致是一樣的，都有都才可以采用薄膜工藝和厚膜工藝，DBC工藝、HTCC工藝和LTCC工藝，那么不同的什么呢？

氮化鋁和氧化鋁陶瓷基板工藝的不同主要是因為基材的性能和結構決定了， 他們燒結溫度的不同。

氮化鋁陶瓷基板的結構和性能原理：

1、氮化鋁陶瓷 (Aluminium Nitride Ceramic)是以氮化鋁(AIN)為主晶相的陶瓷。

2、AIN晶體以〔AIN4〕四面體為結構單元共價鍵化合物，具有纖鋅礦型結構，屬六方晶系。

3、化學組成 AI 65.81%，N 34.19%，比重3.261g/cm3，白色或灰白色，單晶無色透明，常壓下的升華分解溫度為2450℃。

4、為一種高溫耐熱材料。熱膨脹系數(4.0-6.0)X10(-6)/℃。

5、多晶AIN熱導率達260W/(m.k)，比氧化鋁高5-8倍，所以耐熱沖擊好，能耐2200℃的極熱。

6、此外，氮化鋁具有不受鋁液和其它熔融金屬及砷化鎵侵蝕的特性，特別是對熔融鋁液具有極好的耐侵蝕性。

  氧化鋁陶瓷基板的結構和性能：

1、氧化鋁陶瓷是一種以氧化鋁(Al2O3)為主體的陶瓷材料，用于厚膜集成電路。

2、氧化鋁陶瓷有較好的傳導性、機械強度和耐高溫性。需要注意的是需用超聲波進行洗滌。

3、氧化鋁陶瓷是一種用途廣泛的陶瓷，因為其優(yōu)越的性能，在現代社會的應用已經越來越廣泛，滿足于日用和特殊性能的需要。

 對比可知：氮化鋁和氧化鋁陶瓷基板工藝的最大區(qū)別主要是燒結溫度的區(qū)別。

氮化鋁陶瓷基板是氧化鋁陶瓷基板5-8倍，能耐2200℃的極的級熱，導熱可達260W/(m.k)，氧化鋁陶瓷基板導熱一般在30W/(m.k)左右，好的可以做到50W/(m.k).氮化鋁陶瓷陶瓷可以加工更加精密的線路，耐高溫，更耐壓，制作工藝相對氧化鋁陶瓷基板而已燒結的溫度把控是不一樣的。如果是一個需要用氮化鋁陶瓷基板的高精密線路板，用氧化鋁陶瓷基板來替代，那肯定會造成基材大量的耗費，制作的難度增加，良品率和低。

以上是小編講述的氮化鋁和氧化鋁陶瓷基板工藝不同點的闡述，希望可以解答這個問題。更多陶瓷基板的工藝問題可以咨詢金瑞欣特種電路，金瑞欣是專業(yè)的陶瓷基板生產廠家，擁有十多年陶瓷基板的行業(yè)經驗和制作經驗。